Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію
Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | автореферат |
Язык | украинский |
Дата добавления | 12.07.2014 |
Размер файла | 41,7 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Дослідження основних структур тригерних пристроїв (RS, D, Т, JК - типів) в логічному базисі І-НЕ з потенційним представленням інформації. Будова та види тригерів, їх синтез на основі логічних ІMС. Характеристичні рівняння, що описують їх функціонування.
реферат [1,3 M], добавлен 14.03.2011Системний підхід до аналізу структур існуючих систем мікропроцесорних централізацій. Структури систем керування на основі графоаналітичного методу. Дослідження впливу періоду контролю справності каналів резервування на показники функційної безпечності.
дипломная работа [16,9 M], добавлен 15.02.2021Необхідність вимірювати струми, напруги та інші величини в дуже широкому діапазоні. Розрахунок спектральної функції імпульсу, параметрів коаксіального шунта, індуктивностей. Дослідження передавальних властивостей шунта. Узгодження з осцилографом.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 18.06.2012Способи проектування мереж абонентського доступу (МАД) на основі технології VDSL. Розрахунок варіантів розміщення ONU. Розрахунок пропускної здатності розглянутої топології VDSL. Аналіз основних характеристик МАД, розробка засобів їхнього підвищення.
курсовая работа [772,2 K], добавлен 29.08.2010Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012Синтезування синхронного двійково-десятковий лічильник, на основі одного тригера D-типу і трьох тригерів JK-типу, які працюють в коді з вагою розрядів 6-2-2-1. Діаграми Вейча для функцій входів тригерів. Моделювання схеми лічильника у середовищі "OrCAD".
курсовая работа [198,7 K], добавлен 13.05.2011Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Аналіз процесу функціонування радіорелейних ліній (РРЛ) у складі мережі SDH. Розробка резервної РРЛ SDH на базі обладнання ALCOMA за допомогою відкритого програмного забезпечення "Radio Mobile". Розрахунок параметрів РРЛ. Техніко-економічне обґрунтування.
дипломная работа [7,4 M], добавлен 06.11.2016Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою. Аналіз систем автоматизованого проектування логічних керуючих автоматів на основі ПЛІС, їх різновиди і відмінні особливості, тенденції розвитку.
курсовая работа [478,2 K], добавлен 25.09.2010Вибір топології проектованої первинної мережі та типу оптичного волокна. Розрахунок довжини ділянок регенерації й кількості регенераторів. Синхронізація мережі SDH з чарунковою топологією. Дослідження режимів її роботи в нормальному і в аварійному станах.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 16.07.2015