Расчет тонкопленочных резисторов
Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | практическая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.04.2014 |
| Размер файла | 121,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Министерство образования и науки Украины
Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Кафедра МЭПУ
Домашняя работа
по курсу
«Приборы и устройства интегральной электроники»
на тему:
«Расчет тонкопленочных резисторов»
Харьков 2002
Задание:
Определить форму, геометрические размеры, метод изготовления и минимальную площадь, занимаемую резисторами на подложке, при следующих исходных данных: номиналы резисторов R1=4 *103 Ом, R2=300 Ом; допустимое отклонение резисторов от номинала R=10%; мощность рассеивания Р=25мВт; максимальная температура Тмах=120оС; погрешность воспроизведения материала резистивной пленки s=2.5%; погрешность старения резистивной пленки Rст=0,3%;
%;
Расчет:
Определяем оптимальное сопртивление квадрата резистивной пленки по формуле:
Рsопт = 1095.44 Ом
Выбираем материал резистивной пленки с ближайшим к ?sопт значение ?s - Сплав РС-3001. Его параметры:
Проверяем правельность выбраного материала. Температурная погрешность равна:
а допустимая погрешность коэффициента формы для первого и второго резистора определяется как
Определяем форму резисторов по коэффициенту формы:
R1- в данном случае рекомендуется конструировать резистор прямоугольной формы, а R2 - резистор у которого длина меньше ширины.
С точки зрения технологичности все резисторы целисообразно изготовлять одним методом. По скольку по условию точность изготовления резисторов 10%, для данного случая следует выбрать фотолитографический метод. Технологические ограничения для метода фотолитонрафии:
мм
мм
мм
мм
мм
мм
Расчет резистора R1
Расчетную ширину резистора определяем по выражениям:
мм
мм
Принимаем:
мм
Длинна резистора равна:
мм
Полную длинну резистора с учетом контактных площадок находим по:
мм
Площадь резистора:
Для проверки определяем действительную удельную мощность и погрешность изготовления резистора R1 по формулам:
Расчет резистора R2
Расчетную ширину резистора определяем по выражениям:
мм
мм
Окончательно:
мм
Расчетная ширина равна:
Полная длинна с учетом перекрытия контактных площадок:
Площадь резистора:
Проверка расчета резистора R2:
резистор мощность погрешность подложка
Проверки показывают, что все резисторы спроектированы удовлетворительно.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013Расчёт относительной погрешности сопротивления резисторов. Оценка математического ожидания относительной погрешности сопротивлений резисторов, дисперсии относительных погрешностей сопротивлений резисторов, отклонения измеренного значения величины.
контрольная работа [22,5 K], добавлен 29.04.2009Пассивные пленочные элементы схем. Номинальное сопротивление резистора. Сосредоточенные пленочные резисторы. Проектирование тонкопленочных резисторов. Наиболее применяемые в технике топологии резисторов. Параллельные и последовательные конденсаторы.
реферат [1,5 M], добавлен 15.12.2015Классификация резисторов. Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью. Маркировка резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов.
лекция [131,5 K], добавлен 19.11.2008Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 26.05.2010Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.
курсовая работа [610,8 K], добавлен 26.11.2014Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013
