статья  Осаждение тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников

Изложение технологии осаждения тонких плёнок перспективных материалов для устройств фазовой памяти – халькогенидных стеклообразных полупроводников. Рассмотрение энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Технология вакуумного нанесения.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  ####     ####     ####       ##     ####   
 #    #   #    #   #    #      ##    #    #  
      #        #   #    #     # #         #  
   ###      ###    #    #     # #      ###   
      #        #    #####    #  #         #  
      #        #        #   ######        #  
 #    #   #    #       #        #    #    #  
  ####     ####     ###        ###    ####   
                                             
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Производство и технологии
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 25.03.2018
Размер файла 103,5 K

Подобные документы

  • Методы напыления и физические основы нанесения тонких пленок, основные требования и системы оборудования для нанесения тонких плёнок, элементы вакуумных систем и устройство вакуумных камер для получения тонких плёнок. Экономическое обоснование проекта.

    дипломная работа [4,2 M], добавлен 01.03.2008

  • Кривая намагничивания, температура Кюри, коэрцитивная сила. Характеристики магнитных материалов. Подготовка к напылению. Термообработка тонких пленок в вакууме. Термообработка по патенту. Расчет защит, заземления для установки вакуумного напыления.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 22.06.2015

  • Влияние условий осаждения на структуру, электрические и магнитные свойства пленок кобальта. Рентгеноструктурные исследования пленок кобальта. Влияние условий осаждения на морфологию поверхности и на толщину пленок. Затраты на амортизацию оборудования.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 24.07.2014

  • Термическое вакуумное напыление. Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде. Технология тонких пленок на ориентирующих подложках. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок. Электронно-лучевое напыление. Молекулярно-лучевая эпитаксия.

    курсовая работа [853,9 K], добавлен 03.03.2011

  • Обзор современного оборудования для получения тонких пленок. Материалы и конструкции магнетронов для ионного распыления тонких пленок. Назначение, конструктивные элементы рабочей камеры установки "Оратория-5". Основные неисправности, методы их устранения.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 24.03.2013

  • Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам. Кинетика термического окисления кремния: в сухом и влажном кислороде, в парах воды. Особенности методов осаждения оксидных пленок кремния. Оценка толщины и пористости осаждаемых пленок.

    реферат [1,2 M], добавлен 24.09.2009

  • Механизмы и стадии протекания процессов химического осаждения из газовой фазы для получения функциональных слоев ИМС, их технологические характеристики. Методы CVD и их существенные преимущества. Типы реакторов, используемых для процессов осаждения.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 06.02.2014

  • Элементарная теория вольт–фарадных характеристик МДП-структур. Область пространственного заряда полупроводника. Вольт-фарадные характеристики идеальной и реальной МДП-структуры. Эффект памяти в металл-сегнетоэлектрик-полупроводниковых структурах.

    контрольная работа [214,3 K], добавлен 12.02.2016

  • Оборудование для термического окисления: модель Дила-Гроува, зависимость толщины окисла от времени окисления, особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния, их свойства и применение в микроэлектронике. Реакторы биполярного окисления.

    реферат [106,3 K], добавлен 10.06.2009

  • Процес нанесення тонких плівок в вакуумі. Метод термічного випаровування. Процес одержання плівок. Способи нанесення тонких плівок. Використання методу іонного розпилення. Будова та принцип роботи ВУП-5М. Основні види випарників та їх застосування.

    отчет по практике [2,4 M], добавлен 01.07.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.