Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.

Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.

Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.

Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.

Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.

Оперативные запоминающие устройства. Метод произвольного доступа. Основные требования, предъявляемые к оперативным запоминающим устройствам. Комплементарная транзисторная пара. Полная схема статического запоминающего элемента на основе триггеров.

Понятие полупроводниковых индикаторов, основные принципы работы, классификация и характеристика. Физические эффекты, пригодные для использования в индикаторной технике. Органические и полимерные дисплеи. Сущность жидкокристаллических индикаторов.

Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.

Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.

Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.

Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.

Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.

Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.

Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.

Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.

Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.

Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.

Получение ряда квантованных действительных значений, характеризующих измеряемую величину при регистрации внешних аналоговых сигналов на выходе аналого-цифрового преобразователя. Определение способа перехода от действительного сигнала к комплексному.

Изучение материалов и устройств оптической памяти, нейросетевой обработки информации. Функциональные преимущества и перспективность применения бактериородопсина (БР) в приборах электронной техники. Требования к параметрам БР-содержащих полимерных пленок.

Характеристика получения передаточной функции объекта управления. Основной расчет границы устойчивости замкнутой системы. Определение настроек ПИ- и ПИД-регуляторов методом незатухающих колебаний. Особенность использования формулы Циглера-Никольса.

Получение образцов пиролизованного полиакрилонитрила, которые содержат соединения меди. Изучение электропроводящих свойств полученных образцов методами интерференционной микроскопии, РФА, ИК-спектроскопии и АСМ. Тенденция снижения удельного сопротивления.

Уменьшение времени реакции системы на события как требование, которое предъявляется к микропроцессорным автоматизированным системам управления технологическими процессами и производствами. Фрагмент - часть информационной модели с указанием связей.

Выбор метода проектирования. Характеристики идеального фильтра нижних частот. Выбор взвешивающей функции. Получение цифрового КИХ-фильтра нижних частот с заданными характеристиками. Тестирование фильтра, программирование и анализ его быстродействия.

Вибір напрямку для реальної поверхні і розробка методів побудови карт завад та спостереження об’єктів. Розробка методу реконструкції рельєфу з ізоліній. Аналіз та узагальнення статистичних характеристик великомасштабних і дрібномасштабних нерівностей.

Рассмотрение процедур, основанных на оценке поляризационных характеристик помех с подавлением их на последующих этапах. Сравнение эффективности устройств с устройствами, весовые коэффициенты которых определены при известных ПХ радиолокационных объектов.

Представление результатов теоретических и экспериментальных работ по обоснованию типа зондирующего сигнала и методов спектрального анализа (СА) для определения характеристик метеообъектов. Анализ измеряемых параметров метеообразований для сигналов.

Вирішення проблеми точної адаптації антенних систем радіоелектронних засобів приймання, передавання та руйнування інформації в умовах апріорної невизначеності радіосигналів, що приймаються. Розробка мікрохвильових пристроїв для перетворення поляризації.