Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних інтегральних схем
Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 18.04.2014 |
| Размер файла | 52,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УКРАЇНИ
Харківський Національний Технічний Університет Радіолектроніки
Кафедра МЕПП
ЗВІТ
з лабораторної роботи на тему:
“Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних ІС з курсу: “Основи мікроелектроніки”
Харків 2003
Мета роботи: Вивчення топології особливостей конструкцій і властивостей ризисторів, конденсаторів, напівпровідникових ІС. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів напівпровідникових ІС різного ступення інтеграції та дослідження особливостей їх єлектричних характеристик.
Опис лабораторної установки:
В лабораторну установку входять:
* комплекти зі зразками гібридних ІС зі вскритими кришками кор-пусів для вивчення топології та лабораторний макет з комплектом ІС для вимірювання електричних параметрів елементів мікросхем;
* мікроскоп МБС-9 з вимірювальним окуляром для візуального вив-чення топології ІС та оцінки геометричних розмірів досліджуваних еле-ментів;
* осцилограф та генератор типу С1-112;
* мультиметр типу ВР-11А;
* планшети зі схемами електричними принциповими і фотографіями топології ІС.
За допомогою вказаних приладів та обладнання проводимо вимірю-вання і дослідження електричних параметрів елементів гібридно-плівкових ІС.
Виконання роботи
1 Вимірюємо геометричні розміри областей вказанних єлементів ІС.
Кристал:l=1.344мм d=1.344;
колекторна обл.140*75мкм, базова 98*70мкм, емiтерна 28*42мкм.
напівпровідниковий інтегральний схема транзистор
Рисунок 1 Топология транзистора
2. Дослідження напівпроводникового резистора
l=196 мкм,d=70 мкм.
|
А1 |
А2 |
А3 |
||
|
R1, Ом |
579 |
542 |
504 |
|
|
R2, Ом |
1620 |
1580 |
1430 |
|
|
R3, Ом |
16000 |
15980 |
14710 |
f=100кГц А=0,6В
f=250кГц А=0,4В
Скаб=18пФ; R=9.1 кОм
3 Дослідження дифузіонного конденсатора
С=65пФ; Спров=20пФ; Ср=1300пФ
4 Визначення паразитні параметри плівкових провідників напівпровідникових ІС
д=3,8; S=0.0013cм2 ; d=7*10-5;
d- товщина оксидного шару.
5 Дослідження інтегрального біполярного транзистора
Iб=4,3мА; Iкі=11,8мА; Uкн=0,87В; IKmin=0.9mA; UКЕ=0,2В
Uобщ=IкнRвх
Uобщ=UКЕ=(кТ/q)m ln(1/)
Rхх=Uобщ/Iкн=73,7 Ом
Передаточні характеристики транзистора
Iб=0,62µA
|
Uвих |
2.09 |
2 |
1.75 |
1.2 |
1 |
0.5 |
0 |
|
|
Uвх |
4.9 |
2.8 |
2.5 |
2 |
1.5 |
1 |
0.54 |
Iб=0.85µА
|
Uвих |
3.1 |
2.75 |
2.5 |
2 |
1.5 |
0.5 |
0 |
|
|
Uвх |
4.9 |
3.5 |
3 |
2.5 |
1.8 |
0.8 |
0.42 |
Рисунок 2 Передаточнi характеристики транзистора при рiзних токах бази.
Висновок: в ході лабораторної роботи ми провели дослідження напівпровідникових ІС, зняли залежності їх параметрів від різних факторів.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.
курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.
курсовая работа [2,9 M], добавлен 05.01.2014Роль прискорених випробувань в визначенні надійності інтегральних схем, головні причини та механізми відмов. Визначення інтенсивності відмов інтегральної системи, ймовірності безвідмовної роботи, середнього і гамма-відсоткового часу напрацювання.
курсовая работа [442,3 K], добавлен 28.02.2014Призначення підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Методика розрахунку параметрів та кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів. Особливості лінійних електронних осциляторних схем, активні RC–фільтри нижніх частот и RC–генератори.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 31.07.2010Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Особливості підстлювачів з загальною базою, загальним колектором. Порівняльний аналіз каскадів підсилення. Оцінка та режими роботи схем СЕ, СБ, СК. Використання уніполярних і біполярних транзисторів, переваги. Трансформаторні та безтрансформаторні схеми.
реферат [77,4 K], добавлен 30.01.2010Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.
курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.
курсовая работа [5,5 M], добавлен 09.04.2010Аналіз логічного ланцюга, представлення інтерпретацій і значення функцій, що реалізується ним. Побудова таблиці істинності, що демонструє роботу ланцюга. Технічна реалізація комбінаційної схеми з використанням стандартних інтегральних мікросхем.
курсовая работа [465,6 K], добавлен 27.03.2014
