Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Вольтамперные характеристики и принцип работы транзистора с управляющим pn переходом.

Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.

Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.

Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.

Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.

Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.

Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.

Основные рекомендации относительно правильного выполнения параллельного соединения полевых транзисторов. Способы решения проблемы защиты своих устройств от токов короткого замыкания. Специфические потери обратного восстановления паразитных диодов.

Конструкция полевого транзистора с управляющим р-п переходом и каналом р-типа. Принцип его действия. Схема биполярно-полевого усилителя-инвертора. Симметричный оконечный усилительный каскад без переходных искажений. Работа тока в полевом транзисторе.

Изучение методики применения полиномиальных систем счисления в остаточных классах при разработке криптографических средств защиты хранимых и передаваемых электронных данных. Определение понятия и описание основных методов информационной безопасности.

Сущность и функции политической коммуникации. Контроль и методы распределения политической информации в обществе. Анализ роли средств массовой информации в осуществлении политической деятельности. Компьютерно-коммуникационные технологии в политике.

Дослідження нетрадиційних методів настройки регуляторів швидкості та струму системи підпорядкованого регулювання. Аналіз методу поліноміальних рівнянь. Доцільність використання нетрадиційних настроювань у двомасових системах із від’ємним в’язким тертям.

Проведення дослідження особливостей функціонування фокусуючо-відхилювальної системи піровідиконної тепловізійної камери. Виявлення та експериментальне підтвердження ефекту відмінності растрів піровідикона в режимах швидких та повільних електронів.

Поліпшення показників якості сучасних систем управління телекомунікаційними мережами шляхом проведення глибокого аналізу принципів побудови систем управління мережами телекомунікацій. Виділення пріоритетних завдань для підвищення показників їх якості.

Дослідження системи ДВЧ-ЧМ синхронного звукового мовлення. Шляхи поліпшення якості радіоприймання, визначення параметрів синхронної мережі, потрібних для її планування. Розробка системи синхронізації синхронної мережі з "N" аналогових передавачів.

Розробка методу поліпшення якості передавання відеопотоку з використанням мультипідключення у програмно-конфігурованих безпровідних мережах. Аналіз використання показника якості сприйняття PSNR та реакцію методу на погіршення параметрів каналу зв’язку.

Класс сетей, где при коммутации, мультиплексировании, ретрансляции используют оптические технологии. Цифровая передача сигнала с модуляцией интенсивности. Плотное волновое мультиплексирование. Применение оптических усилителей, коммерческие реализации.

Основной расчет характеристик одиночных и связанных плоско-поперечных стыков волноводов. Главная особенность применения волноводных фильтров в системах передачи информации, средствах радиоэлектронной борьбы, радарах и измерительном оборудовании.

Возможности для полунатурного моделирования многофункциональных модульных систем. Структура энергетической МФМС и её задачи с позиции теории графов. Структура моделируемого фрагмента системы на стыке двух модулей с использованием метода "сшивания" схемы.

Видимый свет как электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от 380 до 780 нм. Особенности полунатурного моделирования процесса обнаружения воздушных целей в искусственных помехах, воздействующих на ОЭС. Анализ основных видов искусственных помех.

Исследование модели работы беспилотного летательного аппарата на базе математической модели его пространственного движения при наведении на неподвижную точку прицеливания. Реализация ресурсосберегающей модели контроля алгоритмов управления БПЛА.

Структура фотоприёмника, граница фотоэффекта и его фоточувствительность. Принцип работы фоторезистора. Принципиальная схема включения семисегментного полупроводникового индикатора. Схема включения светодиода. Номинал ограничительного сопротивления.

Физические основы действия полупроводниковых приборов. Техника безопасности при выполнении лабораторных работ. Оформление отчета по работе. Анализ свойств операционных усилителей. Микросхемы базовых логических элементов. Цифровые микросхемы триггеров.

Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.

Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.

Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.

Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.

Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.