Защита ИМС от воздействия дестабилизирующих факторов
Герметизация с использованием корпусов как основной способ защиты полупроводниковых ИМС от воздействия дестабилизирующих внешних факторов. Типы корпусов ИМС. Конструкции керамического, металлокерамического, металлостеклянного и пластмассового корпусов.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 13.06.2009 |
Размер файла | 3,7 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
9
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
КАФЕДРА РЭС
РЕФЕРАТ
НА ТЕМУ:
"Защита ИМС от воздействия дестабилизирующих факторов"
МИНСК, 2009
Основным способом защиты ИМС от воздействия дестабилизирующих факторов (температуры, влажности, солнечной радиации, пыли, агрессивных химических и биологических сред, механических воздействий) является герметизация. Ее осуществляют с помощью специально разработанных конструкций - корпусов, в которых размещают ИМС, либо нанесением защитных материалов непосредственно на поверхность ИМС.
В настоящее время разработка полупроводниковых ИМС в корпусах, как правило, сопровождается разработкой их аналогов в бескорпусном варианте. Бескорпусные полупроводниковые, а также гибридные ИМС разрабатывают для эксплуатации в составе ячеек и блоков микроэлектронной аппаратуры, которые подвергают общей герметизации.
Герметизация с использованием корпусов. Корпусы ИМС классифицируют по форме и расположению выводов и делят на пять типов в соответствии с табл.1 и рис.1-5 (ГОСТ 17467-79).
По габаритным и присоединительным размерам корпусы подразделяют на типоразмеры, каждому из которых присваивается шифр, состоящий из номера подтипа (табл.1) и двузначного числа (01-99), означающего порядковый номер типоразмера; номер подтипа и порядковый номер типоразмера дают шифр типоразмера. Стандартом регламентируются габаритные размеры корпусов, количество выводов, расстояние между ними, диаметр (ширина) и длина выводов и т.д. В конструкторской документации корпусам присваиваются условные обозначения, содержащие слово "Корпус", шифр типоразмера, цифровой индекс, определяющий число выводов, порядковый регистрационный номер разработки и указание на стандарт (например, корпус 2103.16-8 ГОСТ 17467-79). Значительная часть используемых в настоящее время корпусов была разработана до введения, в действие нового стандарта и обозначается согласно ГОСТ 17467-72, в котором не были предусмотрены подтипы и отсутствовали корпусы типа 5. Далее, где это возможно, приводятся обозначения типоразмеров согласно новому и старому стандартам.
В зависимости от применяемых материалов корпусы ИМС подразделяют на стеклянные, керамические, пластмассовые, металлостеклянные, металлокерамические, металлополимерные, стеклокерамические и др. Конструкции наиболее широко применяемых для герметизации полупроводниковых ИМС корпусов показаны на Рис.6-14, а их конструктивно-технологические характеристики даны в табл.2-4.
Табл.1 Типы корпусов ИМС по ГОСТ 17467-79
Тип |
Подтип |
Форма проекции корпуса на плоскость основания |
Расположение проекции выводов (выводных площадок) на плоскость основания |
Расположение выводов (выводных площадок) относительно плоскости основания |
|
1 |
11 12 13 14 |
Прямоугольная |
В пределах проекции корпуса |
Перпендикулярное, в один ряд Перпендикулярное, в два ряда Перпендикулярное, в три ряда и более Перпендикулярное, по контуру прямоугольника |
|
2 |
21 22 |
То же |
За пределами проекции корпуса |
Перпендикулярное, в два ряда Перпендикулярное, в четыре ряда в шахматном порядке |
|
3 |
31 32 |
Круглая Овальная |
В пределах проекции корпуса |
Перпендикулярное, по одной окружности |
|
4 |
41 42 |
Прямоугольная |
За пределами проекции корпуса |
Параллельное по двум противоположным сторонам Параллельное по четырем сторонам |
|
5 |
То же |
В пределах проекции корпуса |
Перпендикулярное, для боковых выводных площадок; в плоскости основания для нижних выводных площадок |
На Рис.6, 8, 9, 11 и 13 представлены конструкции металлокерамических и металлостеклянных корпусов. Корпусы состоят из металлического дна и металлической крышки, а также стеклянных или керамических деталей, в которые впаяны либо впрессованы металлические выводы круглого или прямоугольного сечения. Металлическое дно также спаяно или спрессовано со стеклом или керамикой. Такие корпусы герметизируют созданием вакуум-плотного соединения крышки с вваренным в диэлектрик фланцем путем пайки или сварки. Монтажная площадка, контактные площадки и выводы подобных корпусов имеют золотое покрытие толщиной 2-5 мкм для обеспечения процессов эвтектической пайки, разварки выводов и улучшения паяемости при сборке.
Рис.4. Конструкции корпусов
Рис.5. Конструкция типа 4 подтипа 41 с двумя корпуса типа 5 вариантами формовки выводов прямоугольного сечения (а) и подтипа 42 (б)
Рис.6. Конструкция металлокерамического корпуса 2103 (201.8-1).
Рис.7. Конструкция керамического корпуса 2103 (201.16-13, 201.16-15)
Табл.2 Конструктивно-технологические характеристики корпусов типа для герметизации полупроводниковых ИМС
Условное обозначение корпуса |
Вариант исполнения |
Масс, г, не более |
Размер монтажной площадки, мм |
Метод крепления кристалла в корпусе |
||
эвтектическая пайка |
посадка на клей |
|||||
2103 (201.8-1) |
МК |
1,8 |
5,0Ч3,0 |
+ |
+ |
|
2102 (201.14-10) |
МК |
1,55 |
5,6Ч3,0 |
+ |
- |
|
2103 (201.16-8) |
К |
1,6 |
5,0Ч3,0 |
+ |
+ |
Рис.8. Конструкция металлостеклянного корпуса 3104 (302.8-1).
При отсутствии золочения монтажной площадки для монтажа ИМС в корпус применяют не эвтектическую пайку, а используют клей холодного отверждения. Для изготовления металлостеклянных корпусов используют дефицитные материалы - золото, никель-кобальтовые сплавы, поэтому они служат лишь для герметизации ИМС специального назначения, БИС и СБИС с большим количеством выводов.
Конструкции керамических корпусов (рис.7,12), согласно данным табл.2, 4, обеспечивают большое количество типоразмеров, хотя и обладают менее хорошими защитными свойствами и характеристиками надежности из-за большей хрупкости керамического основания крышки, если она выполняется тоже из керамики, и более высокого теплового сопротивления корпуса. Керамические корпусы изготовляют из нескольких (двух-трех) слоев керамики, на которые наносят методами толстопленочной технологии проводящие дорожки и контактные площадки внутри и снаружи корпуса. После прессования многослойной структуры осуществляют обжиг, в результате которого формируется монолитное тело керамического корпуса с встроенными проводящими дорожками. Внешние плоские металлические выводы прямоугольного сечения приваривают к внешним контактным площадкам сбоку (рис.7) или поверх основания корпуса (рис.12). Аналогично формируются выводы и у плоских прямоугольных металлокерамических корпусов (рис.13).
Керамическими являются и корпусы типа 5 (см. рис.5), называемые микрокорпусами или кристаллодержателями. Они представляют собой керамическую пластину, внутри которой встроены металлические дорожки, а по периметру расположены металлизированные контактные площадки, используемые в качестве внешних выводов. Такая конструкция позволяет уменьшить размеры корпуса, увеличить стойкость к механическим воздействиям и улучшить схемотехнические и технологические характеристики.
Рис.9. Конструкция металлостеклянного корпуса 3204 (311.10-1)
Табл.3 Конструктивно-технологические характеристики корпусов типа 2 для герметизации полупроводниковых ИМС
Условное обозначение корпуса |
Диаметр контактной площадки, мм |
Масс, г, не более |
Мощность рассеяния при температуре 20°С, Вт |
Герметичность, л*мкм/с |
Метод крепления кристалла в корпусе |
||
эвтектическая пайка |
посадка на клей |
||||||
3101 (301.8-2) |
3,0 |
1,3 |
0,4 |
6,1*10-6 |
+ |
+ |
|
3107 (301.12-1) |
3,8 |
3,0 |
0,5 |
6,1*10-6 |
+ |
+ |
|
3104 (302.8-1) |
3,0 |
1,25 |
- |
6,1*10-6 |
+ |
+ |
Рис. 10. Конструкция металокорпуса 4105 (401.14-3) стеклянного корпуса 4105 (401.14-3).
Рис.12. Конструкции керамических корпусов 4118.24-1, 4118 24-2 4118 24-3, 4118.24-4
Табл.4 Конструктивно-технологические характеристики корпусов типа 2 для герметизации полупроводниковых ИМС
Условное обозначение корпуса |
Вариант исполнения |
Масс, г, не более |
Размер монтажной площадки, мм |
Метод крепления кристалла в корпусе |
||
эвтектическая пайка |
посадка на клей |
|||||
4105 (401.14-3) |
С |
0,35 |
4,9Ч2,0 |
- |
+ |
|
4105 (401.14-4) |
МС |
0,35 |
4,9Ч2,0 |
+ |
+ |
|
4105 (401.14-5) |
МС |
0,6 |
4,9Ч2,0 |
+ |
- |
Рис.13. Конструкция металлокерамического корпуса 4122.40-2.
Рис.14. Конструкция пластмассового корпуса 2102 (201.14-1)
Литература
1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.
2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ. РУ, 2003. - 440 с.
3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.
4. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 2001. - 526 с.
5. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М.: Радио и связь, 2000. - 416 с.
6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. М.: Высш. шк., 2000. - 160 с.
Подобные документы
Метод статических испытаний (метод Монте-Карло) для прогнозирования электро-радиоэлементов (конденсаторов). Влияние дестабилизирующих факторов на конденсаторы. Максимальное отклонение коэффициента влажности. Увеличение границы половины поля допуска.
лабораторная работа [17,1 K], добавлен 20.12.2010Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012Виды герметизации пропитки, назначение и область их применения. Основные свойства пропиточных материалов, рекомендации по применению. Обволакивание и заливка. Неразъёмная герметизация сваркой и пайкой. Проходные изоляторы для герметизированных корпусов.
реферат [569,8 K], добавлен 10.12.2008Анализ требований по устойчивости к внешним воздействиям. Выбор материалов для изготовления печатной платы и способов защиты устройства от дестабилизирующих факторов. Методы обеспечения надёжности РЭА, его ориентировочный расчёт. Сборка печатного узла.
курсовая работа [87,9 K], добавлен 30.01.2015Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для их герметизации. Материалы деталей для корпусов транзисторов. Назначение и работа автомата герметизации. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. Технология изготовления детали.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 21.06.2014Обзор характеристик контроллера по сбору аналоговой информации и преобразовании ее в цифровую, типы корпусов и исполнений, функциональное назначение выводов. Описание регистров PIC, тактовых генераторов. Система команд, блок ввода аналоговых данных.
курсовая работа [338,0 K], добавлен 05.09.2011Общие сведения о переездной сигнализации. Технические решения по обнаружению препятствий на переезде. Выбор и расчет функциональной и электрической схемы охранной системы. Разработка конструкции излучателя и приемника. Конструирование корпусов устройства.
дипломная работа [1,4 M], добавлен 25.10.2011Монтаж с использованием эвтектических сплавов, клеев. Контактные площадки кристаллов и корпусов. Присоединение тонких алюминиевых или золотых проволочек. Методы присоединения электродных выводов. Монтаж перевернутого кристалла и его разновидности.
реферат [1,0 M], добавлен 14.01.2009Структура и элементы схемы измерительной цепи. Изучение конструкции и принципов работы полупроводниковых стабилитронов. Их главные параметры и критерии измерения. Исследование оценка изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа [706,8 K], добавлен 25.06.2015