Ионная имплантация в технологии ИС
Плюсы и недостатки метода ионной имплантации в технологии ИС. Цели ступенчатого ионного легирования. Определение необходимой толщины маскирующего окисла при проведении ионной имплантации. Маскирующие свойства SiO2 при легировании различными примесями.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 03.10.2017 |
| Размер файла | 368,9 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.
реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016Информационные технологии. Основные понятия и определения. Человек и информационное общество. Информационные технологии XXI века: на пороге революции. Новые информационные технологии. Выдвижение информации на лидирующее место в жизни человека.
реферат [38,0 K], добавлен 08.09.2008Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.
контрольная работа [261,0 K], добавлен 17.06.2012Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Конструктивные особенности установки катодного распыления. Характеристики и применение тонких пленок, полученных методом ионного распыления, последовательность процесса. Достоинства и недостатки метода.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.12.2014Принципы построения радиосистемы "Стрелец". Модуль беспроводной передачи данных по технологии ZigBee, преимущества и недостатки его применения, принцип действия и оценка возможностей. Описание структурной и принципиальной электрической схемы устройства.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 24.04.2015Хронология развития оптической связи. Теоретические аспекты технологии FTTx. Организация, эксплуатация и диагностика телекоммуникационных линий. Достоинства и недостатки технологии. Особенности ее развития на примере предприятия ОАО "Ростелеком".
курсовая работа [890,2 K], добавлен 14.01.2015Маскирующие средства: пассивные помехи, ложные цели и ловушки, снижение заметности объектов. Радиолокационные характеристики объектов. Искусственные радиолокационные отражатели и противорадиолокационная маскировка. Эффективная площадь рассеяния тел.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 24.08.2015Объединение в локальную сеть по технологии FastEthernet компьютеров, которые находятся в квартирах трех домов. Технологии кодирования, применяемые в SHDSL. Соединение локальной сети с Internet по WAN-технологии. Правила построения сегментов Fast Ethernet.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.09.2012Принципы формирования изображения на всех существующих типах дисплеев. Жидкокристаллический монитор и его особенности. Принцип действия и углы обзора TFT-LCD дисплеев, их плюсы и минусы. Наиболее распространенные технологии изготовления TFT-LCD.
реферат [156,1 K], добавлен 17.02.2015
