Исследование методов адаптации технологии изготовления микросхемы КP1446ХК1 в процессе перехода с производственной линии 100 мм на линию 150 мм

Подходы к применению приборно-технологического моделирования маршрутов. Спектр задач моделирования маршрутов изготовления, модели активных и пассивных элементов. Конструктивно-технологический вариант устройства и изготовление партий микросхемы КР1446ХК1.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 14.06.2012
Размер файла 2,3 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

ПШ М-121-10

Реставрация (N-пластин)

161

РИТ Al

162

Контроль травления

163

ПХ снятие фоторезиста

tсн=10 мин

164

Обработка в ЕКС-265

165

ПХО поли-Si

166

Горячая H2O

167

Контроль 9 ф/л (алюминий)

100%

168

Очистка в ЕКС-265

169

Вжигание Al

С, 30 мин, влажн.

170

ПХ осаждение SiO2

dx=0.2 мкм

171

Горячая H2O

172

Контроль

173

ПХ осаждение SiN

dx=0.6 мкм

174

Контроль

175

SP Контроль толщины Si3N4

425c

176

10 АНФ

177

Контроль 10 ф/к (окна в защите)

ПШ М-121-13

Реставрация (N-пластин)

178

РИТ защиты SiN

179

ПХ снятие фоторезиста

tсн=12 мин

180

Контроль 10 ф/л

100%

181

Вжигание Al

С, 20 мин

182

Выборочный контроль

183

Функциональный контроль

184

Сушка

185

Внешний вид

186

ОТК

2.3 Технологический маршрут изготовления изделия на производственной линии 150 мм.

Партия 3952. Шифр: АТ-20 CPHV DP SM

Расшифровка: Ангстрем-технология, 2 мкм, КМОП, Р-подложка, рабочее напряжение V3,0V, два уровня поликремния, один уровень металла.

Таблица 2.4

Операция

Параметры и режимы

1

Формирование

КДБ-12

2

Лазерная маркировка

3

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

4

ХО

5

Окисление под знаки

dx=0.285 мкм

6

0 АНФ

7

Контроль 0 ф/к

8

РИТ SiO2

Контроль травления

dx=0.285 мкм

9

ПХ зачистка

10

Травление SiO2

t=30 сек

11

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

12

Контроль 0 ф/л

100% косой свет

13

Травление SiO2

tтр=15 сек

14

Анизотропное травление

15

Контроль 0 ф/л

16

Стравливание SiO2

17

ХО-1

18

Окисление

dx=2850 А

19

1 АНФ

20

Контроль 1 ф/к (N-карман)

ПШ М-121-01

Реставрация (N-пластин)

21

CD-контроль 1 ф/к

22

РИТ SiO2

dx=500+-100 A

23

Ионное легирование фосфором (N-карман)

Е=90 кэВ

24

ПХ зачистка

25

Травление SiO2

t=60 сек

26

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

27

ХО-1

28

Разгонка кармана

С, dx=0.285+-0.015

29

Стравливание SiO2

tтр=до скат. +30 сек (~6 мин.)

30

ХО-1

31

Окисление под Si3N4

dx=360 A

32

Осаждение Si3N4

dx=0.13 мкм

33

Контроль

34

2 АНФ

35

Контроль 2 ф/к (активные области)

ПШ М-121-02

Реставрация (N-пластин)

36

CD-контроль 2 ф/к

37

РИТ Si3N4

dx=0.13 мкм

38

ПХ обработка

39

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

40

Контроль 2 ф/л, CD-контроль

41

ХО-2

42

3 АНФ

43

Контроль 3 ф/к (Р-охрана)

ПШ М-121-03

Реставрация (N-пластин)

44

CD-контроль 3 ф/к

45

Ионное легирование бором (охрана)

Е=20 кэВ

46

Ионное легирование бором (Р-карман)

Е=100 кэВ

47

ПХ обработка

48

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

49

ХО-1

50

Пирогенное окисление

dx=0.9 мкм, С

51

Травление SiO2

tтр=80 сек

52

Травление Si3N4

Контроль

dфон > 0.72 мкм

100% (на дотрав)

53

Контроль ф/л “LOCOS”

54

Травление SiO2

dфон > 0.8 мкм

tтр=до реш+10сек (~50 сек)

55

ХО-1

56

Пирогенное окисление

dx=500 А

57

Ионное легирование бором (подгонка)

Е=50 кэВ

59

ХО-1

60

Отжиг

С, 15 мин, О2

Время пролеживания менее 4 часов!

61

Осаждение поли-Si

dx=0.42 мкм

62

Контроль

63

ХО-1

64

Диффузия фосфора

С

65

Снятие ФСС

HF 1:50, скат+30 сек

66

ХО-1

67

Отжиг

С, dx=50-100 A, 30 мин,

среда - N2+O2

Время пролеживания менее 30 минут!

68

Осаждение Si3N4

dx=300 A

69

Контроль

70

Пирогенное окисление Si3N4

С

71

4 АНФ

72

Контроль 4 ф/к (2-й поли-Si)

ПШ М-121-06

Реставрация (N-пластин)

73

CD-контроль 4 ФК

74

РИТ Si3N4

dx=300 A

75

РИТ поли-Si

dx=0.42 мкм

76

ПХ зачистка

t=60 сек

77

Химическое травление SiO2

HF 1:50, t=15 сек

78

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

79

Контроль 4 ф/л (поли-Si), CD-контроль

80

Травление SiO2

t=до реш.+10 сек (<50 сек)

81

ХО-1

82

Окисление под поли-Si

dx=360 A

Пролеживание не более 4 часов!

83

Осаждение поли-Si

dx=0.5 мкм

84

Контроль

85

АНФ

Нанес. без отжиг. с адг.

86

РИТ поли-Si на ОС

87

Химическое травление SiO2 (обратная сторона)

< 60 сек, до скат. с обр. стороны +10 сек

88

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

89

ХО-1

90

Диффузия фосфора

С

91

Снятие ФСС

HF 1:50 скат+30 сек

92

ХО-1

93

5 АНФ

94

Контроль 5 ф/к (поли-Si)

ПШ М-121-05

Реставрация (N-пластин)

95

CD-контроль 5 ф/к

96

РИТ поли-Si

dx=0.5 мкм

97

ПХ зачистка

98

Химическое травление SiO2

HF 1:50, t=15 сек

99

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

100

Контроль 5 ф/л, CD-контроль

101

ХО-1

102

Окисление

С

103

6 АНФ

104

Контроль 6 ф/к (N+ И/С)

ПШ М-121-07

Реставрация (N-пластин)

105

Ионное легирование фосфором (И/С)

Е=40 кэВ

106

Ионное легирование мышьяком (И/С)

Е=60 кэВ

107

ПХ снятие фоторезиста

108

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

109

Контроль снятия

110

ХО-2

111

7 АНФ

112

Контроль 7 ф/к (Р+ И/С)

ПШ М-121-08

Реставрация (N-пластин)

113

CD-контроль 7 ф/к

114

Ионное легирование BF2 (И/С)

E=80 кэВ

115

ПХ снятие фоторезиста

116

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

117

Контроль снятия

118

ХО-1

119

Отжиг

С, 60 мин, среда - N2

120

Отжиг

С, 15 мин, среда - сухой О2

121

Осаждение SiO2

dx=0.15 мкм, TEOS

122

Осаждение БФСС

dx=0.55 мкм

123

Контроль БФСС

124

Оплавление БФСС

С, 20 мин, среда - H2/O2

125

Нанесение фоторезиста

адгезив без отжига

126

Химическое травление SiO2 (О.С.)

БТ, с пилотн. пл, tтр= до скат. +30 сек ~ 15 мин

127

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

128

ХО-4

129

Отжиг

С, 60 мин, среда - N2+О2 мокрая

129а

ХО-111

130

8 АНФ

131

Контроль 8 ф/к (контактные окна)

ПШ М-121-09

Реставрация (N-пластин)

132

CD-контроль 8 ф/к

133

ПХ зачистка

134

Химическое травление БФСС

~5 мин

135

Контроль химического травления

136

РИТ БФСС

Контроль толщины SiO2

137

ПХ зачистка

138

Химич. травление БФСС

1:50, t=2 мин

139

Снятие фоторезиста в КАРО

Каро

140

Контроль 8 ф/л

141

ХО-4

142

Освежение К.О.

1:50, t=1 мин

143

Напыление Ti

dx=300 A

144

Напыление TiN

dx=1000 A

145

Напыление AlSi

dx=1.05 мкм

146

Напыление TiN

dx=300 A

147

9 АНФ

148

Контроль 9 ф/к (металл)

ПШ М-121-10

Реставрация (N-пластин)

149

CD-контроль 9 ф/к

150

РИТ AlSi+TiN с подслоем 1.05 мкм

dx=1.05 мкм

151

Контроль

Время пролеживания менее 1 часа!

152

ПХ снятие фоторезиста

Время пролеживания менее 1 часа!

153

Обработка в ЕКС

154

Контроль 9 ф/л

155

Очистка в ЕКС

156

Вжигание Al

С

157

ПХ осаждение SiO2

С , dx=0.2 мкм

158

Контроль

159

ПХ осаждение SiN

С , dx=0.6 мкм

160

Контроль

161

10 АНФ

162

Контроль 10 ф/к (окна в защите)

ПШ М-121-13

Реставрация (N-пластин)

163

РИТ защиты

164

РИТ TiN

165

ПХ снятие фоторезиста

166

Обработка в ЕКС

167

Контроль 10 ф/л

100%

168

Очистка в ЕКС

169

Вжигание Al

С

170

Тестовый контроль

171

Входной контроль

172

Нанесение фоторезиста

Нанесение без отжига и адгезии

173

Шлифовка ОС

460 мкм

174

Химич. травление Si на ОС

175

Удаление фоторезиста

176

Отмывка

177

Выходной контроль

178

Функциональный контроль

179

Сушка краски

180

КВВ кристаллов

181

Контроль ПД

182

ОТК

Принятые обозначения:

1) КАРО - смесь кислот, химический реагент, неорганическое соединение с формулой H2SO3(O2) относящееся к классу надкислот

2) ЕКС - смесь кислот

3) ХО - химическая обработка

4) АНФ - автомат нанесения фоторезиста

5) ф/к - фотокопия

6) ПХ зачистка - плазмохимическая зачистка

7) ПШ - промежуточный шаблон

8) ФШ - фотошаблон

9) CD-контроль - critical dimensions, контроль критических размеров

10) РИТ - реактивное ионное травление

11) ФСС - фосфоросиликатное стекло

12) БФСС - борофосфоросиликатное стекло

13) TEOS - тетраэтоксисилан, химический реагент, бесцветная жидкость, имеет формулу (С2Н5O)4Si, применяется при пиролитическом осаждении кремния

14) К.О. - контактные окна

15) ОС - обратная сторона

16) КВВ - контроль внешнего вида

17) ПД - повторяющийся дефект

18) ОТК - отдел технического контроля

2.4 Эскизный маршрут создания микросхемы. Отличительные особенности создания микросхемы на линии 100 мм и 150 мм

Эскизный маршрут создания микросхемы КР1446ХК1 на производственной линии 100 мм:

Знаки совмещения для УСЭ ЭМ-584 А

Геометрия знака

Фотомаска “0” Промежуточный шаблон

Рисунок 2.4.1 - Этапы маршрутной карты 4-17

Фотомаска “1” N-карман

Рисунок 2.4.2 - Этапы маршрутной карты 18-30

Рисунок 2.4.3 - Этапы маршрутной карты 31-35

Фотомаска “2+3” Активные области

Рисунок 2.4.4 - Этапы маршрутной карты 36-54

Рисунок 2.4.5 - Этапы маршрутной карты 55-63

Рисунок 2.4.6 - Этапы маршрутной карты 64-67

Фотомаска “4” Конденсатор

Рисунок 2.4.7 - Этапы маршрутной карты 73-87

Рисунок 2.4.8 - Этапы маршрутной карты 88-93

Фотомаска “5” Затворы транзисторов и верхняя обкладка конденсатора

Рисунок 2.4.9 - Этапы маршрутной карты 94-104

Рисунок 2.4.10 - Этапы маршрутной карты 105-111

Фотомаска “6” N+ И/С области транзисторов

Рисунок 2.4.11 - Этапы маршрутной карты 112-119

Фотомаска “7” Р+ И/С области транзисторов

Рисунок 2.4.12 - Этапы маршрутной карты 120-125

Фотомаска “8” МСИ и контактные окна

Рисунок 2.4.13 - Этапы маршрутной карты 126-143

Рисунок 2.4.14 - Этапы маршрутной карты 144-148

Рисунок 2.4.15 - Этапы маршрутной карты 149-154

Фотомаска “9” Металл

Рисунок 2.4.16 - Этапы маршрутной карты 155-169

Фотомаска “10” Окна в пассивации

Рисунок 2.4.17 - Этапы маршрутной карты 170-186

Итоговая структура

Рисунок 2.4.18 - Итоговая структура

Отличительные особенности создания микросхемы КР1446ХК1 на производственных линиях 100 мм и 150 мм:

Как можно заметить из технологических маршрутов создания изделия, количество операций на производственных линиях отличаются: 182 операции на линии 100 мм и 186 операций на линии 150 мм. Отличаются так же между собой и параметры различных операций - время обработки, толщина слоя осаждения, энергия, доза, среда в которой проходит операция и т.д. В большинстве своем отличие этих параметров на различных линейках обуславливается разным оборудованием, немного измененными условиями, и они не столь значимые. Но есть операции, параметры которых кардинально отличают производство изделия на линейке 150 мм от линейки 100 мм. Речь сейчас пойдет как раз о них.

Таблица 2.5

Производственная линия 100 мм

Производственная линия 150 мм

№ п/п

Название операции

Параметры и режимы

№ п/п

Название операции

Параметры и режимы

127

Отжиг

С, 15 мин, среда - О2

119

Отжиг

С, 60 мин, среда - N2

128

Осаждение SiO2

dx=0.25 мкм

121

Осаждение SiO2

dx=0.15 мкм, TEOS

132

Отжиг

С, 15 мин, среда - О2

120

Отжиг

С, 15 мин, среда - сухой О2

144

Оплавление ФСС

С, 10 мин,

среда - N2

124

Оплавление БФСС

С, 20 мин, среда - H2/O2

129

Отжиг

С, 60 мин, среда - N2+О2 мокрая

Эти операции ,что на линейке 100 мм, что на линейке 150 мм относятся к фотомаске 8 “Межслойная изоляция и контактные окна”. Как видно из таблицы, на производственной линии 100 мм имеют место 2 высокотемпературных быстрых отжига по 15 мин в среде О2, с осаждением пленки SiO2 между ними. На линейке 150 мм первый отжиг - низкотемпературный (С), длительный (60 минут) в среде N2, а второй отжиг отличается от отжига на 100 мм только средой - сухой О2.

Так же отличается друг от друга и материал межслойной изоляции: на линии 100 мм - это ФСС (фосфоросиликатное стекло), а на линии 150 мм - БФСС (борофосфоросиликатное стекло). Оплавление ФСС и БФСС тоже различно, параметры операций предоставлены в таблице 2.5. Ну и так же надо отметить, что на производственной линии 150 мм после операции оплавления БФСС присутствует операция высокотемпературного (С) длительного (60 минут) отжига в мокрой N2+O2 среде.

2.5 Тестовые структуры и их параметры

В конце технологического маршрута (170 операция) пластина проходит тестовый контроль, который осуществляется при помощи тестовых структур. При производстве данного изделия тестовые структуры формируются на пластине в дорожках реза между кристаллами.

Рис 2.5.1 Пластина с данным изделием. Стрелкой показана дорожка реза.

Рис 2.5.2 Отдельный кристалл. Стрелки указывают на тестовые структуры.

2.5.1. Состав теста.

Тестовый кристалл предназначен для аттестации электрических параметров технологического процесса АТ-20CPHV DP SM. Он состоит из 3 независимых тестовых модулей:

Стандартный модуль 1 “N - канал”

Стандартный модуль 2 “Р - канал”

Стандартный модуль 9 “Тесты 2-го поликремния”.

Все размеры, приведенные в описании теста, соответствуют размерам на пластине.

Структура теста
Код 452: Шаг кадра: Х = 9.12 мм, У = 6.05 мм,
Код 446: Шаг кадра: Х = 8.25 мм, У = 6.09 мм,
Каждый модуль содержит 32 контактных площадки размером 80х100 мкм2 и расстоянием между ними 80 мкм, расположенными в два ряда по 16 площадок. Расстояние между рядами - 80 мкм.

Расположение контактных площадок в модуле:

2.5.2 Описание тестовых структур

Модуль 1: “N - Канальные структуры”

Таблица 2.6

Название тестовой структуры

Обоз

нач

NN КПл

Назначение КП

Параметры,

размеры в мкм

N транзистор с индуцированным каналом

Т1

7

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 30/30

N транзистор с индуцированным каналом

Т2

8

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 30/2.0

N транзистор с индуцированным каналом

Т3

9

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 30/1.8

N транзистор с индуцированным каналом

Т4

10

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 2.5/30

N транзистор с индуцированным каналом

Т5

11

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 2.5/2.0

N транзистор со встроенным каналом

Т6

12

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 2.5/2.0

N транзистор со встроенным каналом

Т7

13

4

6

5

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 30/30

N “паразитный” транзистор с 1Si* затвором

Т8

15

4

6

14

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 100/2.5

N “паразитный” транзистор с 1Ме затвором

Т9

16

4

6

14

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 100/2.5

N транзистор с индуцированным каналом с диодом на затворе.

Диод: p-n переход N+ -подложка

Т10

D1

17

4

6

18

Сток

Подложка

Исток

Затвор

W/L = 30/2.0

Емкость для C-V измерений затворного окисла (R1)

С1,R1

1

4

Резистор

Подложка

R1=250 квадр. 1Si*

S = 100х200 мкм2

Емкость для C-V измерений затворного окисла

С2

2

4

Емкость

Подложка

S = 100х200 мкм2

Тест на “утечку” межслойной изоляции :

1Si*- “гребенка”

1Ме- 2 встречных “гребенки”

С3

20-

-19,

4

1 Поликремний

1 Металл

1 Металл

S = 90х300

Закоротки Ме (на рельефе)

Рельеф: Чередование 2 шин 1Si* (20) на толстом и тонком окисле по min нормам проектирования топологии.

R13

(20)

19-

-4

1 Поликремний

1 Металл

1 Металл

1Si*: Шина/заз= 2.0/2.0

1Me: Шина/заз= 2.5/2.0

Число ступ = 5406

Периметр = 4670

Сопротивление контактов 1Ме - n+

R2

R3

31 - 30

30 - 32

500 контактов

2 контакта

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

Сопротивление контактов 1Ме - 1поликремний

R4

R5

29 - 28

28 - 32

500 контактов

2 контакта

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

Сопротивление диффузии n+

R6

R7

25-27

25 - 32

N+

N+

W/L = 20/200

W/L=(7х2.5)/200

Сопротивление 1 поликремния

R8

R9

24-26

24 - 32

1Si*

1Si*

W/L = 20/200

W/L = (8х2)/200

Обрыв металла (на рельефе)

Рельеф: Чередование 2 шин 1Si* на толстом и тонком окисле по min нормам проектирования топологии

R10

23 - 32

1 Металл

W/L = 2.5/3000

1Me: Шина/заз=2.5/2.0

Закоротки 1Si* 2 встречных “вилки”.

Рельеф: Шины тонкого окисла

R12

21 - 32

2 встречных “вилки”.

Периметр=6213

Шин/заз.=2.0/2.0

Закоротки диффузии n+

R14

18 - 32

N+

Шина/Заз=2.5/2.5

Сопротивление “кармана”

R15

R11

3 - 32

22 - 32

“Карман”

“Карман”

W/L = 20/200

W/L = 4/40

Модуль 2: “Р - Канальные структуры”

Таблица 2.7

Название тестовой структуры

Обоз

нач

NN КПл

Назначение КП

Параметры,

размеры в мкм

Р транзистор с индуцированным каналом

Т1

7

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 30/30

Р транзистор с индуцированным каналом

Т2

8

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 30/2.0

Р транзистор с индуцированным каналом

Т3

9

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 30/1.8

Р транзистор с индуцированным каналом

Т4

10

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 2.5/30

Р транзистор с индуцированным каналом

Т5

11

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 2.5/2.0

Р “паразитный” транзистор с 1Si* затвором

Т8

13

3

6

12

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 100/2.5

Р “паразитный” транзистор с 1Ме затвором

Т9

14

3

6

12

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 100/2.5

Р транзистор с индуцированным каналом с диодом на затворе.

Диод: p-n переход Р+ - Карман

Т10

D1

20

3

6

19

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 30/2.0

Р транзистор кольцевой с индуцированным каналом

Т11

4

3

6

5

Сток

Карман

Исток

Затвор

W/L = 30/2.0

Емкость для C-V измерений затворного окисла

С1

1

3

Емкость

Карман

S = 100х200 мкм2

Емкость для C-V измерений затворного окисла

С2

2

3

Емк. через резистор

Карман

R1=250 квадр. 1Si*

S = 100х200 мкм2

Емкость по полевому окислу Карман - 1 Поликремний

C4

12

3

1 Поликремний

Карман

S= 382х333 мкм2

Емкость межслойной изоляции плоская 1 Поликремний - 1 Ме

C5

12

13

1 Поликремний

1 Металл

S= 382х325 мкм2

Тест на “утечку” межслойной изоляции :

1Si*- “гребенка”

1Ме- 2 встречных “гребенки”

С3

20 -

- 19,

3

1 Поликремний

1 Металл

1 Металл

S = 90х300 мкм2

Закоротки 1Ме (на рельефе)

Рельеф: Чередование 2 шин 1Si* на толстом и тонком окисле по min нормам проектирования топологии

R13

(18)

17 -

- 3

1 Поликремний

1 Металл

1 Металл

1Si*: Шина/заз= 2.0/2.0

1Me: Шина/заз= 2.5/2.0

Число ступ = 5406

Периметр = 4670

Сопротивление контактов 1Ме - Р+

R2

R3

30 - 31

30 - 32

500 контактов

2 контакта

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

Сопротивление контактов 1Ме - 1 поликремний

R4

R5

28 - 29

28 - 32

500 контактов

2 контакта

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

W/L=2.0х2.0 Пер1.5

Сопротивление диффузии Р+

R6

R7

25 - 27

25 - 32

Р+

Р+

W/L = 20/200

W/L=(7х2.5)/200

Сопротивление 1 поликремния

R8

R9

24 - 26

24 - 32

1Si*

1Si*

W/L = 20/200

W/L = (8х2)/200

Сопротивление шины 1Ме (на гладкой поверхности)

R10

23 - 32

1 Металл

W/L = 2.5/3000

Аl: Шина/заз = 2.5/2.0

Закоротки 1Si* 2встречных “вилки”

Рельеф: Шины тонкого окисла

R12

21 - 32

2 встречных “вилки”

Периметр=6213

Шин/заз.=2.0/2.0

Закоротки диффузии Р+

R14

18 - 32

Р+

Шина/Заз=2.5/2.5

Модуль 9: “Тесты 2 поликремния”

Таблица 2.8

Название тестовой структуры

Обоз

нач

NN КПл

Назначение КП

Параметры,

размеры в мкм

Емкость для C-V измерений межслойной изоляции

С1

1- 2

Последовательн. R1

S = 0.04 мм2

Емкость для C-V измерений межслойной изоляции

C3

31 - 32

Последовательн. R3

S = 0.04 мм2

Емкость для C-V измерений межслойной изоляции

C2

16 -17

Последовательн. R2

S = 0.04 мм2

Сопротивление контактов Ме--2Si*

на подстилающем 1Si* (30-я конт. пл.)

R4

29--28

500 контактов

W/L=2х2 Перекр-1.5Al

R5

27--28

30

2 контакта

Сопротивление контактов Ме--2Si*

R4

27--26

500 контактов

W/L=2х2 Перекр-1.8Al

R5

26--25

2 контакта

Закоротки 2Si* (2 встречных “гребенки” на рельефе)

Рельеф: Шины 1Si* и тонкого окисла (min).

R8

23-24

27

2Si*

1Si*

Закоротки 2Si* (2 встречных “гребенки” без рельефа)

R10

20-21

2Si*

Резистор из 2Si*

R9

22-27

2Si*

W/L = 2/200

Резистор из 2Si*

R11

19-27

2Si*

W/L = 20/200

N-транзистор с индуцированным каналом и затвором из 2Si*

Т1

3

4

5

6

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 30/30

N-транзистор с индуцированным каналом и затвором из 2Si*

Т2

3

4

5

7

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 30/3.0

N-транзистор с индуцированным каналом и затвором из 2Si*

Т3

3

4

5

8

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 30/5.0

N-транзистор кольцевой с индуцированным каналом и затвором из 2Si*

Т4

3

4

5

9

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/3.0

N-транзистор кольцевой с индуцированным каналом и затвором из 2Si*

Т5

3

4

5

10

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/5.0

N-транзистор “паразитный” кольцевой с затвором из 2Si*

Т6

3

4

5

11

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/2.5

N-транзистор “паразитный” с затвором из 2Si*

Т7

3

4

5

12

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/2.5

N-транзистор кольцевой с индуцированным каналом и затвором из 1Si*

Т8

3

4

5

13

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/5.0

N-транзистор “паразитный” кольцевой с затвором из 1Si*

Т9

3

4

5

14

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/2.5

N-транзистор “паразитный” с затвором из 1Si*

Т10

3

4

5

15

Подложка

Исток

Затвор

Сток

W/L = 100/2.5

Выводы

В данной главе мы рассмотрели конструктивно-технологический вариант исполнения микросхемы КP1446ХК1. Были описаны электрические характеристики схемы, её конструкция, функционирование, показаны технологические маршруты изготовления изделия на производственных линиях 100 мм и 150 мм. Проанализированы тестовые структуры и их параметры для данного устройства.

Разработан и показан эскизный маршрут создания изделия, выявлены основные операции, параметры которых кардинально меняют производство изделия на линии 150 мм от линии 100 мм.

Глава 3. Применение средств приборно-технического моделирования для анализа партий микросхемы КР1446ХК1

3.1 Предлагаемые значения технологических параметров при переводе изделия кода 452 на линейку 150 мм

Как уже отмечалось ранее, параметры технологических операций на производственных линиях 100 мм и 150 мм отличаются друг от друга и в связи с этим нельзя сразу гарантировать идентичность выходных параметров пластин линии 150 мм с пластинами линии 100 мм.

Одним из самых важных параметров транзистора является пороговое напряжение (Uпор) - это напряжение, при котором образуется и начинает течь ток внутри транзистора. Именно для этого параметра, в первую очередь, нужно добиваться идентичности на линейке 150 мм. Варьируя значения доз N-кармана и подгонки, мы будем прогнозировать значения Uпор и нужно добиться того, чтобы это значение порогового напряжения на линейке 150 мм соответствовало значению порогового напряжения на линейке 100 мм.

Предлагаемые варианты доз карманов и подгонки при переводе изделия кода 452 на линейку 150мм.

Общие данные:

технология АТ-20

подложка - КДБ12

борный псевдокарман формируется по аналогии с маршрутом изделия 452 на линейке 100мм - через нитрид ионами бора с энергией 100 кэВ

разгонка карманов - 1200С, 8 часов (2+6)

толщина ПЗД - 360А

дозы даны в ионах на см^2 (как принято на линейке 150 мм)

Таблица 3.1

N-карман

Р-карман

Общая подгонка

Прогнозируемые значения порогов

VtP_sq, B

VtP_30, B

VtN_sq, B

VtN_30, B

1

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 7.1Е11/50

-1.42

-1.07

0.95

0.71

2

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 7.9Е11/50

-1.35

-1.0

0.98

0.74

3

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 8.7Е11/50

-1.28

-0.93

1.02

0.78

4

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 9.5Е11/50

-1.22

-0.87

1.05

0.81

5

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 6.4Е11/50

-1.35

-1.0

0.91

0.67

6

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 7.1Е11/50

-1.29

-0.94

0.95

0.71

7

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 7.9Е11/50

-1.23

-0.88

0.98

0.74

8

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.9Е11/100

B+, 8.7Е11/50

-1.14

-0.79

1.02

0.78

Расшифровка:

P+, 6.3Е12/90:

Р+/B+ - легирование фосфором/бором

6.3Е12/90 - доза (ион/см^2)/ энергия (кэВ)

VtP_sq: значение порогового напряжения транзистора Р-типа; sq - square, т.е. квадрат. Это означает, что тестовая структура транзистора имеет вид квадрата с длиной и шириной канала по 30 мкм.

VtN_sq: транзистор N-типа, в остальном аналогично VtP_sq.

VtP_30: значение порогового напряжения транзистора Р-типа, тестовая структура с шириной канала 30 мкм и длиной - 2 мкм.

VtN_30: транзистор N-типа, в остальном аналогично VtP_30.

При замене операции оплавления ФСС (Т=1000°С) на операции оплавления (Т=850°С) и отжига (Т=925°С) БФСС, пороги N - и Р-канальных транзисторов незначительно (не более 30 мВ) снижаются по абсолютной величине.

3.2 Анализ партии №1

Партия 3952 на производственной линии 150 мм состояла из 24 пластин. Пластины 1-12 будут названы партией 3952-А001 или просто 3952-01, а пластины 13-24 - партией 3952-А002, или же 3952-02.

В первой партии пластин варьировались дозы N-кармана (5.3Е12 и 6.3Е12) и доза общей подгонки (6.3Е11, 7.1Е11, 7.9Е11, 9.5Е11), при этом энергия легирования оставалась прежняя: 90 кэВ для N-кармана, 100 кэВ для Р-кармана и 50 кэВ для общей подгонки.

Покажем таблицу экспериментальных данных по партии 3952-01:

Таблица 3.2

№ плас.

N-карман

Р-карман

Общая подгонка

сs_Nwell,

кОм/кВ.

Измеренные значения порогов

VtP_sq, B

VtP_30, B

VtN_sq B

VtN_30, B

2

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 6.3Е11/50

1.76

-1.42

-1.02

0.74

0.5

4

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 6.3Е11/50

1.283

-1.6

-1.2

0.74

0.51

8

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 7.9Е11/50

1.74

-1.33

-0.93

0.79

0.56

10

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 7.9Е11/50

1.73

-1.3

-0.88

0.80

0.55

12

P+, 5.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 7.9Е11/50

1.66

-1.35

-0.96

0.79

0.56

1

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 7.1Е11/50

1.464

-1.48

-1.08

0.77

0.54

5

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 7.1Е11/50

1.36

-1.51

-1.11

0.77

0.54

11

P+, 6.3Е12/90

B+, 7.1Е11/100

B+, 9.5Е11/50

1.415

-1.32

-0.93

0.85

0.61

На основе таких данных составляется выборочный контроль. Конечно, в таблице 3.2 показаны лишь самые основные параметры, которые нужны нам для анализа партии 3952-01, на самом деле их гораздо больше.

3.2.1 Выборочный контроль партии №1

Рассмотрим выборочный контроль первой партии пластин, и проведем его анализ.

На рис. 3.1 (см. следующую страницу) показан выборочной контроль первой партии пластин 3952. Эта таблица представляет собой средние значения параметров выборочного контроля, собранных с каждой пластины партии 3952-01. В ней указан параметр выборочного контроля, его размерность, границы измерений и средние значения самих измерений, а так же какое количество пластин годно по данному параметру. Причем для определения годности пластины по нужному параметру выборочного контроля нужно смотреть на столбец “п. годн” - полностью годные. Контроль производится по 5 точкам на каждой пластине, в таблице указано, что пластин 10, а в партии их было 12 - это произошло из-за того, что 2 пластины в процессе производства разбились. Итого из всей партии 3952-01 годные оказались лишь 4 пластины из 12 (с учетом 2х разбившихся) - под номерами 7, 8, 9 и 10.

Рис 3.1 Выборочный контроль партии 3952-01

Красным цветом выделены 6 значений, которые представляют для нас интерес - это пороговые напряжения транзисторов N- и Р-типа с различной длиной канала (30 мкм и 2 мкм), и значения поверхностного сопротивления сs N+ слоя и Р+ слоя.

3.2.2 Оценка результатов выборочного контроля и рекомендации по устранению отмеченных отклонений

Проведем оценку результатов выборочного контроля партии 3952-1 (аналог изделия 452, переведенного на технологическую линейку 150 мм) и дадим рекомендации по устранению отмеченных наклонений.

Типичные значения пороговых напряжений тестовых транзисторов для изделия 452 на линейке 100 мм для заданных доз легирования составляют:

Таблица 3.3

NWell, Р+

PWell, B+

Подгонка, B+

Vtn_sq, B

Vtn_L, B

Vtp_sq, B

Vtp_L, B

5,3E12/90

7,1E11/100

6,3E11/50

0,95

0,7

-1,35

-0,95

Режимы легирования партии 3952-1 на производственной линии 150 мм включают варьирование дозы NWell и дозы подгонки (доза Р-псевдокармана не меняется). Полученные соответствующие значения порогов приведены в таблице 3.4:

Таблица 3.4

NWell, Р+

PWell, B+

Подгонка, B+

Vtn_sq, B

Vtn_L, B

Vtp_sq, B

Vtp_L, B

5,3E12/90

7,1E11/100

6,3E11/50

0,74

0,50

-1,42

-1,02

5,3E12/90

7,1E11/100

7,9E11/50

0,79

0,56

-1,3?-1,35

-0,88?-0,96

6,3E12/90

7,1E11/100

7,1E11/50

0,77

0,54

-1,5

-1,1

6,3E12/90

7,1E11/100

9,5E11/50

0,85

0,61

-1,32

-0,93

Сравнивая две таблицы можно увидеть, что пороговые напряжения N-канальных транзисторов на партии 3952-01 занижены относительно значений для изделия 452.

Такие заниженные значения пороговых напряжений N-канальных транзисторов можно объяснить следующим:

- при выполнении расчетов доза Р-псевдокармана была завышена из-за некорректного перевода единиц дозы кармана из мкКл/см^2 (принятых на линейке 100 мм) в ион/см^2 (принятых на линейке 150 мм).

- подзатворное окисление на коде 3952 и на коде 452 выполняется при одной температуре, но в различающихся средах (сухое окисление на коде 3952 и пирогенное на коде 452), вследствие чего встроенный заряд в окислах различен.

Коррекция режимов легирования N-канальных транзисторов с целью повышения порогового напряжения выполнена с учетом различий в характеристиках подзатворного окисла и с учетом полученных экспериментальных данных.

Для повышения до 0,7 В (Vtn_L) и до 0.95 В (Vtn_sq) порогового напряжения N-канальных рабочих транзисторов и сохранении пороговых напряжений Р-канальных транзисторов на уровне к. 452 для фосфорного кармана NWell, P+, 5,3E12/90, и подгонки В+, 7,9E11/50 следует увеличить дозы борного псевдокармана.

Ниже в таблице 3.5 приведены следующие рекомендуемые варианты легирования PWell:

Таблица 3.5

NWell, Р+

PWell, B+

Подгонка, B+

Vtn_sq, B

(прогноз)

Vtn_L, B

(прогноз)

Vtp_sq, B

Vtp_L, B

5,3E12/90

1,3E12/100

7,9E11/50

0,94

0,7

-1,3?-1,35

-0,88?-0,96

5,3E12/90

1,4E12/100

7,9E11/50

0,96

0,72

-1,3?-1,35

-0,88?-0,96

5,3E12/90

1,5E12/100

7,9E11/50

0,98

0,74

-1,3?-1,35

-0,88?-0,96

Жирным цветом выделены технологические параметры, наиболее подходящие по прогнозу для подгонки пороговых напряжений, и именно они будут переданы в цех на производство для партии 3952-02.

Помимо заниженных значений пороговых напряжений N-канальных транзисторов, на партии 3952-01 замерены повышенные значения сs N+ (С-И) и заниженные сs Р+ (С-И).

В таблице 3.6 приведены режимы легирования С-И-областей на коде 452 и 3952-01, и результаты измерений поверхностного сопротивления С-И областей.

Таблица 3.6

Код изделия

N-, P+

N+, As+

P+, B+

P+, BF2+

сs N+, Ohm/sq

сs P+, Ohm/sq

452

7E12/40

6,25E15/60

1,25E15/20

~30

~110

3952-01

9,8E13/40

4,38E15/60

3,13E15/80

~60

~75

Для снижения сs N+ для кода изделия 3952 следует увеличить дозы ионной имплантации сток-истоковых областей. В таблице 3.7 приведены расчетные значения сs и Xj (поверхностного сопротивления и глубины залегания) N+ -слоя для исходных режимов легирования (см. табл.3.6) и для вариантов легирования N+ (С-И) для кода 3952 с увеличенными дозами.

Термика соответствует техмаршруту на изделие.

Таблица 3.7

Вариант

Код

N-, P+

N+, As+

сs N+, Ohm/sq

Xj, mkm

1 (исх.)

452

7E12/40

6,25E15/60

42

0.32

2 (исх.)

3952

9,8E13/40

4,38E15/60

54

0.44

3

3952

7E12/40

6,25E15/60

47

0.37

4

3952

9,8E13/40

6,25E15/60

44

0.49

5

3952

3,1E14/40

4,38E15/60

48

0.57

6

3952

6,25E14/40

4,38E15/60

42

0.72

Следует обратить внимание на увеличение глубины P-N-перехода при увеличении дозы фосфора.

Жирным цветом выделены технологические параметры, наиболее подходящие по соотношению расчетных значений поверхностного сопротивления и глубины залегания для N+ -слоя, и именно они будут переданы в цех на производство для партии 3952-02.

На рисунке 3.2 показано сравнение двухмерного сечения N+-области для исходных кодов изделия 452 и 3952, открытое через подпрограмму Tecplot.

Рис. 3.2

На рисунках 3.3-3.5 показано двухмерное сечение N+-области, выполненное в подпрограмме DIOS, для вариантов 1, 2 и 4 соответственно.

Рис. 3.3

Рис. 3.4

Рис. 3.5

В таблице 3.8 приведены расчетные значения сs и Xj (поверхностного сопротивления и глубины залегания) Р+ -слоя для исходных режимов легирования (см.табл.3.6) и для вариантов легирования Р+ (С-И) для кода 3952 с уменьшенными дозами.

Таблица 3.8

Вариант

Код

P+, B+

P+, BF2+

сs P+, Ohm/sq

Xj, mkm

1 (исх.)

452

1,25E15/20

103

0.46

2 (исх.)

3952

3,13E15/80

63

0.62

3

3952

1,5E15/80

93

0.51

4

3952

2,0E15/80

76

0.57

Жирным цветом выделены технологические параметры, наиболее подходящие по соотношению расчетных значений поверхностного сопротивления и глубины залегания для Р+ -слоя, и именно они будут переданы в цех на производство для партии 3952-02.

3.3 Анализ партии №2

Партия 3952-02 или по-другому 3952-А002 состояла из 12 пластин с номерами 13-24. Её производство было завершено в конце декабря 2011 года. Партия претерпела сильные изменения по сравнению с первой партией 3952-01, на производстве использовались другие технические параметры, которые были предложены в пункте 3.2.2.

3.3.1 Выборочный контроль партии №2.

Рассмотрим выборочный контроль второй партии пластин 3952 и проведем его анализ.

На рис. 3.6 (см. следующую страницу) показан выборочный контроль второй партии пластин 3952. На ней указаны средние значения параметров выборочного контроля, собранных с каждой пластины партии 3952-02. Всего во второй партии 12 пластин, по 5 точек на пластине где проводят измерения. Для оценки годности пластины, нужно чтобы 3 точки из 5 показали положительный результат.

Составим итоговую сравнительную таблицу параметров, которые представляю для нас интерес, для партии 3952-02 и партии 452.

Таблица 3.9

Код изделия

VtN_sq, B

VtN_L, B

VtP_sq, B

VtP_L, B

сs N+, Ohm/sq

сs P+, Ohm/sq

452

0,95

0,7

-1,35

-0,95

~30

~110

3952-02

0,895

0,667/0,82

-1,238

-0.862

55,61

117,6

Рис 3.6 Выборочный контроль партии 3952-01

Красным цветом выделены 6 значений, которые представляют для нас интерес - это пороговые напряжения транзисторов N- и Р-типа с различной длиной канала (30 мкм и 2 мкм), и значения поверхностного сопротивления сs N+ слоя и Р+ слоя.

Анализируя таблицу 3.9 можно сделать вывод о том, что наши рекомендации по устранению отмеченных отклонений в партии 3952-01 возымели действие, и во второй партии пластин параметры порогового напряжения транзисторов N- и Р-типа с различной длиной канала (30 мкм и 2 мкм), а так же значения поверхностного сопротивления сs N+ слоя и Р+ слоя соответствуют (хоть и с долей погрешности) параметрам партии 452 на линейке 100 мм.

Благодаря подкорректированным технологически параметрам, вторая партия пластин 3952 является полностью годной, брака на ней не обнаружено.

Выводы

В данной главе были проведен анализ 2ух партий изделия кода 3952 на производственной линии 150 мм. Стояла цель достичь идентичности выходных параметров технологичного процесса партии 3952 с партией 452.

Подводя итог по партии 3952, можно сделать вывод о том, замеченные отклонения нужно своевременно устранять, и, как в случае, с партией 3952-02 это даст положительный эффект - все последующие пластины оказались полностью годные. Для выбора оптимальных технологических параметров на партии 3952-02, мы пользовались средствами приборно-технического моделирования TCAD, что дало возможность сэкономить ресурсы предприятия, вначале промоделировав конструктивно-технологические блоки на компьютере, добиться нужных результатов, и лишь потом запускать партию с откорректированными параметрами в производство.

Глава 4 Производственная и экологическая безопасность

Обеспечение производственно-экологической безопасности на участке химической обработки пластин кремния

Дипломник: Смирнов И.Б.

Группа: ЭКТ-54

Консультант: Никулина И.М.

Введение

Проблема охраны труда и окружающей среды является очень важной на всех предприятиях электронной промышленности. При разработке новых технологий и запуске нового оборудования в первую очередь должны решаться задачи обеспечения безопасности работы персонала и охраны окружающей среды от вредных выбросов. С этой целью на стадии проектирования должны быть выявлены все факторы, которые могут нанести вред здоровью людей или окружающей среде, и проведена работа по исключению или предупреждению случаев производственного травматизма, профессиональных заболеваний и т.п.

Вместе с тем, разработка мероприятий по созданию безопасных условий труда работников электронной промышленности невозможна без знаний причин процессов возникновения основных вредных и опасных факторов производства микроэлектронной продукции.

Современный инженер электронной техники наряду с высокой профессиональной подготовкой должен владеть знаниями в области безопасности производственных процессов, поскольку первое условие научно-организованного труда состоит в обеспечении безопасности людей. В этой главе будет проведено выявление всех вредных и опасных факторов на участке химической обработки (ХО) пластин кремния с целью разработки мероприятий по созданию безопасных условий труда.

Участок ХО входит в состав комплекса технических участков, который является чистым производственным помещением, которое состоит из дифференцированных по классам чистоты комнат, чередующихся с зонами обслуживания и связанных между собой чистым проходным коридором. Чистое производственное помещение оборудовано независимой от других помещений схемой воздухоснабжения. Вентиляция характеризуется ламинарным вертикальным потоком воздуха. Потолок выполнен из фильтровальных ячеек.

Участок ХО находится в чистой комнате с классом чистоты 1000. Исходя из интенсивности работы на участке полировки, ее можно отнести к категории “легкая I”, поскольку она проводится фактически без систематического физического напряжения или поднятия и переноса тяжести.

Рассмотрим все опасные и вредные факторы, определяющие условия труда:

Физические факторы:

а) Параметры микроклимата (температура, относительная

влажность, скорость и давление воздуха);

б) Производственные излучения (шумы при работе

оборудования и вентиляции);

в) Нерациональное освещение;

г) Электроопасность;

д) Пожароопасность;

Химические факторы:

а) Химические реактивы - токсичные вещества (этиловый спирт, бензин, смесь кислот КАРО).

Психофизиологические факторы:

а) Монотонность труда.

б) Нервно-психическая нагрузка.

Все перечисленные факторы имеют место на участке ХО.

4.1 Производственная безопасность

Проведем анализ производственной безопасности на участке химической обработки пластин кремния. Рассмотрим наиболее вредные факторы, оказывающие влияние на здоровье и работоспособность человека, определим нормативные документы для них, а так же рассмотрим защитные мероприятия для устранения вредных факторов на рабочих.

4.1.1 Физические факторы:

1) Параметры микроклимата (температура, относительная влажность, скорость и давление воздуха). Микроклимат в чистом производственном помещении (гермозоне) должен поддерживаться постоянным и одинаковым. Даже самое небольшое отклонение от заданных параметров может привести к непоправимым дефектам на пластине, вследствие чего она станет абсолютно негодной для дальнейшей обработки. Такие параметры хороши для производства, но не для человека. Очищенный воздух, без примесей и с минимальным количеством частиц в 1 м3 непривычен для человека, долгое нахождение в гермозоне может нанести вред здоровью человека. Поскольку гермозона - закрытое производственное помещение, то там совсем нет солнечного света, соответственно человек не получает нужную ему дозу ультрафиолета. Значения микроклимата, которые должны поддерживаться в гермозоне: = С, = , число частиц размером 0,1 - 0,5 мкм =1000 в 1 м3 воздуха. Эти параметры соответствуют ГОСТу Р 50766-95: максимальное число частиц в одном м3 (литре) воздуха размером 0.1 - 0,5 мкм не должно превышать 3520, а значения температуры воздуха и относительной влажности таковы: С, .

2) Производственные излучения (шумы при работе оборудования и вентиляции). На участке ХО уровень шума невысок, но однако же не стоит недооценивать влияние шумов на здоровье и работоспособность человека. Из-за наличия шума снижается работоспособность человека, уменьшается концентрация внимания, увеличивается число ошибок, развивается утомление. Шум влияет на работу ЦНС (центральной нервной системы), а так же отражается на сердечно-сосудистой системе: изменяется частота сердечных сокращений, повышается или понижается артериальное давление, повышается тонус и снижается кровонаполнение сосудов головного мозга. Основной источник шума на участке ХО - это производственное оборудование, вторичный источник - вентиляция. Уровень звукового давления на участке составляет 70 дБ. А в соответствии с ГОСТом 12.1.003-83, уровень шума не должен превышать 75 дБ, поэтому все соответствует производственным нормам.

3) Нерациональное освещение. Одним из главных факторов производственной безопасности является обеспечение должного освещения рабочего места. Длительная работа человека в условиях нерационального освещения ведет к утомлению глаз, центральной нервной системы, понижает умственную и физическую работоспособность, создает ощущение дискомфорта, способствует возможности получения производственных травм. Из-за этих факторов снижается производительность труда и увеличивается брак продукции. На нашем участке ХО общего освещения для работы недостаточно, поэтому тут применяется комбинированное освещение, т.е. свет поступает от люминесцентных ламп, расположенных на потолке, а так же от светильников на рабочих местах. На каждом рабочем месте должен стоять такой светильник, чтобы сотрудник предприятия мог без вреда для здоровья работать в соответствии со своими обязанностями. Освещение рабочего места изменяется в пределах лк. А согласно СНиП 23-05-95, наименьший уровень освещения должен быть равен: = 150 лк (при общем освещении) и = 500 лк (при комбинированном освещении). В конце этой главы приведен инженерный расчет местного освещения на производстве для выяснения какой же светильник нужно применять в данном случае.

4) Электроопасность. Электронасыщенность современного производства формирует электрическую опасность, источником которой являются электрические сети, производственное оборудование и инструментарий, работающие на электричестве. Электротравматизм, по сравнению с другими видами производственных вредных факторов, составляет небольшой процент, однако по числу травм с тяжелым, и особенно летальным, исходом занимает одно из первых мест. На участке ХО основной электроопасностью является электролитическое воздействие - оно заключается в электролитическом разложении жидкостей, в том числе и крови. Это воздействие может произойти с человеком непосредственно при работе с химическими реактивами и с установками, работающими на электричестве. Но так же не стоит исключать просто поражение рабочего током из-за оголенной проводки или несоблюдения мер безопасности. Согласно ГОСТ 12.1.038 - 82, ток промышленной частоты 50 Гц: а) 0,5…1,5 мА - пороговый ощутимый; б) 10…15 мА - пороговый неотпускающий; в) 100 мА - смертельно опасный. На участке химической обработки нет установок, с высоким током потребления, все работают от сети 220 В, электроопасность сведена к минимуму, ГОСТ соблюдается.

5) Пожароопасность. Пожары на предприятиях зачастую возникают по причине повреждения электропроводки, а также производственного оборудования, находящегося под напряжением. Кроме того, пожароопасность выше там, где возможна неисправность отопительных систем, повреждение емкостей с легковоспламеняющимися жидкостями и тому подобные нештатные ситуации. В случае возникновения пожара главной угрозой для здоровья человека является дым, и только потом уже огонь. В задымленном помещении человек теряется, начинает задыхаться и паниковать, происходит поражение дыхательных путей, органов зрения и обоняния. При взаимодействии с огнем последствия оказываются куда серьезнее: поражается слой кожного покрова человека, нарушается работа органов человека, при этом все сопровождается сильной болью. Снизить реальную пожароопасность на участке ХО можно, ограничивая количество хранящихся и одновременно используемых в технологических циклах горючих веществ и химических реактивов, применяя для пожароопасных веществ герметизированное оборудование и тару. Согласно ГОСТ 12.1.004-91, допустимый уровень пожарной опасности для людей на предприятии должен быть не более воздействия опасных факторов пожара, превышающих допустимые значения в год, в расчете на человека (открытое пламя, повышенная температура, токсические продукты горения и термического разложения, пониженная концентрация кислорода и т.д.).

4.1.2 Химические факторы:

1) Химические реактивы - токсичные вещества. Самой главной опасностью для жизни и здоровья человека на участке химической обработки является работа с химическими реактивами. Неосторожное обращение с ними может привести к крайне тяжелым последствиям, таким как химические ожоги тела различной степени тяжести, ожоги воздушно-дыхательных путей, частичная или даже полная потеря зрения и т.д. Перечислим химические реактивы, их воздействия на организм человека, а так же класс опасности:

· Этиловый спирт (этанол) - наркотик. При длительном воздействии вызывает тяжелые заболевания всех систем организма - IV класс опасности.

· Бензин - наркотик: влияет на кроветворные органы, нарушает дыхание, вызывает судороги, нервные расстройства, учащает заболевания верхних дыхательных путей, вызывает расстройства пищеварения - IV класс опасности.

· Индий In - поражает печень, почки, сердце, легкие и центральную нервную систему - I класс опасности.

· Свинец Pb - сильный яд, действующий на все органы и системы человека, нарушает большинство процессов - I класс опасности.

Для предотвращения воздействия этих вредных факторов на организм человека нужно не только следовать технике безопасности в производственном помещении, но и следить за концентрацией этих вредных веществ в воздухе рабочей зоны. Они не должны превышать ПДК (предельно-допустимых концентраций). Согласно ГОСТ 12.1.007-76, концентрации вредных веществ в воздухе рабочей зоны не должны превышать следующих значений:, = 1000 мг/м3, (бензин) = 100 мг/м3, = 0,1 мг/м3, = 0,01 мг/м3.

4.1.3 Психофизиологические факторы:

1) Монотонность труда. Работа по обработке пластин кремния на участке химической обработки довольно монотонна и постоянна, она малосодержательна. Операции повторяются из раза в раз, с небольшим изменением лишь при вводе новой партии нового изделия. При такой работе на участке, оператор может легко забыться, делая все “автоматически”, и совершить ошибку. Поэтому для предотвращения таких происшествий, нужно быть собранным, с ясной головой и четким осознанием того, какую работу сейчас предстоит совершить. Раз в 2-3 часа нужно делать небольшие перерывы (10-15 минут) в работе, отвлечься, поговорить с коллегами, дать себе возможность передохнуть.

2) Нервно-психическая нагрузка. Повышенная напряженность труда при обработке пластин требует длительного сосредоточенного внимания, из-за чего у работника возникает дополнительная нагрузка на нервную систему. Такая однообразная работа тяжела не физически, а психически. На нервную систему человека идет огромная нагрузка. Немаловажным фактором, который усугубляет отрицательное воздействие на психику человека является и то, что производственное помещение (гермозона) закрыта, в неё не проникает солнечный свет, т.е. работник чувствует себя “запертым в 4х стенах”. Как и в случае с монотонностью труда, для предотвращения вредных факторов на нервную систему и психику человека, нужно давать себе краткие отдыхи в течение рабочего дня.

4.1.4 Разработка защитных мероприятий, выбор средств защиты работающих от опасных и вредных факторов на производстве:

Для защиты производственного рабочего на участке ХО от вредных и опасных факторов, необходимо воспользоваться Г методом (комбинация мероприятий Б и В методов).

1) Технические принципы улучшения труда: производственное помещение (гермозона) должно быть оборудовано системами кондиционирования и обеспыливания воздуха. Необходимо обеспечить герметизацию производственного помещения на воздухопыленепроницаемость, максимальную защиту от теплопоступлений летом и теплопотерь зимой. Системы вентиляции и кондиционирования воздуха должны быть оборудованы звуко- и вибропоглощающими устройствами. Все электрооборудование напряжением более 36 В должно быть заземлено. Освещение на рабочем месте должно быть совмещенным. На участке ХО должны находиться огнетушитель и емкость с песком для предотвращения возможных случаев возникновения пожара на производстве.

2) Организационные принципы улучшения труда: рабочий может выполнять только ту работу, которая ему поручена и при условии, что способы безопасного выполнения ее им усвоены. Рабочие должны хорошо знать: порядок работы по регулировке р/а, опасные моменты и способы их предупреждения; профессиональные вредности, могущие возникнуть при работе и методы борьбы с ними; меры оказания первой помощи при ожогах, поражениях эл. током и других несчастных случаях; противопожарные инструкции, первичные средства пожаротушения и пользование ими. Необходимо соблюдать режим труда и отдыха, т.к. работа оператора часто связана с неудобным положением тела, отличается монотонностью, значительной длительностью сосредоточенного внимания (регламентированные перерывы в работе).

3) Экономические принципы улучшения труда: поощрение работодателей за улучшение условий труда и сохранение здоровья трудящихся.

4.2 Экологическая безопасность

В целях охраны окружающей среды участок ХО должен быть оборудован канализацией для слива кислот и щелочей с последующей их нейтрализацией и очисткой, которые представляют собой химическую адсорбцию, осаждение и фильтрацию. Установки (GIR 260, Изотрон 3-150) необходимо укомплектовать отстойником, предназначенным для исключения попадания частиц твердой фазы в сточную канализацию.

Для спуска производственных вод предусматривают канализационные устройства. Канализация состоит из внутренних канализационных устройств, расположенных в здании, наружной канализационной сети (подземных труб, каналов, смотровых колодцев), насосных станций, напорных и самотечных коллекторов, сооружений для очистки, обезвреживания и утилизации сточных вод, устройств их выпуска в водоем. Канализование промышленных площадок осуществляют по полной раздельной системе.

Все сточные воды предприятия должны подвергаться очистке от вредных веществ перед сбросом в водоем. Для выполнения этих требований применяют механические, химические, биологические, а также комбинированные методы очистки. Состав очистных сооружений выбирают в зависимости от характеристики и количества поступающих на очистку сточных вод, требуемой степени их очистки, метода использования их осадка и от других местных условий.

В составе очистных сооружений должны предусматриваться решетки или решетки-дробилки, песколовки и песковые площадки, усреднители, отстойники, нефтеловушки, гидроциклоны, флотационные установки, илоуплотнители, биологические фильтры, аэротенки, сооружения для насыщения очищенных сточных вод кислородом.

Решетки должны иметь прозоры 16 мм. Механизированная очистка решеток от отбросов предусматривается при количестве отбросов 0.1 м3/сут.

Песколовки тангенциальные применяют для станций очистки производительностью до 50000 м3/сут. Горизонтальные - производительностью свыше 10000 м3/сут и аэрируемые - производительностью свыше 20000 м3/сут.

Отстойники выбирают с учетом производительности станций очистки сточных вод: до 20000 м3/сут - вертикальные, свыше 15000 м3/сут - горизонтальные, свыше 2000 м3/сут - радиальные, до 10000 м3/сут - двухярусные.

Гидроциклоны (открытые и напорные) применяют для отделения из сточных вод оседающих и грубодисперсных примесей. Открытые гидроциклоны используют трех типов: гидроциклоны без внутренних устройств для выделения из сточных вод крупно- и мелкодисперсных примесей гидравлической крупностью 5 мм/с и более, гидроциклоны с диафрагмой и многоярусные (при расходе 200 м3/сут на один аппарат) для выделения из сточных вод примесей крупностью 0.2 мм/с и более, а также нефтепродуктов.

Флотационные установки (импеллерные и напорные) применяют для удаления из сточных вод оседающих нефтепродуктов, жиров, волокон минеральной ваты, асбеста, шерсти и других нерастворимых в воде веществ. Импеллерные флотационные установки используют для удаления из воды грубодисперсных примесей, напорные - для удаления из воды тонкодисперсных примесей.

Биологические фильтры (капельные и высоконагружаемые) используют для очистки сточных вод производительностью не более 1000 м3/сут, высоконагружаемые биофильтры - на станциях производительностью до 50000 м3/сут.

Аэротенки (смесители, вытеснители, промежуточного типа и отстойники) применяют для полной и неполной биологической очистки сточных вод.

Методы очистки вентиляционных выбросов должны быть основаны на химическом взаимодействии паров реактивов с адсорбентом и обеспечивать их полную очистку.

4.3 Инженерный расчет

Расчет местного освещения на рабочем месте инженера-технолога.

Поскольку общего освещения недостаточно для обеспечения требуемой освещенности на рабочих местах, необходимо использовать местное освещение. Требуемую мощность светильника при местном освещении можно рассчитать точечным методом.

В основе расчета лежит следующее уравнение:

, (4.1) где:

сила света в направлении от источника на данную точку рабочей поверхности, определяется по таблице;

угол между нормалью к рабочей поверхности и направлением из расчетной точки на источник света;

коэффициент, учитывающий действие удаленных источников (). Для расчетов примем ;

высота светильника над рабочей поверхностью;

коэффициент запаса.

Рис. 4.1. Схема для расчета освещения.

Для местного освещения будет использоваться светильник типа “Универсаль” с лампой накаливания. Для этого типа светильника и для угла , по таблице определим значение силы света .


Подобные документы

  • Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.

    курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008

  • Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.

    курсовая работа [150,4 K], добавлен 12.06.2010

  • Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.

    дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010

  • Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.

    контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013

  • Электрические параметры интегральной микросхемы (ИМС). Расчет параметров модели полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Моделирование схемы включения истокового повторителя. Разработка топологии и технологического маршрута изготовления ИМС.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 29.09.2010

  • Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.

    курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013

  • Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.

    курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012

  • Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010

  • Классификация типов электрических моделей и моделирования интегральных схем. Основной задачей моделирования интегральной схемы является оптимальный синтез ее принципиальной электрической схемы (модели). Дискретные логические схемы. Параметры и типы схем.

    реферат [1,1 M], добавлен 12.01.2009

  • Анализ технического задания. Выбор способа изготовления печатной платы, расчет конструктивно-технологических параметров, выбор элементов и материалов, расчет надежности. Технологический процесс изготовления реле, операционная карта изготовления.

    курсовая работа [120,3 K], добавлен 03.07.2008

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.