Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.

Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).

Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.

Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

Создание инверсной населенности в полупроводниках. Поток квантов излучения. Оптический переход с сохранением квазиимпульса. Лазеры на гетеропереходах. Спектр частот излучения. Пороговый ток, выходная мощность излучения и эффективность работы лазера.

Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.

Твердые растворы полупроводниковых соединений, их свойства и область их применения. Зависимость запрещенной зоны твердых растворов от их состава. Полупроводниковые соединения, состоящие из двух элементов, признаки образования твердого раствора.

Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.

Нанопроводниковые фотогальванические устройства: традиционные солнечные элементы, экситонные солнечные и полимер-неорганические гибридные ячейки, их квантовая эффективность и особенности применения. Нанопровода для электрохимического хранения энергии.

Основные свойства, характеристики, конструктивные особенности тиристора. Максимальное обратное напряжение, прикладываемое к тиристору в трехфазной мостовой схеме и в схеме с нулевым выводом. Синхронизация опорного напряжения СИФУ с питающей сетью.

Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.

Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.

Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.

Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.

Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.

Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.

Принципиальная электрическая схема полупроводникового преобразователя электрической энергии, временные диаграммы его работы. Расчет элементов пассивной защиты преобразователя от аварийных токов. Системы управления силовыми полупроводниковыми приборами.

Сущность способа получения алмазов методом взрыва. Эксперименты по "вторичному" прессованию полученных материалов. Исследование кинетики процесса изотопным методом. Получение алмазной фазы углерода при динамическом нагружении органических веществ.

Рассмотрение метода получения аналитических решений задач теплопроводности, основанного на использовании дополнительных граничных условий, получаемых из основного дифференциального уравнения краевой задачи. Изменение невязки уравнения во времени.

Закономерности формирования наносистем цинка посредством конденсации слабопересыщенных паров в высокочистой инертной среде при варьировании таких технологических параметров как мощность разряда магнетронного распылителя и давление рабочего газа.

Специфика использования электромеханических индукционных генераторов (устройств, в которых механическая энергия преобразуется в электрическую) для получения переменного тока. Устройство современного генератора и характеристика передачи электроэнергии.

Изучение метода получения мелкодисперсной влаги с помощью поверхностного охладителя, основанного на теплообмене между высокоскоростным паровым потоком и охлаждающей водой, протекающей через поверхностный охладитель. Изменения среднего размера капель.

Разработка нового метода получения наногетероэпитаксиальных структур, исследования механизмов кристаллизации массива квантовых точек, технологических режимов получения этих структур и исследование их характеристик. Выращивание нанослоев квантовых точек.

Описание двух установок, позволяющих более глубокому изучению явления поляризации света. Экспериментальная установка для определения показателя преломления стекла по углу Брюстера и проверки закона Малюса по изучению линейно поляризованного света.

Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.

Наносуспензии на основе углеродных низкоразмерных частиц. Применение гидроударной технологии. Установление обеззараживающего действия гидроударной технологии на обрабатываемые гидротехнологические среды. Оптимизация процессов получения нанопорошков.

Повышение надежности работы систем электроснабжения предприятий по переработке сельскохозяйственной продукции. Схема замещения асинхронного двигателя с переменными параметрами. Действительная и мнимая часть частотной характеристики асинхронного двигателя.

Описание популярных современных методов MNDO, AM1 и PM3. Параметризация, модифицирование и отличия метода MNDO. Основной успех AM1 по отношению к MNDO - способность описывать водородные связи и давать значительно лучшие значения энергий активации реакций.

Анализ подхода к аппроксимации сигналов в области затухающими колебаниями, функция плотности распределения параметров которых определяется на основе максимума энтропии. Его применение для оценки импульсных характеристик сверхширокополосных систем.