Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода

Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.

Рубрика Физика и энергетика
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 23.03.2014
Размер файла 150,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.

    курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011

  • Прямые и косвенные измерения напряжения и силы тока. Применение закона Ома. Зависимость результатов прямого и косвенного измерений от значения угла поворота регулятора. Определение абсолютной погрешности косвенного измерения величины постоянного тока.

    лабораторная работа [191,6 K], добавлен 25.01.2015

  • Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.

    контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014

  • Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.

    курсовая работа [362,1 K], добавлен 28.02.2016

  • Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.

    контрольная работа [417,4 K], добавлен 25.11.2012

  • Напряжение тока и сопротивление диода. Исследование вольтамперной характеристики для полупроводникового диода. Анализ сопротивления диода. Измерение напряжения и вычисление тока через диод. Нагрузочная характеристика параметрического стабилизатора.

    практическая работа [2,0 M], добавлен 31.10.2011

  • Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.

    реферат [1,9 M], добавлен 26.06.2010

  • Механизм действия полупроводникового диода - нелинейного электронного прибора с двумя выводами. Работа стабилитрона - полупроводникового диода, вольтамперная характеристика которого имеет область зависимости тока от напряжения на ее обратном участке.

    презентация [182,4 K], добавлен 13.12.2011

  • Традиционные термоэлектрические материалы, теллуриды висмута и свинца. Улучшение термоэлектрической добротности однородных материалов. Термовольтаический эффект в поликристаллическом SmS. Выбор оптимальной концентрации носителей и ширины запрещённой зоны.

    дипломная работа [1,3 M], добавлен 11.07.2015

  • Составление и обоснование электрической схемы измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов. Определение перечня необходимых измерительных приборов и оборудования, сборка экспериментальной установки. Построение графиков зависимостей.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 19.11.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.