Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Фактор, влияющий на свойства тонких пленок. Процесс изготовления двухуровневой металлизации в системе А1-А1гОз-А1.

Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.

Класс точности измерительного прибора - выраженное в процентах отношение предельной абсолютной погрешности к максимальному значению измеряемой величины. Специфические особенности возникновения эффекта Холла в электронном и дырочном полупроводниках.

Планирование в нулевом приближении сети GSM в городе. Произведение оптимального выбора частотных каналов. Расчет числа сот в сети и потерь на трассе. Максимальное удаление в соте абонентской станции (АС) от базовой станции (БС). Мощность передатчиков.

Возможность существования сверхпроводимости при комнатной температуре и выше. Метод изучения высокотемпературных сверхпроводников на основе искусственного интеллекта. Исследования в области нанотехнологии и создание комнатнотемпературных сверхпроводников.

Ознакомление с классификацией металлов по прочности. Определение прямолинейной зависимости между напряжением и деформацией с помощью закона Гука. Рассмотрение диаграммы растяжения малоуглеродистой стали. Характеристика особенностей пластичности.

Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.

Системы координат, проекции векторов, скорость, ускорение, масса. Законы Ньютона, их интерпретация и демонстрация. Кинетическая и потенциальная энергия. Работа равнодействующей силы. Энергия взаимодействия частиц. Физика межмолекулярного взаимодействия.

Некоторые свойства растворов. Причины повышения температуры кипения растворов. Эмпирический закон Бабо. Правило линейности физико-технических функций. Величина температурной депрессии. Свойства насыщенного водяного пара в зависимости от температуры.

Анализ физико-химических свойств стали 20Х. Выбор размера и способа изготовления заготовки. Применение концевых фрез для обработки глубоких пазов в корпусных деталях контурных выемок. Расчет режимов резания при точении, сверлении и фрезеровании.

Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.

Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.

Принцип действия приемника оптического излучения на основе кристаллического кварца. Связь между нестационарной составляющей теплового поля и термоупругим потенциалом перемещений. Электрические заряды, возникающие при воздействии на концах полярной оси.

Суть работы компьютера в двоичной системе счисления, его устройство и схема действия. Реализация полупроводниковых приборов в интегральных схемах. Статическое и динамическое запоминающее устройство, определение шести технологий памяти будущего.

Понятие элементарных частиц, протонно-нейтронный состав и свойства атомного ядра. Законы радиоактивного распада полураспада, абсолютная радиоактивность. Радиоактивные семейства, типы ядерных превращений. Взаимодействие ядерного излучения с веществом.

Волновое уравнение, описывающее закономерности распространения ультразвуковых волн. Связь скорости распространения звука с длиной волны и частотой колебаний. Виды излучателей, применение ультразвуковых явлений для поверхностно-пластических деформаций.

Анализ влияния солнечной энергии на климат планеты. Рассмотрение условий рассеивания солнечных лучей в атмосфере, свойств атмосферы, ее влияния на погоду, метеорологических условий, которые определяют состояние атмосферы. Расчет атмосферной диффузии.

Понятия, физические основы и расчетные методы дозиметрического планирования лучевой терапии пучками электронов. Взаимодействие электронов с веществом, характеристика обобщенного принципа дозиметрии. Энергетическое распределение рассеянных электронов.

Основные понятия, физические основы и главные расчетные методы дозиметрического планирования лучевой терапии пучками электронов. Главная особенность определения эффективного и половинного пробега электрона из глубинного распределения дозы облучения.

Прояснение физики процессов, определяющих стационарную волну ядерного горения. Нахождение эффективных теоретических подходов и условий для определения ее параметров. Эволюция системы при прохождении стационарной волны. Уравнение диффузии для флюэнса.

Понятие и история открытия сверхпроводников. Особенности конечных температур, критического тока, глубины проникновения. Обобщение основных свойств сверхпроводников. Микроскопическая теория сверхпроводимости Бардина-Купера-Шриффера (БКШ) и Боголюбова.

Обоснование нового подхода к применению систем единиц в дисциплинах, связанных с нанотехнологиями, основанный на использовании констант. Анализ связи между управлениями описывающими действие, и информацией. Физические эталоны в области наноизмерений.

Техника преобразований уравнений Допплера. Физический смысл преобразований Эйнштейна. Первый и второй комплект преобразований СТО, их физический смысл. Эффект Допплера в релятивистской редакции. Интервал времени между событиями в системе координат.

Физический смысл преобразований Лоренца, происходящих из уравнений распространения света в направлении движения источника излучения, выражающих соотношения виртуальных пространственных интервалов – пакетов световых волн и временных и частотных параметров.

История изобретения телевизионных передач. Изучение явления фотоэффекта для преобразования оптического изображения. Передача телевизионных сигналов посредством радиосвязи. Способы воспроизведения изображения на люминесцирующем экране, радиолокация.

Составление полной энергии системы из кинетической и потенциально энергии. Изучение способов изменения внутренней энергии термодинамической системы. Число степеней свободы молекулы. Закон о равномерном распределении энергии по степеням свободы молекулы.

Анализ причин ослабления световодов из кварцевого стекла. Изотопный состав стекла в сердцевине и оболочке оптического волокна. Технологии формирования оптических волокон. Физические основы формирования кварцевого стекла с заданным изотопным составом.

Силы, действующие в жидкости и их основные свойства. Понятие давления, основы гидростатики. Уравнение Бернулли для потока идеальной и реальной жидкости. Потери энергии в гидросистемах. Течение жидкости в коротких каналах с дросселированием потока.

Определение типа и концентрации примеси, носителей заряда в базе. Условие электрической нейтральности для областей эмиттера, базы и для всей системы в состоянии равновесия. Пояснение принципа полевого управления током в полупроводниковой структуре.

Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.