контрольная работа Ионная имплантация в технологии ИС
Плюсы и недостатки метода ионной имплантации в технологии ИС. Цели ступенчатого ионного легирования. Определение необходимой толщины маскирующего окисла при проведении ионной имплантации. Маскирующие свойства SiO2 при легировании различными примесями.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 03.10.2017 |
| Размер файла | 368,9 K |
Подобные документы
Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.
реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016Информационные технологии. Основные понятия и определения. Человек и информационное общество. Информационные технологии XXI века: на пороге революции. Новые информационные технологии. Выдвижение информации на лидирующее место в жизни человека.
реферат [38,0 K], добавлен 08.09.2008Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Метод магнетронного распыления материалов. Элементы магнетронной системы и её схема. Скорость распыления материала при ионной бомбардировке и влияющие на неё факторы. Теория Зигмунда и расчёт коэффициента распыления. Модель кольцевого испарителя.
контрольная работа [261,0 K], добавлен 17.06.2012Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Конструктивные особенности установки катодного распыления. Характеристики и применение тонких пленок, полученных методом ионного распыления, последовательность процесса. Достоинства и недостатки метода.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.12.2014Принципы построения радиосистемы "Стрелец". Модуль беспроводной передачи данных по технологии ZigBee, преимущества и недостатки его применения, принцип действия и оценка возможностей. Описание структурной и принципиальной электрической схемы устройства.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 24.04.2015Хронология развития оптической связи. Теоретические аспекты технологии FTTx. Организация, эксплуатация и диагностика телекоммуникационных линий. Достоинства и недостатки технологии. Особенности ее развития на примере предприятия ОАО "Ростелеком".
курсовая работа [890,2 K], добавлен 14.01.2015Маскирующие средства: пассивные помехи, ложные цели и ловушки, снижение заметности объектов. Радиолокационные характеристики объектов. Искусственные радиолокационные отражатели и противорадиолокационная маскировка. Эффективная площадь рассеяния тел.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 24.08.2015Объединение в локальную сеть по технологии FastEthernet компьютеров, которые находятся в квартирах трех домов. Технологии кодирования, применяемые в SHDSL. Соединение локальной сети с Internet по WAN-технологии. Правила построения сегментов Fast Ethernet.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.09.2012Принципы формирования изображения на всех существующих типах дисплеев. Жидкокристаллический монитор и его особенности. Принцип действия и углы обзора TFT-LCD дисплеев, их плюсы и минусы. Наиболее распространенные технологии изготовления TFT-LCD.
реферат [156,1 K], добавлен 17.02.2015
