Расчет тонкопленочных резисторов
Определение формы, геометрических размеров, метода изготовления и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке. Определение действительной удельной мощности и погрешности изготовления резистора. Проверка расчетов исследуемых резисторов.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Приборы и устройства интегральной электроники |
| Вид | практическая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | veronika-lapo4ka |
| Дата добавления | 18.04.2014 |
| Размер файла | 121,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013Расчёт относительной погрешности сопротивления резисторов. Оценка математического ожидания относительной погрешности сопротивлений резисторов, дисперсии относительных погрешностей сопротивлений резисторов, отклонения измеренного значения величины.
контрольная работа [22,5 K], добавлен 29.04.2009Пассивные пленочные элементы схем. Номинальное сопротивление резистора. Сосредоточенные пленочные резисторы. Проектирование тонкопленочных резисторов. Наиболее применяемые в технике топологии резисторов. Параллельные и последовательные конденсаторы.
реферат [1,5 M], добавлен 15.12.2015Классификация резисторов. Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью. Маркировка резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов.
лекция [131,5 K], добавлен 19.11.2008Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, схемотехнические параметры. Порядок расчета полупроводниковых резисторов, общие сведения об их изготовлении.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 26.05.2010Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.
курсовая работа [610,8 K], добавлен 26.11.2014Описание и анализ конструкции диффузионного резистора. Оптимизация его конструкции с учетом критерия минимальной площади. Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых интегральных микросхем.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013
