Исследование методов адаптации технологии изготовления микросхемы КP1446ХК1 в процессе перехода с производственной линии 100 мм на линию 150 мм

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Министерство образования и науки Российской Федерации

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИЭТ» ФАКУЛЬТЕТ ЭЛЕКТРОННЫХ И КОМПЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ КАФЕДРА Интегральной электроники и микросистем

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

К ДИПЛОМНОМУ ПРОЕКТУ

НА ТЕМУ: «Исследование методов адаптации технологии изготовления микросхемы КP1446ХК1 в процессе перехода с производственной линии 100 мм на линию 150 мм»

Дипломник Смирнов И.Б.

Руководитель проекта Романов А.А.

2012 г.

Содержание

• Введение
• Глава 1. Обзор
• 1.1 Современный подход к применению приборно-технологического моделирования маршрутов изготовления СБИС в среде TCAD
• 1.2 Спектр задач, которые можно решать приборно-технологическим моделированием маршрутов изготовления СБИС
• 1.3 Модели активных и пассивных элементов
• 1.4 Перечень параметров моделей, процедура верификации моделей
• 1.5 Подбор параметров моделей элементов СБИС для производственной линии изготовления СБИС
• Выводы
• Глава 2. Конструктивно-технологический вариант устройства. Технологический маршрут. Тестовые структуры и их параметры
• 2.1 Параметры микросхемы КP1446ХК1
• 2.2 Технологический маршрут изготовления изделия на производственной линии 100мм
• 2.3 Технологический маршрут изготовления изделия на производственной линии 150мм
• 2.4 Эскизный маршрут создания микросхемы. Отличительные особенности создания микросхемы на линии 100 мм и 150 мм
• 2.5 Тестовые структуры и их параметры
• 2.5.1 Состав теста
• 2.5.2 Описание тестовых структур
• Выводы
• Глава 3. Применение средств приборно-технического моделирования для анализа партий микросхемы КР1446ХК1
• 3.1 Предлагаемые значения технологических параметров при переводе изделия кода 452 на линейку 150 мм
• 3.2 Анализ партии №1
• 3.2.1 Выборочный контроль партии №1
• 3.2.2 Оценка результатов выборочного контроля и рекомендации по устранению отмеченных отклонений
• 3.3 Анализ партии №2
• 3.3.1 Выборочный контроль партии №2
• Выводы
• Глава 4. Обеспечение производственно-экологической безопасности на участке химической обработки пластин кремния
• Введение
• 4.1 Производственная безопасность
• 4.1.1 Физические факторы
• 4.1.2 Химические факторы
• 4.1.3 Психофизиологические факторы
• 4.1.4 Разработка защитных мероприятий, выбор средств защиты работающих от опасных и вредных факторов на производстве
• 4.2 Экологическая безопасность
• 4.3. Инженерный расчет
• Выводы
• Глава 5. Экономическое обоснование целесообразности ввода нового оборудования для операции ионного легирования на производственной линии 150 мм
• Введение
• 5.1 Аналитический обзор
• 5.2 Практическая часть
• 5.2.1 Расчет себестоимости обработки пластин кремния на производственных линиях 100 мм и 150 мм
• 5.2.2 Расчет показателей экономической эффективности
• Выводы
• Заключение
• Список используемой литературы
• Приложение
• Введение
• Важнейшими качественными характеристиками каждого производства являются выход годных и увеличение количества выпускаемой продукции, а, следовательно, основной задачей производителя является повышение этих показателей. В условиях растущей конкуренции во всех сферах производства, эти характеристики становятся основными целями, к которой стремится каждый производитель, разработка способов по повышению этих показателей становится важнейшим направлением научно-технической деятельности.
• В полупроводниковом производстве выход годных и количество выпускаемой продукции также являются важнейшими качественными показателями. Специфика производства интегральных схем заключается в высокой точности и наукоемкости, оно содержит множество сложных технологических операций, которые нуждаются в постоянном контроле. Для того что бы увеличивать количество выхода годной продукции и повышать ее качество, необходимо своевременно использовать новинки научно-технического прогресса, а так же выявлять причины брака и сбоя в технологических процессах для принятия правильных решений по их устранению. В этих целях нужно подбирать способы для анализа данных причин, учитывающих специфику продукции. Одним из таких способов является своевременный переход технологического процесса изготовления микросхем на более новую, технически продуманную и усовершенствованную производственную линию. В данной работе мы рассмотрим методы адаптации технологии изготовления микросхемы КР1446ХК1 в процессе перехода к производственной линии 150 мм.
• Цель
• Целью дипломного проекта является разработка процедуры адаптации технологии изготовления микросхемы КP1446ХК1 в процессе перехода с производственной линии 100 мм на линию 150 мм.
• Для достижения поставленной цели нужно выполнить следующие задачи:
• 1) Описать конструктивно-технологические варианты исполнения микросхемы КP1446ХК1 с учетом всех ее характеристик на производственных линиях 100 мм и 150 мм.
• 2) Провести анализ экспериментальных партий микросхемы КP1446ХК1 и достичь идентичности выходных параметров технологического процесса (пороговые напряжения транзисторов N- и Р-типа проводимости с различной длиной канала - 30 мкм и 2 мкм, значения поверхностного сопротивления сs N+ слоя и Р+ слоя, глубины залегания Xj) на производственной линии 150 мм.
• 3) Дать анализ производственной и экологической безопасности, провести подсчет экономических показателей, сделать вывод о целесообразности нового производства на линейке 150 мм.
• моделирование маршрут микросхема
• Глава 1. Обзор
• 1.1 Современный подход к применению приборно-технологического моделирования маршрутов изготовления СБИС в среде TCAD.
• С первых лет существования полупроводниковой интегральной электроники ее развитие всегда шло в направлении создания микросхем более быстрых, более надежных, с большей степенью интеграции при меньшей стоимости. Экспоненциальный рост технологических, производственных и стоимостных показателей приводил к расширению рынка и увеличению прибыли, которая, в свою очередь, позволяла увеличивать инвестиции в научные исследования, проектирование и производство. Вложенные инвестиции приносили плоды в виде новых технологических, производственных и стоимостных улучшений. Одним из ключевых моментов в развитии микроэлектронной промышленности стал переход в производстве от заводов с традиционной архитектурой чистых помещений к заводам с миниатмосферами и кластерным оборудованием. Все это позволило перейти на практике к реализации идеи интеграции технологических процессов, обеспечивающей качественно новый уровень контроля загрязненности пластин и, соответственно, повышение выхода годных . Высокая степень интеграции не только элементов на кристалле, но и технологических процессов в производстве стала характерным явлением в микроэлектронике последних лет и способствовала ее дальнейшему бурному развитию.
• Прогресс в микроэлектронике во многом определил характерные черты развития цивилизации во второй половине двадцатого века и в новом тысячелетии. К таким революционным изменениям следует отнести освоение космического пространства, развитие атомной энергетики, вычислительной техники, а в последние годы, безусловно, развитие телекоммуникации и информационных технологий, коренным образом изменившие не только отдельные наукоемкие сферы деятельности человека, но и весь уклад и стиль жизни человеческого сообщества.
• XXI век ознаменован появлением нового научно-технического направления, основанного, как и микроэлектроника, на кремниевой технологии, но использующего кроме планарных свойств объемные конструкционные свойства кремниевых элементов. Это направление получило название «микросистемная техника»; оно характеризуется повышенной сложностью создаваемых устройств и механизмов, а также возможностью реализации на одном кристалле исполнительного механизма и схемы его управления. Развитие этого направления потребовало, наряду с решением многих противоречивых технических и технологических проблем, разработки новых подходов к проектированию сложных интеллектуальных устройств микросистемной техники. Изделия микросистемной техники находят широкое применение в таких областях, как автомобильный и железнодорожный транспорт, промышленная автоматика, биотехнология, медицина, ядерная энергетика, химическая промышленность, военная техника.
• Автоматизация управления микроэлектронным производством XXI века основывается на работе с моделями и базами данных и требует выполнения следующих условий:
• наличие полностью интегрированной в реальном масштабе времени базы данных, позволяющей выделять данные для детального анализа и сжимать и суммировать данные для представления на более высоком уровне. Эта база данных должна быть связана с гибкой средой моделирования и способна управлять ею.
• система моделирования должна быть способна работать с моделями разных типов и разных уровней детализации;
• - результаты моделирования являются необходимой частью информации при принятии решений, включая оперативное управление, краткосрочное планирование, анализ бизнеса и стратегий развития.
• Таким образом, система научных знаний и прикладных программных инструментов, позволяющая осуществлять полномасштабное и взаимосвязанное моделирование технологических процессов и приборов, является одной из основ не только в проектировании, но и в производстве интегральных схем и представляет собой связующий фундамент, без которого создание и разработка современных микроэлектронных изделий просто невозможна.
• Средства приборно-технологического моделирования, используемые в качестве инструмента проектирования, представляют собой целый комплекс программных модулей, объединенных между собой в единое целое и решающих следующие задачи:

моделирование отдельных технологических операций, расчет профилей распределения примеси, толщин и электрофизических параметров слоев;

расчет структуры, получаемой в результате последовательности технологических операций - технологического маршрута;

расчет на основе численного моделирования электрических и других характеристик полупроводниковых структур;

экстракцию схемотехнических параметров прибора по его электрическим характеристикам, расчет фрагментов схем;

планирование эксперимента, расчет результатов моделирования «виртуальной партии» пластин, «проходящей» по базовому технологическому маршруту с расщеплением входных параметров;

- оптимизацию параметров технологических операций, технологического маршрута,
размеров элементов с целью получения заданных характеристик изделия.

Поскольку в основе используемых моделей лежит фундаментальная система уравнений, такой инструмент проектирования носит универсальный характер. Ограничения, связанные с предоставляемой пользователю базой данных, включающей характеристики материалов, примесей, параметров используемых моделей, могут быть, как правило, сняты с помощью специальных средств пользовательского интерфейса. Однако универсальность такого программного инструмента в целом содержит в себе ряд

«подводных камней», т.к. его эффективное использование в силу целого ряда причин всегда требует проведения объемных предварительных исследований, даже при высокой квалификации пользователя.

Совершенствование изделий может идти по линии совершенствования рабочих характеристик или по линии совершенствования технико-экономических показателей. Если улучшение рабочих характеристик достигается за счет совершенствования приборных структур и технологических процессов их изготовления, использование приборно-технологического моделирования является обязательным условием целенаправленной работы. В случае усовершенствований, затрагивающих только схемотехнический и (или) логический уровни, возможно использование приборно-технологического моделирования для численного анализа шумов в подложке, токов утечки, паразитных эффектов, определяемых размещением логических элементов на кристалле в целом.

Среди технико-экономических показателей одним из основных является выход годных кристаллов. Хотя анализ причин брака не является главной целью приборно-технологического моделирования, программные средства ПТМ, как правило, позволяют проводить статистический анализ, строить поверхности отклика для исследуемых характеристик, определять допуски на разброс технологических параметров. Все это позволяет эффективно использовать приборно-технологическое моделирование и при совершенствовании технико-экономических показателей.

Решение целого ряда задач опирается на комплексный анализ, требующий объединения моделирования на технологическом, приборном и схемотехническом уровнях. Сюда относятся:

численный анализ конструктивно-технологических узлов и приборных структур при разработке проектных норм и библиотечных элементов;

разработка базового технологического маршрута с заданными проектными нормами;

- исследование влияния разброса технологических параметров на характеристики
интегрального элемента;

- исследование влияния вертикальных и латеральных размеров конструктивных элементов на приборные характеристики;

оптимизация конструкции интегрального элемента по заданным схемотехническим характеристикам;

расчет вольтамперных характеристик и экстракция схемотехнических параметров по расчетным характеристикам;

численный анализ фрагмента схемы, включающего проектируемую интегральную структуру;

анализ устойчивости схемотехнических параметров к технологическому разбросу;

планирование «виртуального» эксперимента, моделирование результатов прохождения партии по «виртуальному маршруту», в том числе по маршруту с расщеплением;

1.2 Спектр задач, которые можно решать приборно-технологическим моделированием маршрутов изготовления СБИС

Средства приборно-технологического моделирования, используемые в качестве инструмента проектирования, представляют собой целый комплекс программных модулей, объединенных между собой в единое целое и решающих следующие задачи:

- моделирование отдельных технологических операций, расчет профилей распределения примеси, толщин и электрофизических параметров слоев;

расчет структуры, получаемой в результате последовательности технологических операций - технологического маршрута;

расчет на основе численного моделирования электрических и других характеристик полупроводниковых структур;

экстракцию схемотехнических параметров прибора по его электрическим характеристикам, расчет фрагментов схем;

планирование эксперимента, расчет результатов моделирования «виртуальной партии» пластин, «проходящей» по базовому технологическому маршруту с расщеплением входных параметров;

- оптимизацию параметров технологических операций, технологического маршрута, размеров элементов с целью получения заданных характеристик изделия.

Поскольку в основе используемых моделей лежит фундаментальная система уравнений, такой инструмент проектирования носит универсальный характер. Ограничения, связанные с предоставляемой пользователю базой данных, включающей характеристики материалов, примесей, параметров используемых моделей, могут быть, как правило, сняты с помощью специальных средств пользовательского интерфейса. Однако универсальность такого программного инструмента в целом содержит в себе ряд «подводных камней», т.к. его эффективное использование в силу целого ряда причин всегда требует проведения объемных предварительных исследований, даже при высокой квалификации пользователя.

Во-первых, большое количество программных модулей и связующих программ редактирования сетки и структур и преобразования форматов данных представляет определенную сложность и требует достаточно большой работы по выстраиванию маршрута моделирования, определения используемых модулей, последовательности и процедур перехода.

Во-вторых, в рамках каждого программного модуля постановка задачи численного моделирования, определяемая пользователем, должна быть сформулирована с учетом целого ряда требований, часто противоречащих друг другу. Максимальная общность в постановке задачи скорее всего сделает ее нерешаемой не только из-за колоссальных затрат машинного времени, но и из-за проблем со сходимостью численных методов решения. Необходимость введения иерархичности в построении численной модели, отмеченная В. Фичтнером еще в 1983 г. - только один из способов решения этой проблемы.

В-третьих, учет специфики каждого объекта исследований и особенностей внешних воздействий является определяющим и трудоемким этапом в процессе решения. На данном этапе закладывается тот набор моделей и эффектов, которые должны учитываться в процессе моделирования. Здесь требуется глубокое понимание физических особенностей данного прибора или процесса, определенное научное предвидение его поведения под воздействием различных факторов. Необходимо также достаточно четко выделять группы критичных факторов, влияние которых будет определяющим, и отсеивать второстепенные детали. На этом этапе часто требуется проведение определенных оценочных расчетов, позволяющих конкретизировать важность того или иного эффекта.

В-четвертых, очень важным является вопрос о численных значениях параметров, входящих в используемые модели. Выбор «по умолчанию», разумеется, не всегда является уместным и самым лучшим, несмотря на продуманность и обоснованность вариантов, предлагаемых разработчиками программ. Однако корректировка численных значений должна сопровождаться обязательной проверкой на основе достоверных экспериментальных данных. Кроме того, в каждой области имеются свои особенности встраивания приборно-технологического моделирования в общий процесс проектирования.

Так, в области проектирования силовой электроники значительный рост выпускаемых изделий в последние годы сопровождается, из-за несогласованности между схемотехниками и производителями силовых приборов, выходом на рынок большого числа проектов, не оптимизированных с точки зрения требуемых конечным потребителем электрических характеристик и надежности. Оптимизация на системном и на приборном уровне в настоящее время сопровождается большими стоимостными и временными издержками, включает проверку ряда параметров и экспериментальное определение наилучшего по характеристикам и стоимости изделия. Поэтому должна использоваться методология проектирования, которая позволяет уже на приборном уровне включать в проектную спецификацию требования, учитывающие область применения изделия.

Для силовых схем знание динамики внутренних зарядов в структуре прибора очень важно для анализа характеристик в условиях внешних стрессовых воздействий. Программы схемотехнического анализа, используемые в проектировании мощных ИС, нуждаются в компактной модели для силовых приборов. Разработка такой модели является непростой задачей из-за сложной структуры самих приборов, а также из-за больших различий в моделях большого и малого сигналов. Кроме того, должны учитываться паразитные индуктивности и емкости, эффекты саморазогрева и перераспределения тепла.

Методология такой оптимизации должна обязательно включать двух- и трехмерное приборно-технологическое моделирование с граничными условия для прибора, накладываемыми соседними элементами в схеме. Прибор, оптимальный с точки зрения планируемой области применения, может быть спроектирован только в результате учета взаимосвязи процессных, приборных и схемотехнических характеристик, а также надежностных параметров. Все это требует специально разработанного подхода к использованию системы приборно-технологического моделирования для силовых приборов.

Другим примером специфичной области в проектировании может служить создание радиационно-стойких схем. Требование радиационной стойкости является критичным для космических систем и изделий военного назначения. Технологический прогресс в области создания глубоко субмикронных транзисторных структур типа кремний-на-изоляторе открывает широкие перспективы перед разработчиками малых спутниковых систем для околоземных наблюдений, как коммерческих, так и научных, а также для исследований глубокого космического пространства. Замечательный набор свойств, таких как низкая потребляемая мощность, высокая степень интеграции, малый занимаемый легкий вес, высокое быстродействие делает технологию кремний-на-изоляторе востребованной и в коммерческой микроэлектронике. Тонкопленочные транзисторные структуры КНИ-типа имеют ряд отличительных физических особенностей, также как и сама КНИ-технология существенно отличается от объемных технологий. Необходимым условием при моделировании таких структур является всесторонний учет физических свойств пленки кремния, влияния верхней и нижней границ раздела, изменения свойств материалов под воздействием радиации, т.е. процесс изменения физических свойств материалов должен быть встроен в расчет приборных характеристик. Методология использования программного аппарата приборно-технологического моделирования в этом случае будет, разумеется, иметь свою специфику.

Объединенного приборно-технологического и схемотехнического подхода требует задача проектирования схем смешанного сигнала и систем на кристалле с учетом влияния шумов в подложке. С тех пор, как прогресс в области технологии СБИС сделал возможным реализацию систем-на-кристалле, проблема шумов в подложке вышла на первый план. Такие системы объединяют, как правило, сложные высокоскоростные цифровые схемы и высокочувствительные аналоговые блоки в рамках одного кристалла, при этом помехи, производимые цифровой частью могут оказывать существенно влияние на работоспособность чувствительных аналоговых компонент. Именно эта проблема является лимитирующей в проектировании систем-на-кристалле и схем смешанного сигнала с точки зрения повышения одновременно тактовой частоты и достижения высокой аналоговой точности.

Быстрое переключение цифровых компонент может создавать шумы переключения, воздействующие на другие блоки системы-на-кристалле через прямую емкостную связь, существующую между линиями разводки или непосредственно через подложку. Для реализации оптимальных по площади и расположению активных блоков, шин и внешних выводов аналогово-цифровых систем необходимо уметь оценивать величину шумов в подложке на стадии проектирования, а не только по факту экспериментального исследования уже готовых образцов. Эта задача может быть решена путем численного расчета фрагментов схем и двумерных сечений подложки, включающих активно генерирующие шумы приборные компоненты, с помощью средств приборно-технологического моделирования.

Таким образом, мы имеем, с одной стороны, многообразие возможностей приборно-технологического моделирования как универсального инструмента, позволяющего решать целый ряд проблем проектирования - от выбора параметров отдельных операций до комплексного расчета характеристик прибора в обрамлении элементов схемы. С другой стороны, имеется ряд причин, снижающих эффективность методов приборно-технологического моделирования при проектировании микроэлектронных и микросистемных устройств. К таким причинам относятся:

большое количество используемых программных модулей;

разнообразие типов моделируемых структур, их специфика и критичные элементы;

- особенности численных методов моделирования, необходимость разделения решаемой проблемы на подзадачи, использование иерархического подхода в построении численной модели;

- необходимость калибровки моделей.

Разработан ряд конкретных примеров моделирования приборов и встраивания методик использования приборно-технологического моделирования в процесс проектирования, т.е. решено большое количество частных задач.

1.3 Модели активных и пассивных элементов

В современных интегральных микросхемах можно выделить следующие типы конструктивно-технологических узлов:

активные элементы;

пассивные элементы;

транзисторные структуры;

области изоляции;

-специализированные узлы (структуры электростатической защиты, оптоэлектронные преобразователи и др.)

Транзисторные структуры представляют собой тип конструктивно-технологического узла, характеризующийся наибольшим многообразием вариантов. Основным элементом массово выпускаемых изделий является микроминиатюризованный МОП- транзистор, длина затвора которого за последние 30 лет уменьшилась в 200 раз.

Наиболее распространенной конструкцией МОП-транзистора является LDD (Lightly Doped Drain) транзистор. Его основная особенность - наличие мелких слаболегированных областей, которые удлиняют области истока и стока в сторону канала. Концентрацию примеси в этих областях выбирают таким образом, чтобы получился плавный р-n переход. В результате уменьшаются эффекты «горячих» носителей, повышается напряжение прокола, инжекционного и лавинного пробоя, уменьшаются вызываемые напряжением на стоке эффекты снижения барьера и модуляции длины канала. По такой технологии изготавливаются комплиментарные пары n- и р-канальных транзисторов (рисунок 1.1).

Рис. 1.1 Комплиментарная пара МОП-транзисторов со структурой LDD

Структуры кремний-на-изоляторе (рисунок 1.2) отличаются высокой радиационной стойкостью и повышенной надежностью, малыми паразитными емкостями на подложку, что делает их весьма перспективными для создания микромощных высокоскоростных СБИС. В таких тонкопленочных транзисторах одной из проблем является высокое последовательное сопротивление областей истока и стока. Для его уменьшения используют самосовмещенный силицидный процесс, однако, если толщина пленки кремния менее 20 нм, то этот слой может быть полностью поглощен силицидом, что нежелательно. Для решения этой проблемы может использоваться эпитаксиальное наращивание пленки кремния над областями истока и стока.

Рис. 1.2 КНИ-структура с длиной канала 0,28 мкм.

Наряду с базовыми МОП-транзисторными элементами используются биполярные транзисторные структуры и биполярные транзисторы, встроенные в КМОП-процесс (БиКМОП биполярные транзисторы). Биполярные транзисторы являлись основным элементом первых ИС. Хотя они и были во многом вытеснены МОП - транзисторами, но сохранили свои позиции в быстродействующих схемах. Стандартная структура биполярного транзистора представлена на рисунке 1.3.

Рис. 1.3 Стандартная структура биполярного транзистора.

В целом, конструктивно-технологические узлы, формирующие активные транзисторные структуры, представляют собой сложные системы. В процессе проектирования их, как правило, приходится разбивать на более мелкие части - модули. Так, даже в сверхминиатюрном субмикронном МОП - транзисторе выделяют затворный модуль, модуль расширения стоковых областей, модуль истока/стока. Каждый такой модуль имеет свои особенности формирования конструктивных слоев и распределений примеси, выбора материалов проводящих и диэлектрических покрытий. Широкий ряд транзисторных структур основан на использовании в качестве материала активных областей твердого раствора элементов или соединений, например, кремний-германий Si_yGei._y или арсенид алюминия - арсенид галлия Al_yGai._yAs и гетероструктур.

Пассивные элементы - это резисторы и конденсаторы, сформированные в различных слоях. Примеры приведены на рисунках 1.4, 1.5. Важную роль могут играть также пинч - резисторы, встроенные в конструкцию мощных МОП-транзисторов.

Рис. 1.4 Резистор на основе базовой области.

Рис. 1.5 МОП-емкость в БиКМОП-процессе на основе глубокого п⁺-слоя

1.4 Перечень параметров моделей, процедура верификации моделей

Процесс проектирования в каждой области интегральной микроэлектроники имеет определенные характерные черты, связанные со спецификой решаемых задач, особенностями проектируемых изделий, конструктивно-технологическими возможностями реализации того или иного проектного решения. Конечно, основной круг задач, решаемых с помощью средств приборно-технологического моделирования, остается неизменным и представляет собой сущность той работы, для которой эти средства предназначены. К таким задачам мы относим моделирование отдельных технологических операций и технологических маршрутов, расчет приборных характеристик, определение схемотехнических параметров транзисторных структур, выбор параметров технологических операций под заданное конструктивно-технологическое решение, или с целью достижения заданных электрических и схемотехнических параметров, оптимизацию технологического процесса по критериям воспроизводимости приборных и схемотехнических характеристик, качества, надежности, технологичности выпускаемого изделия. Универсальный характер программных средств, входящих в системы приборно-технологического моделирования позволяет успешно решать эти, а также ряд других задач.

Тем не менее, в каждом конкретном случае пользователь, работающий со средой приборно-технологического моделирования, сталкивается со специфическими требованиями, ограничениями и условиями применения программных продуктов, которые заставляют его каждый раз искать новые подходы к скорейшему решению поставленных перед ним задач. С другой стороны, процесс приборно-технологического моделирования в значительной степени привязан к конкретным условиям производства. Необходимость такой привязки вытекает из особенностей используемых моделей, часть параметров которых нуждается в калибровке под определенные единицы оборудования, качество и характеристики используемых материалов, особенности технологического процесса. Только при этих условиях результаты моделирования будут обладать достаточной степенью достоверности, и их можно будет использовать в качестве основы при определении прогнозируемого поведения характеристик элементов интегральных схем.

Таким образом, кроме общей программной среды приборно-технологического моделирования универсального характера и входящих в нее баз данных, всегда есть уже накопленная информация, относящаяся к данному уровню технологии, конкретному варианту базового технологического маршрута, конкретному набору единиц технологического оборудования, ранее изготовленным образцам. Такая информация, если она надлежащим образом организована, доступна и своевременно обновляется, всегда может оперативно использоваться конкретным разработчиком или группой пользователей при настройке моделей, используемых в данном проекте, а также как базовый вариант при переходе на новые проектные нормы или новую технологию.

Кроме количественной информации, позволяющей настроить программную среду на моделируемый объект и тем самым получить наиболее точное решение, существует важный фактор, во многом определяющий правильность постановки «виртуального эксперимента» и его трудоемкость. Таким важным фактором является практический опыт пользователя, который помогает быстро выделить «узкие» места в процессе моделирования, грамотно оценивать промежуточные результаты, находить решения возникающих проблем, например, проблем со сходимостью численного решения или слишком длительным процессом вычислений для какого-либо объекта. В целом, опыт пользователя является субъективным фактором, от которого зависит эффективность применения такого инструмента проектирования, как системы приборно-технологического моделирования. Данный субъективный фактор может оказывать и негативное влияние на процесс проектирования, в случае недостаточности или отсутствия необходимого опыта, поэтому важным условием успешной работы в области приборно-технологического моделирования является компенсация возможного негативного влияния субъективных факторов за счет методологической проработки и обобщения накопленного опыта.

С этой точки зрения, рассмотрим возможные причины, от которых зависит эффективность практического использования систем приборно-технологического моделирования. Эффективность в данном случае может оцениваться по двум основным показателям:

по точности полученного решения,

по трудоемкости его получения.

Хотя эти показатели, как правило, являются противодействующими, и окончательный результат представляет собой некоторый компромисс между точностью и трудоемкостью, можно выделить ряд факторов, определяющих качество процесса моделирования в целом. Сюда относятся, во-первых, факторы, связанные собственно с программным обеспечением:

- наличие большого набора специализированных программ, объединенных общим интерфейсом;

- возможность объединения разнородных программ в процессе моделирования через общие массивы численных переменных;

- наличие программ и алгоритмов эффективного перестроения и адаптации сетки в процессе моделирования;

наличие разработанного интерфейса, позволяющего пользователю расширять набор доступных моделей и/или параметров;

Во-вторых, важную роль играет полнота и степень подготовленности входной информации, включая

характеристики материалов, используемых в качестве конструктивных слоев;

характеристики оборудования, используемого в технологическом процессе;

-точное описание конструктивных характеристик моделируемого прибора;

диапазон допустимого изменения входных параметров в процессе оптимизации технологии/конструкции прибора и значения целевых функций.

Наконец, в-третьих, необходимо учитывать критерии, определяющие методологическую проработанность самого процесса моделирования, а именно:

- наличие четко выделенной последовательности действий, направленных на решение поставленной задачи;

наличие процедур обработки промежуточных результатов, позволяющих в случае необходимости максимально быстро принимать решения по корректировке процесса моделирования;

наличие методик выполнения каждого этапа моделирования.

Методология эффективного использования приборно-технологического моделирования в процессе проектирования микроэлектронных изделий включает в качестве обязательных элементов рассмотренные ранее этапы анализа специфики объекта моделирования и выбора программных средств, анализа размерности задачи и распараллеливания вычислений, выделения критичных элементов и разработки маршрута моделирования. Распределение работ по выполнению перечисленных задач должно строиться на объединении во времени элементов разных этапов с тем, чтобы обеспечить максимально быстрое продвижение к решению. Разработанная методология эффективного использования ПТМ базируется на следующем алгоритме организации процесса моделирования (рисунок 1.6).

На первом этапе необходимо провести анализ объекта с точки зрения возможного разделения задачи и маршрута моделирования на независимые части без потери общности. Далее процесс моделирования можно рассматривать для каждой такой подзадачи или части отдельно. На этом этапе требуется выделить специфику объекта и определить укрупненную структуру маршрута моделирования с расстановкой по всему маршруту предполагаемых к использованию программных продуктов.

Следующий этап связан с выбором перечня моделей, необходимых и достаточных для полного описания задействованных технологических операций и приборных характеристик. Важным элементом входной информации здесь является полный перечень доступных по задействованным программным единицам моделей, на основании которого делается выборка требуемого набора.

Третий этап - это установка значений параметров, используемых в моделях. Для его успешного выполнения требуется проведение исследований, связанных с предварительной калибровкой параметров. Особенно это относится к моделям технологических операций, привязанных к конкретному типу технологических установок. На этом этапе задействована также накопленная ранее информация по результатам измерений профилей распределения примеси, электрофизическим параметрам слоев, электрическим характеристикам структур, составляющая основу производственной базы данных. В результате выполнения данного этапа должно быть сформировано полное описание маршрута проектирования (спецификация маршрута). По этой спецификации на четвертом этапе выполняется собственно приборно-технологическое моделирование в соответствии с рабочим заданием на расчет выделенной части (подобласти).

Пятый этап - завершающий, этап анализа полученных результатов и принятия решения об окончании процесса численного моделирования или о проведении дополнительных (повторных) исследований. На этом этапе также определяется часть результатов, которую необходимо сохранить для дальнейшего использования в производственной (пользовательской) базе данных.

Рис. 1.6 Основные этапы решения задач с использованием систем приборио-технологического моделирования.

Организация процесса моделирования в соответствии с предложенной схемой позволяет сократить количество пробных вариантов, долю объемных и очень длительных расчетов, формализовать хотя бы частично процедуры выбора программных средств, моделей и значений параметров, максимально использовать ранее накопленный опыт по моделированию данной технологии или конструкции прибора. Таким образом, на основе разработанного подхода мы можем сделать процесс приборно-технологического моделирования менее трудоемким и, следовательно, более эффективным.

После того, как на первом этапе решения задачи с использованием метода приборно-технологического моделирования (рисунок 1.6) определены варианты маршрута моделирования и программные средства, необходимо выбрать модели, которые будут использованы при расчете технологического процесса и электрофизики работы прибора.

Выбор моделей опирается, в первую очередь, на спецификацию используемых программных продуктов, включающую список встроенных моделей, доступных для пользователя. Во-вторых, к обязательной исходной информации на этапе выбора моделей относится перечень специфических характеристик, определивших выбор программной среды, и критичных элементов, выявленных при разработке маршрута моделирования.

Для этапа технологического моделирования выбор моделей значительно облегчается, если есть возможность использовать базы данных по моделям технологических операций, откалиброванным под конкретное технологическое оборудование. Такие базы данных основываются на большом объеме экспериментальных измерений, и могут разрабатываться поставщиком программного обеспечения по заказу покупателя. В противном случае необходимо опираться на теоретический анализ и литературные данные.

Для приборного моделирования главным фактором являются минимальные размеры элементов в конструкции прибора, параметры сетки для численного анализа. Исследование типовых вариантов маршрутов и приборных структур моделирования позволило сформировать методику выбора моделей, представленную в таблице 1.1

Таблица 1.1

Последовательность действий	Этапы моделирования
	Моделирование технологии	Моделирование приборов
I	Анализ специфики объекта	Типы операций. Типы примеси.	Типы моделируемых характеристик. Свойства материалов. Размеры структуры.
II	Выделение критичных элементов	Сложные профили легирования. Высокотемпературные операции с формированием рельефа. Граничные условия при расчете диффузии примеси.	Элементы минимальных размеров. Характеристики материалов, не входящих в базу данных. Области, критичные при построении сетки.
III	Определение параметров для контроля критичных элементов	Экспериментальные данные. Теоретические сведения. Литературные данные.	Максимально допустимое количество узлов сетки. Литературные и экспериментальные данные. Ограничения физических моделей.
IV	Формирование выборки тестов	Маршруты моделирования для анализа «виртуальных» пластин-спутников	Варианты дискретизации структуры. Оценочные модули для определения сходимости решений. Сравнительные критерии для значений физических параметров.
V	Выбор модели	Оценка зн ачений контрольных параметров, анализ результатов, выбор модели.

1.5 Подбор параметров моделей элементов СБИС для производственной линии изготовления СБИС

Идея проектирования для повышения технологичности (design for manufacturability) состоит в улучшении параметров изделий, уменьшении числа переделок и сокращении времени до появления первых образцов на рынке. Под технологичностью конкретного изделия подразумевается обычно величина, характеризующая эффективность его производства. Наиболее часто эффективность производства СБИС измеряется величиной выхода годных. Таким образом, проектирование для повышения технологичности подразумевает разработку технологического процесса при обеспечении минимальной чувствительности выходных параметров к случайным нарушениям технологии и в конечном итоге направлено на повышение выхода годных.

Методология проектирования для повышения технологичности основывается на использовании программных средств виртуального производства. Реальное производство СБИС осуществляется согласно базовому технологическому маршруту на промышленном оборудовании. В виртуальном производстве роль оборудования выполняют средства машинного моделирования. Каждый эксперимент в рамках виртуального производства значительно дешевле по сравнению с традиционной обработкой пластин. Кроме того, результаты моделирования можно получить в более короткие сроки, чем при «натурном» эксперименте. При этом инженеру предоставлены широкие возможности по детальному исследованию технологического процесса и дальнейшей оптимизации по выходу годных, стоимости, характеристикам изготавливаемых СБИС. Таким образом, «виртуальное производство» объединяет возможности высокоточного приборно-технологического моделирования и объемного статистического исследования, как показано на рисунке 1.7.



Рис. 1.7 Структура и возможности «виртуального производства» для проектирования новых технологий СБИС.

Такой комплексный подход позволяет выполнять проектирование новых маршрутов, нацеленное на повышение технологичности процесса с учетом характеристик конкретных единиц оборудования. Он объединяет приборно-технологическое моделирование, планирование эксперимента и методологию поверхности отклика.

Например, с помощью комбинации планирования эксперимента, метода поверхности отклика, статистической оптимизации и приборно-технологического моделирования можно провести анализ чувствительности выходных параметров СБИС при случайных нарушениях технологии и получить оптимальный ряд технологических параметров (например, дозы и энергии легирования, структурные параметры), которые позволяют достигнуть требуемого значения выходных характеристик прибора/схемы и в то же время обеспечить стабильность технологии. Подобное применение виртуального производства дает возможность существенно сократить сроки проектирования и внедрения новых технологических процессов в производство, а также обеспечивает эффективный прогноз изменений параметров интегральных схем при изменении параметров технологии.

Выводы

Из всего выше написанного следует, что нынешний рынок микроэлектронной продукции постоянно совершенствуется и развивается, и для того, чтобы занимать на нем лидирующие позиции необходимо постоянно использовать новинки и разработки научно-технического прогресса. Одной из таких новинок стала программная продукция под названием TCAD. Она позволяет решать спектр задач, которые стоят перед нынешними инженерами-технологами средствами приборно-технологического моделирования изготовления СБИС. Благодаря этому появилась возможность промоделировать маршрут создания СБИС (или его отдельных элементов) на компьютере, выбрать необходимые значения параметров операций и передать их на производство.

Глава 2. Конструктивно-технологический вариант устройства. Технологический маршрут. Тестовые структуры и их параметры

2.1 Параметры микросхемы КP1446ХК1

В данной работе мы проводим исследование производственных партий конкретного устройства, а именно приемопередатчика по сети переменного тока. В главе 2 будет описываться данный приемопередатчик КР144ХК1, его электрические характеристики, конструкция, функционирование, предназначение, технологические маршруты изготовления данного изделия на производственных линиях 100 мм и 150 мм, а так же тестовые структуры с электрическими параметрами. Будет показан эскизный маршрут создания изделия и выявлены основные операции с параметрами, кардинально отличающие производства изделия на линии 100 мм от линии 150 мм.

Описание устройства:

Микросхема КР1446ХК1 выполняет функцию приема и передачи цифровой информации по сетям переменного тока 110-380В.

Скорость передачи может принимать одно из четырех возможных значений: 124 бит/сек; 248 бит/сек; 496 бит/сек; 992 бит/сек и задается во время программирования приемопередатчика.

В сетевом приемопередатчике (СПП) используется помехозащищенное кодирование цифровой информации для исправления одиночных и обнаружения двойных ошибок, которые могут возникать при передаче из-за помех в сети. Приемопередатчик позволяет использовать уже имеющиеся линии силовой электросети для создания: систем сбора информации, локальных сетей передачи данных, систем централизованного контроля и управления электрооборудованием, систем охраны и сигнализации.

Особенности:

· Использование частотной манипуляции для передачи информации.

· Возможность выбора несущей частоты.

· Программируемая скорость передачи до 992 бит/сек.

· Помехозащищенное кодирование информации: исправление одиночных и обнаружение двойных ошибок.

· Стандартный 22-выводной DIP корпус 2108.22.

Конструкция:

Рис 2.1 Конструкция микросхемы КР1446ХК1

Основные электрические характеристики:

Таблица 2.1

Параметр	Сим- вол	Еди- ница	Значение	Условия
			Мин	Тип	Макс
Напряжение питания	UCC	В	3.0	5.0	5.5	-
Ток потребления в режиме приема	ICCR	мA		7		UCC=5V
Ток потребления в режиме передачи	ICCT	мA		6.2		UCC=5V
Входное напряжение низкого уровня	UIL	В	0	-	0.8	-
Входное напряжение высокого уровня	UIH	В	4.5	-	Ucc	-
Ток утечки на входе	ILIH, ILIL	мкА	-	-	5	UCC=5V
Входная емкость	СI	пФ	-	-	10

Функционирование: Передача информации осуществляется с помощью частотной манипуляции сигнала - “1” и “0” передаются разными частотами, незначительно отличающимися от центральной в большую и меньшую сторону. Частотно манипулированный сигнал через развязывающий трансформатор передается в линию 110 - 380В. Буферный каскад предназначен для согласования высокого выходного сопротивления микросхемы с низким входным сопротивлением лини при передаче сигнала в линию и для фильтрации переменного напряжения 50 Гц при приеме.

Таблица 2.2

Центральная частота	Частота передачи “0”	Частота передачи “1”
66.66 кГц	62.5 кГц	71.43 кГц
100 кГц	95.24 кГц	105.26 кГц
133.33 кГц	129.03 кГц	137.93 кГц

Предназначение:

Микросхема КР1446ХК1 предназначена для использования в системе “умный дом” - это совокупность интеллектуальных систем управления, которые обеспечивают высокую степень автоматизации и слаженную работу всех систем здания. Она позволит оптимально распределить ресурсы, снизить затраты на эксплуатацию и предоставить владельцу возможность полного и максимально удобного контроля над всей техникой в доме.

2.2 Технологический маршрут изготовления изделия на производственной линии 100 мм

Партия 452. Шифр: АТ-20 CPHV DP SM.

Расшифровка: Ангстрем-технология, 2 мкм, КМОП, Р-подложка, рабочее напряжение V3,0V, два уровня поликремния, один уровень металла.

Таблица 2.3

№	Операция	Параметры и режимы
1	Формирование	КДБ-12 ТУ-240
2	Лазерная маркировка
3	Кисти
4	ХО
5	Окисление под знаки	dx=0.12 мкм
6	0 АНФ
7	Контроль 0 ф/к
8	РИТ SiO2	dx=0.12 мкм
9	ПХ зачистка	t=60 сек
10	Травление SiO2	t=15 сек
11	Снятие ф/р	Каро
12	Контроль 0 ф/л	100% косой свет
13	КАРО
14	Анизотропное травление
15	Контроль 0 ф/л
16	Стравливание SiO2
17	Кисти
18	ХО
19	Окисление	dx=0.27 мкм
20	ХО
22	1 АНФ
23	Контроль 1 ф/к (N-карман) ПШ М-121-01 Реставрация (N-пластин)
24	ПХ зачистка	t=2 мин
25	Травление SiO2
26	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
27	Контроль 1 ф/л
28	ХО
29	Окисление под SiN4	dx=360 A
30	Ионное легирование фосфором (карман)	Е=90 кэВ
31	ХО
32	Разгонка кармана	dx=0.30 мкм
33	Контроль параметров
35	Травление SiO2	tтр= (до скатывания +30 сек) (более 7 мин)
36	ХО
37	Окисление под Si3N4	dx=360 A
39	Осаждение Si3N4	dx=0.125 мкм
40	Контроль	100% косой свет
41	SP Контроль толщины Si3N4
42	2 АНФ
43	Контроль 2 ф/к (активные области) ПШ М-121-02 Реставрация (N-пластин)
44	CD Контроль линейного размера
45	РИТ Si3N4
46	ПХ зачистка	t=60 сек
47	Снятие ф/р	Каро
48	Контроль 2 ф/л (активные области)
49	CD контроль линейного размера
50	ХО
51	3 АНФ
52	Контроль 3 ф/к (охрана) ПШ М-121-03 Реставрация (N-пластин)
53	Ионное легирование бором (охрана)	Е=20 кэВ
54	Ионное легирование бором (Р-карман)	Е=100 кэВ
55	ПХ снятие фоторезиста	t=4 мин
56	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
57	ХО
58	Пирогенное окисление	dx=0.9 мкм, С
59	Травление SiO2	tтр=60 сек
60	Травление Si3N4 Контроль dx Контроль	dфон > 0.72 мкм 100% (на дотрав)
61	КАРО
62	Травление SiO2	dфон > 0.67 мкм tтр=реш+10сек < 50с
63	Контроль ф/л “LOCOS”
64	ХО
65	Пирогенное окисление	dx=500 А
66	SP Контроль толщины SiO2
67	Ионное легирование бором (подгонка)	Е=50 кэВ
73	ХО
74	HCL зачистка	dx=500+-20A
75	Осаждение поли-Si	dx=0.42 мкм
76	Контроль поли-Si
77	ХО
78	Диффузия фосфора
79	Снятие ФСС	tтр= (до скат.), HF:H2O 1:10
80	ХО
81	Отжиг	С, dx=50-100 A
Пролеживание не более 30 мин!
82	Осаждение Si3N4	dx=300 A
83	Контроль
84	SP Контроль толщины Si3N4
84а	Окисление Si3N4
85	4 АНФ
86	Контроль 4 ф/к (2-й поли-Si) ПШ М-121-06 Реставрация (N-пластин)
86а	CD Контроль линейного размера
87	Контрольные пластины
88	РИТ поли-Si с Si3N4 сверху
89	ПХ зачистка	t=60 сек
89а	Осв. 1:50	30 сек без сушки
90	Химическое травление SiO2	tтр=реш+10сек < 90с
91	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
92	Контроль 4 ф/л (поли-Si)
93	CD Контроль линейного размера
94	ХО
95	Пирогенное окисление Контроль (tпрол < 4час)	dx=360 A, С
Пролеживание не более 4 часов!
96	Осаждение поли-Si	dx=0.5 мкм
97	Контроль поли-Si
98	ХО
99	Диффузия фосфора
100	Снятие ФСС
101	ХО
102	5 АНФ
103	Контроль 5 ф/к (поли-Si) ПШ М-121-05 Реставрация (N-пластин)
104	CD Контроль линейного размера
104а	Контрольные пластины
105	РИТ поли-Si
106	ПХ зачистка	t=60 сек
106а	Осв. 1:50	30 сек без сушки
107	Химическое травление SiO2	tтр=реш+10сек < 90с
108	КАРО
109	Контроль 5 ф/л
109а	CD контроль линейного размера
110	ХО
111	Окисление	С
112	6 АНФ
113	Контроль 6 ф/к (N+ И/С) ПШ М-121-07 Реставрация (N-пластин)
114	Ионное легирование фосфором	Е=40 кэВ
115	Ионное легирование мышьяком (И/С)	Е=60 кэВ
116	ПХ снятие фоторезиста	t=10 мин
117	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
118	Контроль снятия	100%
119	ХО
119а	Отжиг	С, 1 час, среда - N2
119б	Разгонка As
120	7 АНФ
121	Контроль 7 ф/к (Р+ И/С) ПШ М-121-08 Реставрация (N-пластин)
122	Ионное легирование бором (И/С)	E=20 кэВ
123	ПХ снятие фоторезиста	tсн=10 мин
124	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
125	Контроль снятия	100%
126	ХО
127	Отжиг (tпрол < 4час)	С, 15 мин, среда - О2
128	Осаждение SiO2	dx=0.25 мкм
129	Кисти
130	Контроль SiO2
131	ХО
132	Отжиг (tпрол < 4час)	С, 15 мин, среда - О2
133	Осаждение ФСС	dx=0.6 мкм
134	Кисти
135	Контроль ФСС
136	SP Контроль толщины SiO2
138	АНФ
139	ПХ зачистка	уст. 48, tтр=1 сек
140	Травление SiO2 (обратная сторона)	tтр=скат+10с < 3 мин 30 сек
141	ПХ травление	уст. 46, tтр=120 сек
142	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
142а	Контроль снятия
143	ХО (КАРО)
144	Оплавление ФСС	С, 10 мин, среда - N2
145	Контроль параметров
146	8 АНФ
147	Контроль 8 ф/к (контакты) ПШ М-121-09 Реставрация (N-пластин)
148	ПХ зачистка	t=60 сек
149	Контроль хим. травления ФСС
150	РИТ ФСС
151	ПХ зачистка фоторезиста	t=2 мин
152	Химическое травление ФСС	tтр=10 сек
153	Снятие фоторезиста в КАРО	Каро
154	Контроль 8 ф/л (контакты)
155	ХО (КАРО)
156	Контроль освежения SiO2
157	Напыление Al	dx=1.0 мкм
158	Напыление Si
159	9 АНФ
160	Контроль 9 ф/к (алюминий)

Подобные документы

• Разработка интегральных микросхем

  Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
  
  курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008
  

• Расчёт интегральной микросхемы

  Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.
  
  курсовая работа [150,4 K], добавлен 12.06.2010
  

• Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003

  Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
  
  дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010
  

• Технологический процесс изготовления платы интегральной микросхемы-фильтра

  Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
  
  контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013
  

• Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для слухового аппарата

  Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.
  
  дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010
  

• Особенности проектирования усилителя слабых сигналов

  Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.
  
  курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013
  

• Разработка интегральной микросхемы параметрического стабилизатора

  Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
  
  курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012
  

• Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

  Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
  
  курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010
  

• Интегральные микросхемы (аналоговые и импульсные), как одна из составляющих частей РЭА

  Классификация типов электрических моделей и моделирования интегральных схем. Основной задачей моделирования интегральной схемы является оптимальный синтез ее принципиальной электрической схемы (модели). Дискретные логические схемы. Параметры и типы схем.
  
  реферат [1,1 M], добавлен 12.01.2009
  

• Реле акустическое на полевом транзисторе

  Анализ технического задания. Выбор способа изготовления печатной платы, расчет конструктивно-технологических параметров, выбор элементов и материалов, расчет надежности. Технологический процесс изготовления реле, операционная карта изготовления.
  
  курсовая работа [120,3 K], добавлен 03.07.2008
  

• главная
• рубрики
• по алфавиту
• вернуться в начало страницы
• вернуться к началу текста
• вернуться к подобным работам