Розробка методики і порядок виконання розрахунково-експериментальних досліджень для оптимального погодження характеристик вприскування палива та форми камери згоряння у форсованих дизелях. Вибір та обґрунтування параметрів палива, що використовується.

Поліпшення якісних та енергетичних характеристик безтрансформаторних однофазних та трифазних ПЗН. Формування кривої мережного струму у пристроях електронагріву за допомогою мікропроцесорної системи, що реалізує фазоступеневе та імпульсне регулювання.

Характеристика біоенергетичних ресурсів, їх плюси і мінуси, енергетична ситуація та потенціал в Україні. Політична і законодавча база в даній сфері. Правові аспекти у сфері біоенергетики, принципи та етапи регулювання на регіональному і місцевому рівні.

Анализ виртуальных скоростей, порожденных множеством начальных условий. Теоремы об изменении кинетической энергии из уравнения Лагранжа и уравнения для аналитического определения внешних и внутренних реакций идеальных нестационарных голономных связей.

Анализ основных величин, характеризующих электромагнитное поле. Физический смысл первого уравнения Максвелла. Сопротивление заземления - величина "противодействия" растеканию электрического тока в земле, которое поступает в нее через заземлитель.

Обоснование формулы для расчета энергетической эффективности ТЭЦ. Отличия двухпродуктового термодинамического цикла от однопродуктовых, реализуемых на теплоэлектроцентрали. Расположение характеристик турбины для различных энергетических характеристик.

Замкнутое кольцо системы отопления. Схема давлений в водоструйном элеваторе для водяного отопления. Расчет и подбор водоструйного элеватора. Скорость подмешиваемого потока. Скорость в выходном сечении насадки. Расчет струйных аппаратов с высоким КПД.

Определение коэффициентов первичных аберраций комы и астигматизма изображения, образованного тонким компонентом. Характеристика изопланатической и анастигматической коррекции первичных аберраций. Особенность нахождения оптической силы тонкой линзы.

Обоснование вывода о том, что равновесное давление неотрицательно для любого потенциала, независящего от плотности. Получение неравенство-критерия физической непротиворечивости для точных и приближенных решений уравнений для парной корреляционной функции.

Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.

Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.

Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.

Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.

Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

Создание инверсной населенности в полупроводниках. Поток квантов излучения. Оптический переход с сохранением квазиимпульса. Лазеры на гетеропереходах. Спектр частот излучения. Пороговый ток, выходная мощность излучения и эффективность работы лазера.

Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.

Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.

Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

Нанопроводниковые фотогальванические устройства: традиционные солнечные элементы, экситонные солнечные и полимер-неорганические гибридные ячейки, их квантовая эффективность и особенности применения. Нанопровода для электрохимического хранения энергии.

Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.

Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.

Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.

Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.

Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.

Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.

Принципиальная электрическая схема полупроводникового преобразователя электрической энергии, временные диаграммы его работы. Расчет элементов пассивной защиты преобразователя от аварийных токов. Системы управления силовыми полупроводниковыми приборами.

Рассмотрение метода получения аналитических решений задач теплопроводности, основанного на использовании дополнительных граничных условий, получаемых из основного дифференциального уравнения краевой задачи. Изменение невязки уравнения во времени.

Закономерности формирования наносистем цинка посредством конденсации слабопересыщенных паров в высокочистой инертной среде при варьировании таких технологических параметров как мощность разряда магнетронного распылителя и давление рабочего газа.

Специфика использования электромеханических индукционных генераторов (устройств, в которых механическая энергия преобразуется в электрическую) для получения переменного тока. Устройство современного генератора и характеристика передачи электроэнергии.