Дослідження структурно-функціональних елементів біполярних інтегральних схем

Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Основи мікроелектроніки
Вид лабораторная работа
Язык украинский
Прислал(а) veronika-lapo4ka
Дата добавления 18.04.2014
Размер файла 52,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Розрахунок і розробка топології і конструкції функціональних вузлів радіоелектронної апаратури (РЕА) у виді гібридних інтегральних схем (ГІС) і мікро збірок (МЗБ). Визначення розмірів плати. Вибір матеріалу, розрахунок товстоплівкових резисторів.

    курсовая работа [571,9 K], добавлен 27.11.2010

  • Особливості виготовлення інтегральних схем за планарною технологією. Аналіз методів розділення пластин та підкладок. Розгляд схеми установки скрайбування алмазним різцем. Знайомство зі способами визначення похибки орієнтації напівпровідникових пластин.

    курсовая работа [2,9 M], добавлен 05.01.2014

  • Роль прискорених випробувань в визначенні надійності інтегральних схем, головні причини та механізми відмов. Визначення інтенсивності відмов інтегральної системи, ймовірності безвідмовної роботи, середнього і гамма-відсоткового часу напрацювання.

    курсовая работа [442,3 K], добавлен 28.02.2014

  • Призначення підсилювальних каскадів на біполярних транзисторах. Методика розрахунку параметрів та кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів. Особливості лінійних електронних осциляторних схем, активні RC–фільтри нижніх частот и RC–генератори.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 31.07.2010

  • Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі

    контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011

  • Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.

    методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010

  • Особливості підстлювачів з загальною базою, загальним колектором. Порівняльний аналіз каскадів підсилення. Оцінка та режими роботи схем СЕ, СБ, СК. Використання уніполярних і біполярних транзисторів, переваги. Трансформаторні та безтрансформаторні схеми.

    реферат [77,4 K], добавлен 30.01.2010

  • Теоретичний аналіз існуючих технологій гібридних інтегральних мікросхем, особливості їх конструювання, позначення параметрів, вибір матеріалів, переваги і недоліки, технології виробництва. Розробка комутаційної схеми, розрахунок елементів мікросхеми.

    курсовая работа [1004,7 K], добавлен 18.09.2010

  • Захист інтегральних напівпровідникових та гібридних мікросхем, основні види та призначення процесу герметизації. Суть корпусної та безкорпусної герметизації, особливості та характеристика методів її виконання, їх порівняльний аналіз, переваги і недоліки.

    курсовая работа [5,5 M], добавлен 09.04.2010

  • Аналіз логічного ланцюга, представлення інтерпретацій і значення функцій, що реалізується ним. Побудова таблиці істинності, що демонструє роботу ланцюга. Технічна реалізація комбінаційної схеми з використанням стандартних інтегральних мікросхем.

    курсовая работа [465,6 K], добавлен 27.03.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.