Особенность организации беспроводных сенсорных сетей приборов в нефтегазовой отрасли. Изучение программного обеспечения, необходимого для их работы. Анализ практической реализации беспроводной технологии SmartWireless на месторождении Западной Сибири.

Беспроводные вычислительные сети и их защита. Несанкционированное вторжение в сеть. Технические подробности вычислительных сетей. Преимущества, способы построения и сферы применения беспроводных сетей. Препятствия на пути беспроводных сетей в России.

Преимущество беспроводных сетей, технологии Wi-Fi. Стоимость беспроводных сетей из расчета на одно соединение. Портативные компьютеры с интегрированными адаптерами Wi-Fi. Безопасность, некоторые возможности и логические топологии беспроводных сетей.

Основные свойства, топология и устройства для создания беспроводных компьютерных сетей. Метод доступа, используемый при беспроводной связи. Главные преимущества WiFi и WiMAX технологий. Адаптер Wi-Fi ASUS WL-138g V2. Интернет-центр ZyXEL P-330W.

Понятие и структура беспроводной сети, ее основные элементы и направления внутреннего взаимодействия, сферы практического применения, оценка преимуществ и недостатков. Выбор оборудования для построения беспроводной сети и его техническое обоснование.

Характеристика истории создания и развития беспроводных технологий Bluetooth. Принцип действия производственной спецификации беспроводных персональных сетей. Особенность использования радиоволн. Эффективное использование выделенных частотных диапазонов.

Основные требования к сетевым соединениям. История развития проекта WiMAX. Разновидности стандарта 802.16 WiMAX, основные достижения мобильного режима. Применение OFDM сигнала и QAM модуляции, спектральная эффективность OFDM сигнала системы WiMAX.

Характеристика стандарта радиодоступа DECT, поддерживающего широкий набор экономичных средств предоставления коммуникационных услуг. Изучение принципа работы беспроводного телефона (радиотелефона) системы DECT, его основных достоинств и недостатков.

Обзор рынка ИК-систем. Асимметричный доступ в Интернет через спутник. Стандарт HIPERLAN/2 для широкополосного беспроводного доступа. Оборудования Cisco и Lucent для сетей беспроводного доступа. Основная архитектура, особенности и службы 802.11b.

Выбор структуры усилителя, коэффициент усиления. Принцип действия усилителя. Выходной каскад усилителя (трансформаторные и бестрансформаторные усилители). Эмиттерный повторитель напряжения. Расчет первого и второго каскада предварительного усиления.

Роль глобальной сети в организации коммерческой деятельности. Краткая история возникновения и развития электронного бизнеса в Интернете. Анализ его преимуществ, основных моделей, магазинов и торговых систем. Аспекты создания, управления и перспективы.

Характеристика основных этапов развития классической стохастической теории автоматического управления. Описание общей схемы адаптационной системы управления. Изучение принципиальной структуры и описание схемы бикаскадной адаптивной системы управления

Понятие биллинговых систем. Схема организации, структура, функции и задачи биллинга. Значение подсистемы hot-billing и предварительной обработки данных. Прикладные программы и система-медиатор. Аппаратное обеспечение и технология баз данных в АСР.

Условия эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры, параметры, которые определяются внешними воздействующими факторами. Факторы биологического воздействия на надежность и работоспособность аппаратуры. Анализ биологических повреждений (биоповреждений).

Особенности использования биомедицинских электродов при проведении электрофизиологических исследований для съёма биоэлектрических сигналов. Общие требования, предъявляемые к поверхностным электродам. Помехи, генерируемые электродами, их устранение.

Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.

Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.

Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.

Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.

Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.

Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.

Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.

Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.

Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.

Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.

Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.

Розроблення структурних схем, амплітудно-частотних і фазо-частотних характеристик, передавальних функцій. Схематичне моделювання п’єзоперетворювачів з одно- і двоконтурним просторовим електромеханічним негативним зворотним зв’язком з підсилювачами заряду.

Особливості застосування в медицині, біології та радіометрії сигналів мм-діапазону інтенсивності, меншій за 10-9 Вт/см2. Розробка математичної моделі генератора шуму на корпусному ЛПД. Удосконалення ГШЛПД за допомогою розробленої математичної моделі.