Мікроелектронні сенсори на основі КНІ-структур з рекристалізованим шаром полікремнію

Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык украинский
Дата добавления 12.07.2014
Размер файла 41,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

16. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Khoverko Y. Carrier transport in laser-recrystallized polysilicon layers for microelectronic devices and sensors // Proc. of Intern. Semiconductor Conf., CAS'99. - Sinaia (Romania). - 1999. - Vol. 1. - P. 327-330.

17. Мар'ямова I.Й., Когут I.Т., Кутраков О.П., Панкевич I.М., Ховерко Ю.М. Температурнi характеристики тонких шарiв полiкремнiю // Матерали VI Мiжн. конф. з фiзики i техн. тонких плiвок, Iвано-Франкiвськ (Україна).- 1997. - Т.1. - С. 153.

18. Druzhinin A.A., Lavitska E.N., Maryamova I.I., Khoverko Y.M. Carrier Transport and Pezoresistance in Laser-Recrystallized Polysilicon Layers // Proc. of Third Intern. School-Conf. "Physical Problems in Material Science of Semiconductors", Chernivtsi (Ukraine). - 1999. - P. 172.

19. Дружинин А.О., Марьямова И.И., Матвиенко С.Н., Ховерко Ю.Н. Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при креогенных температурах для создания сенсора // Труды IV Междун. научно-практ. конф. “Современные информационные и электронные технорлогии”. СИЭТ - 2003, Одесса (Украина). - 2003. - C. 265.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.