Осаждение тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников
Изложение технологии осаждения тонких плёнок перспективных материалов для устройств фазовой памяти – халькогенидных стеклообразных полупроводников. Рассмотрение энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Технология вакуумного нанесения.
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 25.03.2018 |
| Размер файла | 103,5 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Методы напыления и физические основы нанесения тонких пленок, основные требования и системы оборудования для нанесения тонких плёнок, элементы вакуумных систем и устройство вакуумных камер для получения тонких плёнок. Экономическое обоснование проекта.
дипломная работа [4,2 M], добавлен 01.03.2008Кривая намагничивания, температура Кюри, коэрцитивная сила. Характеристики магнитных материалов. Подготовка к напылению. Термообработка тонких пленок в вакууме. Термообработка по патенту. Расчет защит, заземления для установки вакуумного напыления.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 22.06.2015Влияние условий осаждения на структуру, электрические и магнитные свойства пленок кобальта. Рентгеноструктурные исследования пленок кобальта. Влияние условий осаждения на морфологию поверхности и на толщину пленок. Затраты на амортизацию оборудования.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 24.07.2014Термическое вакуумное напыление. Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде. Технология тонких пленок на ориентирующих подложках. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок. Электронно-лучевое напыление. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
курсовая работа [853,9 K], добавлен 03.03.2011Обзор современного оборудования для получения тонких пленок. Материалы и конструкции магнетронов для ионного распыления тонких пленок. Назначение, конструктивные элементы рабочей камеры установки "Оратория-5". Основные неисправности, методы их устранения.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 24.03.2013Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам. Кинетика термического окисления кремния: в сухом и влажном кислороде, в парах воды. Особенности методов осаждения оксидных пленок кремния. Оценка толщины и пористости осаждаемых пленок.
реферат [1,2 M], добавлен 24.09.2009Механизмы и стадии протекания процессов химического осаждения из газовой фазы для получения функциональных слоев ИМС, их технологические характеристики. Методы CVD и их существенные преимущества. Типы реакторов, используемых для процессов осаждения.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 06.02.2014Элементарная теория вольт–фарадных характеристик МДП-структур. Область пространственного заряда полупроводника. Вольт-фарадные характеристики идеальной и реальной МДП-структуры. Эффект памяти в металл-сегнетоэлектрик-полупроводниковых структурах.
контрольная работа [214,3 K], добавлен 12.02.2016Оборудование для термического окисления: модель Дила-Гроува, зависимость толщины окисла от времени окисления, особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния, их свойства и применение в микроэлектронике. Реакторы биполярного окисления.
реферат [106,3 K], добавлен 10.06.2009Процес нанесення тонких плівок в вакуумі. Метод термічного випаровування. Процес одержання плівок. Способи нанесення тонких плівок. Використання методу іонного розпилення. Будова та принцип роботи ВУП-5М. Основні види випарників та їх застосування.
отчет по практике [2,4 M], добавлен 01.07.2015
