Склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник

Размещено на http://www.allbest.ru

ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

УДК 536.425+536.764+666.266.6

Склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал напівпровідник

01.04.07 фізика твердого тіла

АВТОРЕФЕРАТ

дисертації на здобуття наукового ступеня

доктора фізико-математичних наук

Івон Олександр Іванович

Дніпропетровськ 2008

Дисертацією є рукопис

Робота виконана в Дніпропетровському національному університеті, Міністерство освіти і науки України

Захист відбудеться “30“ травня 2008 р. о 1430 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050, м. Дніпропетровськ 50, вул. Наукова, 10, корпус 11, ауд. 300)

З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Дніпропетровського національного університету (49050, м. Дніпропетровськ 50, вул. Казакова, 8).

Відгук на автореферат дисертації надсилати на адресу: 49010, м. Дніпропетровськ, 10, пр. Гагаріна, 72

Автореферат розісланий “ 9 “ квітня 2008 р.

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Спиридонова І.М.

оксид ванадієвий кристалічний

1. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми. Фазовий перехід метал-напівпровідник (ФПМН) є переходом першого роду, який спостерігається в оксидах та сульфідах перехідних металів і супроводжується перебудовою їх енергетичної структури. Ця перебудова відбувається завдяки електронно-електронній або електронно-фононній взаємодіям, які відіграють значну роль в формуванні енергетичної структури матеріалу через вузькість дозволених електронних зон. Питання про те, яка з цих взаємодій ініціює ФПМН, до цього часу є дискусійним і потребує подальших досліджень. Завдяки перебудові енергетичної структури при ФПМН спостерігається унікальне фізичне явище різка зміна (стрибок) електричних, оптичних, магнітних та інших параметрів матеріалу. Це має значний прикладний інтерес для створення на основі матеріалів з ФПМН різноманітних електронних, оптоелектронних та оптичних приладів: критичних терморезисторів, електричних і оптичних перемикачів, елементів пам'яті та відображення інформації, болометрів, „інтелектуальних” вікон та інших. Тому дослідження матеріалів з ФПМН має важливе наукове і прикладне значення.

Незважаючи на широкі можливості практичного використання матеріалів з ФПМН, багато з них до цього часу не реалізовано. Причиною є незворотні зміни (деградація) фізичних параметрів кристалів з ФПМН при термоциклюванні через температуру фазового переходу Tt. Фізичні процеси, які призводять до деградації, досліджені мало, а шляхи її подолання невизначені. Більшість наукових праць, пов'язаних з дослідженням і використанням матеріалів з ФПМН, присвячена плівкам, що обумовлено їх досить стабільною поведінкою при термоциклюванні. Проте плівки, на відміну від об'ємних матеріалів, нездатні працювати при значних електричних струмах, і тому непридатні, наприклад, для використання в силовій електроніці. Перспективними для цього є об'ємні склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник. Відомостей про такі матеріали в науковій літературі мало, а фізичні процеси, які викликає в них ФПМН, практично не вивчались.

В зв'язку з цим синтез і комплексне дослідження об'ємних склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник, які мають властивості, притаманні такому переходу, і не виявляють деградації при термоциклюванні є актуальною науковою і прикладною задачею.

Яскравим представником матеріалів з ФПМН є діоксид ванадію (VO2), який має зручну для багатьох практичних застосувань температуру переходу Tt 341 K і стрибок електропровідності в її межах 102 105. Це визначило вибір в роботі VO2 як основи склокерамічних матеріалів. Дослідження таких матеріалів дозволяє отримати наукові результати, які з урахуванням спільності фізичних процесів, притаманних різним сполукам з таким переходом, дозволяє узагальнити їх на весь клас склокерамічних матеріалів на основі компонента з ФПМН.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Напрямок дисертаційної роботи пов'язаний з планами науково-дослідних робіт і держбюджетними темами, які виконувались і виконуються в Дніпропетровському національному університеті на факультеті „Фізики, електроніки та комп'ютерних систем”: координаційний план АН СРСР на 1981-1985 р. за темою „Исследование свойств материалов твердотельной электроники с целью их оптимального использования” (звіт з НДР за 1983 та 1985 р., № держреєстр. 81081755); № 2494 „Дослідження електричних властивостей керамік, елементів захисту від перенапруги” (№ держреєстр. 0194U001000); № 06-83-98 „Дослідження впливу деградаційних факторів на електронні явища в неоднорідних оксидних системах” (Науково-технічний план Міністерства освіти України, наказ № 37 від 13.02.97 р., № держреєстр. 0198U003735); №7-093-05 „Дослідження оптичних та електричних властивостей напівпровідникових кристалів, кераміки, гетероепітаксиальних та квантоворозмірних структур” (Наказ Міністерства освіти і науки України № 960 від 22.12.04 р., № держреєстр. 0105U000375).

Мета і задачі досліджень. Метою даного дослідження є встановлення закономірностей впливу умов одержання, хімічного складу і зовнішніх чинників (температури, електричного поля, термоциклювання через температуру ФПМН) на формування мікроструктури, фазовий склад, фізико-хімічні параметри та електрофізичні властивості склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник VO2, розробка модифікованих складів склокерамічних матеріалів, що мають властивості, притаманні ФПМН, і не виявляють деградації при термоциклюванні, а також можливості їх використання в електроніці і електротехніці для захисту від струмових та теплових перевантажень.

Для досягнення поставленої мети необхідно було вирішити наступні задачі:

1. Розвиток експериментальних методик одержання і дослідження кристалічного порошку VO2 та ванадієво-фосфатних стекол (ВФС), вивчення кристалізації ВФС та побудова фазової діаграми системи V2O5P2O5, дослідження кінетики розчинення VO2 в розплавах V2O5 та ВФС і побудова моделі цього процесу. Визначення і фізичне обґрунтування на основі отриманих даних оптимальних режимів синтезу кераміки на базі VO2 та ВФС, які забезпечують заданий комплекс електрофізичних властивостей, насамперед величину стрибка електропровідності склокераміки при ФПМН в VO2 не менше, ніж 102.

2. Дослідження мікроструктури та фазового складу кераміки на базі VO2 та ВФС і впливу на них добавок металів та оксидів з метою встановлення особливостей побудови цього гетерогенного матеріалу і модифікації фазового складу і мікроструктури склокераміки добавками.

3. Подальший розвиток моделі термічного аналізу для встановлення кількісного зв'язку між параметрами ендотермічного піку, обумовленого фазовим переходом метал-напівпровідник і вмістом компонента з ФПМН. Розробка за результатами моделювання ефективного методу контролю вмісту компонента з ФПМН в гетерогенних матеріалах і визначення на його підставі вмісту VO2 в склокераміці різних складів для отримання інформації про участь VO2 в процесах утворення фаз при синтезі склокераміки.

4. Дослідження електропровідності кераміки на базі VO2 та ВФС і її модифікованих складів з добавками металів і оксидів з метою вивчення впливу добавок на електропровідність та величину її стрибка при ФПМН в VO2 і встановлення механізму електропровідності. Побудова моделі електропровідності склокераміки на основі компонента з ФПМН і розробка рекомендацій по керуванню електропровідністю такої склокераміки шляхом варіації її складу.

5. Встановлення механізму перемикання і відхилення від закону Ома в склокерамічних матеріалах на основі VO2 та розробка моделі, яка описує вольт-амперні характеристики (ВАХ) таких матеріалів.

6. Встановлення механізму впливу термоциклювання через температуру ФПМН на електропровідність і ВАХ об'ємних склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник, розробка моделі деградації таких матеріалів при термоциклюванні та рекомендацій по подоланню деградацій шляхом варіації складу, мікроструктури та технології одержання. Розробка рекомендацій з практичного використання результатів досліджень.

Об'єктом дослідження є, процеси формування фазового складу та мікроструктури склокерамічних матеріалів на основі компонента з ФПМН і механізми явищ в таких матеріалах зв'язані з електропровідністю, відхиленням від закону Ома та термоциклюванням через температуру фазового переходу. Предмет дослідження об'ємні гетерогенні склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник VO2. Для розв'язання поставлених задач та досягнення мети дисертаційної роботи використовувались наступні експериментальні методи: рентгенофазовий, диференціальний термічний, термогравіметричний та хімічний аналізи, СЕМ, рентгенівський мікроаналіз і дилатометричний метод. Стандартні електрофізичні методи і прилади були використані для дослідження електропровідності і ВАХ зразків склокераміки.

Наукова новизна отриманих результатів. До найбільш суттєвих оригінальних результатів, що виносяться на захист, та отримані вперше особисто дисертантом, відносяться:

1. Розроблено наукові засади технології одержання склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник - діоксиду ванадію і оптимізовано режими синтезу таких матеріалів.

2. Встановлено закономірності формування фазового складу і мікроструктури склокераміки в системах VO2ВФС, VO2ВФСSnO2, VO2ВФС Cu, VO2ВФСCuSnO2, VO2ВФСZnSnO2, VO2ВФСCuTiO2 і VO2ВФС CuZnO. Показана можливість цілеспрямованих змін фазового складу і мікроструктури кераміки на базі VO2 і ВФС шляхом її модифікування добавками металів та оксидів.

3. Встановлено закономірності впливу мікроструктури, добавок металів та оксидів на питому електропровідність і величину її стрибка в межах температури Tt341 K в кераміці на базі VO2 та ВФС. Показано, що стрибок , обумовлений ФПМН у VO2, складає не менше 102 для склокераміки систем VO2ВФС, VO2ВФСSnO2, VO2ВФСCu і VO2ВФСCuSnO2 при вмісті міді не більше 5 ваг. % і зникає, коли її вміст перевищує 10 ваг. % або склад склокераміки модифіковано добавками TiO2, ZnO і Zn.

4. Розроблено модель електропровідності склокерамічних матеріалів на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник, згідно якій такі матеріали мають стрибок електропровідності в межах температури переходу, якщо в них при синтезі сформовано нескінченний кластер с протіканням крізь кристаліти компонента з ФПМН. Показано, що провідну роль для формування такого кластеру в склокераміці на основі VO2 грають провідникові містки між кристалітами VO2, які виникають в процесі синтезу за рахунок зростання кристалітів VO2, легування скла міддю і кристалізації фази V5O9.

5. Відкрито два нових явища, які зв'язані з фазовим переходом метал-напівпровідник гістерезис і розмірний ефект ВАХ. Ці явища спостерігаються у зразку матеріалу з ФПМН після перемикання у стан з низьким опором, коли в ньому співіснують як металева фаза в шнурі струму, так і напівпровідникова за його межами. Гістерезис спостерігається як незбіг гілок ВАХ, виміряних в циклі збільшення-зменшення струму, і є наслідком температурного гістерезису ФПМН, який веде до встановлення різних рівновагових температур на межі шнура металевої фази при збільшенні і зменшенні струму. Розмірний ефект полягає в зміні знаку диференційного опору ВАХ від негативного до позитивного при збільшенні струму і є наслідком обмеження розширення шнура металевої фази розмірами зразка. В межах електротермічної моделі отримано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує гістерезис і розмірний ефект.

6. Встановлено закономірності впливу термоциклювання через температуру ФПМН на електропровідність і ВАХ кераміки на базі VO2 та ВФС. Доведено, що причиною деградації склокераміки при термоциклюванні, яка полягає в незворотному зменшенні електропровідності та її стрибка при ФПМН, є механічні напруження, що виникають на межі металевої і напівпровідникової фаз і внаслідок малої пластичності кристалів VO2 і ВФС ведуть до утворення мікротріщин, котрі розривають електричні зв'язки в нескінченному кластері з протіканням крізь кристаліти VO2. Встановлено, що модифікування склокераміки міддю і SnO2 дозволяє подолати деградацію при термоциклюванні.

7. Вперше в рамках підходу, який базується на теорії протікання, уявленнях про енергію пружної деформації, викликаної ФПМН, та енергію формування мікротріщини розроблено модель деградації склокераміки на основі VO2. В межах моделі обгрунтовано значне зменшення деградації при модифікуванні склокераміки міддю і SnO2 і визначені рекомендації з подолання деградації при термоциклюванні шляхами зменшення розмірів кристалітів VO2 і їх об'ємної долі, а також створення розвиненої сітки електричних зв'язків між кристалітами VO2 за рахунок модифікування складу склокераміки добавками металів.

Практичне значення отриманих результатів.

1. Розроблено новий спосіб виготовлення VO2 шляхом відновлення V2O5 вуглецем, який дозволяє отримати VO2 зі стрибком електропровідності при ФПМН близько 103, відрізняється від відомих способів невеликими часовими затратами і може бути легко адаптований до промислового виробництва.

2. Розроблено спосіб виготовлення кераміки на базі VO2 і ВФС, а також її складів, модифікованих добавками металів і оксидів.

3. Розроблено нову методику визначення за даними ДТА вмісту VO2 в гетерогенних матеріалах з відносною похибкою не більше 5% при вмісті VO2 від 20 до 100 ваг. % і 10% при вмісті VO2 від 1 до 10 ваг. %.

4. В системі VO2ВФСCuSnO2 одержано об'ємні склокерамічні матеріали, які здатні працювати при струмі до десятка ампер, не проявляють суттєвої деградації електрофізичних параметрів після 104 термоциклів через температуру ФПМН і можуть служити основою для створення порогових перемикачів та критичних терморезисторів зі стрибком опору близько 102 в межах температури 343 K. Розроблено схеми та рекомендації з вибору оптимальних параметрів таких терморезисторів для ефективного захисту процесора комп'ютера від перегріву і освітлювальних ламп розжарювання від струму увімкнення.

Достовірність. Основні положення і висновки дисертації базуються на значному експериментальному матеріалі, одержаному із застосуванням комплексу взаємодоповнюючих, апробованих сучасних методів дослідження, широкому колі складів склокерамічних матеріалів на основі VO2, які досліджувались, відтворюванні і статистичній обробці результатів вимірів, співставленні результатів моделювання і розрахунку з експериментальними даними, а також на порівнянні результатів, отриманих в роботі, з даними інших дослідників.

Сукупність отриманих в роботі даних і розвинутих моделей складає основу для розвитку нового, перспективного напрямку фізики твердого тіла, а саме: розробка наукових засад синтезу та модифікування нового класу матеріалів - склокераміки на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник.

Особистий внесок здобувача. Експериментальні і теоретичні дослідження за темою дисертації, написання наукових статей, патентів, підготовка доповідей та їх тез виконані автором особисто або за його безпосередньою участю. Авторові особисто належать основні ідеї, покладені в основу дисертації, загальна постановка задачі, розробка та реалізація способів одержання об'єктів та методів їх досліджень, аналіз та інтерпретація результатів, розробка теоретичних моделей, формулювання наукових положень та висновків. Зокрема автором персонально: з'ясовано механізм електрокристалізації VO2 в розплавах V2O5 і ванадієво-фосфатних стекол і побудовано модель цього явища [1, 5, 8, 29]; методом ДТА досліджені ВФС різних складів після їх кристалізації і побудована фазова діаграма системи V2O5-VOPO4 [2-4]; запропоновано механізм розчинення VO2 в розплавах V2O5 і ВФС та побудована модель цього процесу [6]; запропоновано способи синтезу VO2 шляхом відновлення V2O5 вуглецем [18, 27] та одержання склокераміки на базі VO2 і ВФС [7, 28, 30], розроблено методику визначення вмісту VO2 в гетерогенних матеріалах [19]; на підставі даних рентгенофазового аналізу, СЕМ та рентгенівського мікроаналізу запропоновано механізм формування мікроструктури і фазового складу склокераміки на основі VO2 при синтезі [24]; досліджені температурні залежності електропровідності склокераміки різних складів і побудовано моделі для опису електропровідності [11, 13, 15, 16, 23, 33, 37]; досліджені ВАХ склокераміки на основі компонента з ФПМН і виконано їх теоретичний опис [14, 34]; відкриті явища гістерезису і розмірного ефекту ВАХ і запропоновано механізми цих явищ [20, 26, 36]; виконані дослідження впливу термоциклювання на електропровідність та ВАХ склокераміки на базі VO2 і ВФС, з'ясовано механізм такого впливу, запропоновано модель деградації склокераміки і шляхи боротьби з нею [9, 10, 12, 22, 31, 35]; досліджені можливості практичного використання склокерамічних матеріалів на основі VO2 для захисту процесора комп'ютера від перегріву і освітлювальних ламп розжарювання від струму увімкнення [21, 25, 38].

Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертації доповідались і обговорювались на: VII-ой Всесоюзной конференции по стеклообразному состоянию (Ленинград, 1981); Всесоюзной конференции „Новые электронные приборы и устройства” (Москва, 1982); Всесоюзной конференции „Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов” (Кишинев, 1982); Всесоюзной конференции „Новые процессы и оборудование для получения веществ реактивной квалификации” (Днепропетровск, 1982); I-ой Всесоюзной конференции по электрохимии (Москва, 1982); X National Scientific and Technical Conference with international participation „Glass and fine ceramics” (Varna, Bulgaria, 1990); International Conference on Electronic Ceramics & Applications (Aveiro, Portugal, 1996); International Conference of the European Ceramic Society „Euro Ceramics VI” (Brighton, UK, 1999); XIII-ой научно-технической конференции „Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления «Датчик-2001»” (Судак, 2001); 1-й Українській науковій конференції з фізики напівпровідників УНКФН-1 (Одеса, 2002); IV-й Міжнародній школі-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників” (Дрогобич, 2003); V-й Міжнародній школі-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників” (Дрогобич, 2005); Всеукраїнському з'їзді „Фізика в Україні” (Одеса, 2005); 2-й Міжнародній науково-технічній конференції „Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (Одеса, 2006); I-й Міжнародній науково-практичній конференції „Електромагнітна сумісність на залізничному транспорті” (Дніпропетровськ, 2007).

Публікації. Основні результати роботи опубліковані в 38 працях, з них 26 статей у фахових вітчизняних та зарубіжних виданнях, 2 патенти, 10 публікацій у збірниках матеріалів конференцій і тезах доповідей на конференціях.

Структура і обсяг дисертації. Дисертація складається із вступу, восьми розділів, висновків і списку використаних джерел. Вона містить 357 сторінок, 146 рисунків, 40 таблиць, список використаних джерел із 225 найменувань.

2. ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтовано актуальність теми дисертації, сформульовано мету і задачі досліджень, визначено наукову новизну і практичне значення одержаних результатів, особистий внесок здобувача, наведено відомості про апробацію результатів роботи та публікації, а також про структуру дисертації.

У першому розділі проаналізовано теоретичні моделі фазового переходу метал-напівпровідник, особливості ФПМН у діоксиді ванадію, ефекти, пов'язані з ФПМН, та їх практичне використання, відомі дані про деградацію матеріалів з ФПМН при термоциклюванні через температуру переходу, а також дані про керамічні та композиційні матеріали, які містять компонент з ФПМН.

Всі існуючі моделі ФПМН базуються на ідеях Мотта і Хаббард, які пов'язують такий перехід з електронно-електронною взаємодією і ідеях Пайерлса, в яких такий перехід пов'язується з електронно-фононною взаємодією. В моделях ФПМН, які базуються на електронно-електронній взаємодії, перебудова енергетичної структури матеріалу від металевої до напівпровідникової відбувається, коли енергія кулонівського відштовхування між електронами, розташованими на одному атомі, перевищує ширину дозволеної електронної зони. Моделі ФПМН, котрі базуються на електронно-фононній взаємодії, пов'язують перебудову енергетичної структури матеріалу при ФПМН зі змінами в кристалічній гратці, що призводять до додаткового розщеплення енергетичних рівнів електронів кристалічним полем. Слід зазначити, що завдяки тому, що обидва типи взаємодій завжди присутні в твердих тілах, часто при ФПМН спостерігаються ознаки, які характерні як для моделі Мотта-Хаббарда, так і для моделі Пайерлса. Так, наприклад, антиферомагнітний стан напівпровідникової фази в VO2 і різка зміна в електронній підсистемі при переході у металевий стан є характерними ознаками моделі Мотта-Хаббарда, з іншого боку викривлення кристалічної гратки при ФПМН, яке супроводжується подвоєнням її періоду, є типовим для моделі Пайерлса. Тому питання про те, яка з взаємодій ініціює ФПМН в VO2 до цього часу зостається дискусійним.

Різка зміна при ФПМН завдяки перебудові енергетичної структури електричних, оптичних магнітних та інших фізичних властивостей матеріалу має значний прикладний інтерес. Найбільш широко в науково-технічній літературі подано практичне використання діоксиду ванадію, який має температуру фазового переходу Tt 341 К. Нещодавні дослідження показали, що ФПМН у нанокристалах VO2 відбувається за час менший, ніж 10-13 с. Це відкриває нові перспективи для створення на базі VO2 надшвидких оптичних і електричних перемикачів, використання яких, наприклад, в елементній базі обчислювальної техніки дозволить суттєво збільшити продуктивність комп'ютерів. Слід відмітити, що більшість відомих практичних використань пов'язано з плівками VO2, які ведуть себе стабільно при термоциклюванні через температуру фазового переходу. Монокристали VO2 руйнуються при термоциклюванні. Це пов'язано з тим, що перебудова кристалічної гратки при ФПМН викликає значні механічні напруження в області межі металевої і напівпровідникової фаз, завдяки яким і малій пластичності монокристалів, відбувається їх розтріскування і руйнування. Так, наприклад, руйнування монокристалів V2O3 і VO2 на окремі фрагменти відбувається вже після декількох термоциклів через температуру ФПМН.

Аналіз літературних даних показує, що систематичні дослідження фізичних процесів, які відбуваються в матеріалі при термоциклюванні через температуру ФПМН, практично не проводились, хоча такі дослідження є актуальними, тому що дозволяють отримати інформацію важливу як для розуміння механізму впливу термоциклювання на фізичні властивості матеріалу, так і для вирішення проблеми деградації об'ємних матеріалів з ФПМН. Такі матеріали, на відміну від плівок, здатні працювати при сильних електричних струмах, що має значний практичний інтерес для створення елементів силової електроніки. Об'ємні композиційні і керамічні матеріали на основі компонента з ФПМН у науковій літературі подані значно менше, ніж плівки. Як правило, для таких матеріалів не наводяться відомості про деградацію їх фізичних параметрів при термоциклюванні, а саме ця особливість є принциповою для практичного використання.

Перспективними для вирішення проблеми деградації об'ємних матеріалів з ФПМН є склокерамічні матеріали на основі компонента з фазовим переходом метал-напівпровідник. Такі матеріали можна отримати за керамічною технологією. Важливою вимогою до них, окрім стабільної поведінки при термоциклюванні, є забезпечення домінуючого внеску компонента з ФПМН в фізичні властивості матеріалу, інакше важливі для практичного використання ефекти, пов'язані з ФПМН, будуть втрачені.

Другий розділ присвячено базовим компонентам склокераміки на основі VO2. В ньому описані розроблені в роботі наукові засади технології одержання VO2 методами електрокристалізації і відновлення V2O5 вуглецем, результати дослідження електропровідності VO2 та ванадієво-фосфатних стекол, на підставі вивчення кристалізації ВФС побудована фазова діаграма системи V2O5-VOPO4, наведені результати дослідження розчинення VO2 в розплаві V2O5 і побудована модель розчинення VO2 в розплавах V2O5 та стекол на його основі.

Електрокристалізацію VO2 (температура плавлення 1818 К) здійснювали при температурах 980 К - 1100 К шляхом пропускання електричного струму через розплав V2O5 або ВФС. Кристали VO2 виростали на платиновому катоді і відокремлювались травленням у 30 % розчині KOH. Механізм електролітичного вирощування кристалів VO2 пов'язаний з реакцією термічної дисоціації V2O5 V2O4q+ + Oq- і катодною електрохімічною реакцією V2O5 + qe V2O4 + Oq- (q = 1 чи 2). Пропускання струму за рахунок катодної реакції веде до збагачення прикатодної області розплаву V2O4 і, коли його вміст перевищує межу розчинності твердого діоксиду ванадію в розплаві, в прикатодній області створюються умови для росту кристалів VO2 із розчину в розплаві. Швидкість росту кристалів VO2 добре описується формулою, яка випливає з закону Фарадея:

. (1)

Вона складає 2,53 мг/с при струмі 5 А (тут ko - число переносу іонів Oq-, kv - число переносу іонів V2O4q+, Mv - молярна маса VO2, q - заряд іону кисню, NA - число Авогадро, I - сила електричного струму). Монокристали VO2, вирощені методом електрокристалізації, мають форму голок з довжиною 5 - 15 мм і поперечним перетином 0,5 - 1,5 мм2. В розплавах скла системи V2O5P2O5 оксид ванадію (V) грає вирішальну роль для електросинтезу кристалів VO2, тому для їх вирощування найбільш придатні ВФС складів (мол. %) (10-20)P2O5-(90-80)V2O5.

При синтезі VO2 шляхом відновлення V2O5 згідно реакції 2V2O5+C4VO2 +CO2 потрібно забезпечити такий режим відновлення, який виключає утворення інших оксидів ванадію. Тому в роботі були досліджені різні режими відновлення, яке виконували в нейтральній газовій атмосфері гелію або аргону. Вміст іонів V4+ і V5+ у кінцевому продукті визначали методом окисно-відновлювального титрування, а для контролю фазового складу використовували рентгенофазовий і диференціальний термічний аналізи. За результатами досліджень запропоновано спосіб, що складається з наступних етапів: 1) приготування шихти із розрахунку 1 моль C на 2 моля V2O5; 2) гомогенізація шихти та пресування з неї заготовок; 3) перший випал заготовок у нейтральній газовій атмосфері протягом 2,5 - 3 годин при температурі 930 К; 4) подрібнення продукту першого випалу і пресування з нього заготовок; 5) повторний випал заготовок в нейтральній атмосфері протягом 1,5 - 2 годин при температурі, обраній в інтервалі 1170 К - 1220 К. Кінцевим продуктом методу є порошок з середнім розміром часток 20 мкм і вмістом кристалічного VO2 не менше 98 ваг. %.

Питома електропровідність , величина її стрибка при ФПМН і енергія активації для VO2, одержаного різними методами, наведені у табл. 1.

Таблиця 1 Електропровідність VO2, одержаного різними методами

На підставі дослідження кристалізації стекол системи V2O5P2O5, з використанням методів рентгенофазового і диференціального термічного аналізів, встановлено, що при вмісті P2O5 не більше 50 мол. % вони кристалізуються з виділенням фаз V2O5 і -VOPO4. Побудована фазова діаграма системи V2O5-VOPO4, яка має простий евтектичний тип з точкою евтектики 60 мол. % V2O5. На підставі фазової діаграми системи V2O5-VOPO4 і результатів дослідження електрокристалізації VO2 в розплавах V2O5 і ВФС, згідно яким вирішальну роль в процесі росту кристалів VO2 відіграє V2O5, обгрунтовано вибір скла (мол. %) 80V2O5-20P2O5 для склокераміки на основі VO2. Таке скло відповідає евтектиці в системі V2O5-VOPO4 і в його розплаві слід очікувати близько 60 мол. % V2O5.

Згідно загальним положенням теорії фізики спікання (Гегузін, Скороход), рідка фаза при рідкофазному спіканні керамічних матеріалів полегшує дифузійні процеси, які пов'язані з ростом кристалітів. В кераміці на основі VO2 і ВФС функцію рідкої фази при синтезі виконує розплав ВФС. Для з'ясування механізму взаємодії твердого VO2 з рідкою фазою в роботі були виконані дослідження кінетики розчинення VO2 у розплаві V2O5. Дослідження виконували при фіксованій температурі в повітряній газовій атмосфері над поверхньою розплаву. Діоксид ванадію, який після заданого часу витримки не розчинився в розплаві, виділяли травленням у 30 % розчині КОН. Реєстрували залежності від часу приросту маси системи „розплав VO2” mo і маси розчиненого VO2 , яку визначали із вихідної маси VO2 та маси VO2, який не розчинився. Такі залежності наведені на рис. 1. Інтенсивне розчинення VO2 на початковому етапі і його сповільнення із зростанням часу (рис. 1б) свідчить про насичення розплаву діоксидом ванадію. При достатньо великих проміжках часу швидкості розчинення VO2 і приросту маси системи „розплавVO2” є постійними величинами, що залежать від висоти розплаву L над поверхнею VO2. Це свідчить про те, що кінетика розчинення VO2 визначається процесом взаємодії розплаву з киснем повітря. З урахуванням результатів експерименту запропонована модель, в якій процес розчинення VO2 розглядається як перехід комплексів V2O4 з твердої фази в розплав з подальшою їх дифузією до поверхні розплаву, де відбувається окислювальна реакція: V2O4+1/2O2 V2O5.

Розв'язування системи рівнянь, які описують дифузію комплексів V2O4 в розплаві, кінетику їх переходу з VO2 в розплав і окислення на його поверхні дає наступні вирази для швидкості розчинення VO2 і приросту маси системи:

, (2)

, (3)

де t час, Dv і Nv - коефіцієнт дифузії і вихідна концентрація комплексів V2O4 в розплаві; nvo - концентрація комплексів V2O4, що відповідає границі розчинності VO2; NА - число Авогадро; Mv молярна маса VO2; S - площа стикання розплаву з поверхнею VO2; Ao - атомна маса кисню.

Зворотно пропорційна залежність швидкостей mo/t, від висоти розплаву L добре виконується на практиці, що засвідчує адекватність моделі експерименту. В межах моделі отримані співвідношення, які дозволяють визначити низку параметрів процесу розчинення VO2 в розплаві V2O5. Такі параметри наведені в табл. 2.

Процес дифузії V2O4 в розплавах V2O5 і ВФС можна розглядати як естафетний обмін киснем між комплексами V2O4 і V2O5, котрі співіснують в таких розплавах. Тоді процес розчинення VO2 в розплавах, які містять V2O5, можна схематично описати реакціями:

V2O4(т) + V2O5(р) V2O5(т) + V2O4(р); V2O5(т) V2O5(р),

де (т) і (р) відповідають твердій і рідкій фазам. Оскільки температура перевищує температуру плавлення V2O5, V2O5(т), який утворюється на поверхні твердого VO2, переходить до розплаву, на що вказує друга з наведених вище реакцій.

Таким чином, процес взаємодії розплавів V2O5 і ВФС з твердим VO2 полягає у незначному його розчиненні, яке при температурах синтезу склокераміки на основі VO2 не перевищує 11 % від маси рідкої фази (табл. 2). Комплекси V2O4, які з'являються в рідкій фазі завдяки розчиненню VO2, мають суттєве значення для масообміну між твердими частками VO2 при синтезі склокераміки на його основі.

Таблиця 2 Границя розчинності VO2, коефіцієнт дифузії комплексів V2O4 і вміст іонів V4+в розплаві оксиду ванадію (V)

У третьому розділі з метою пошуку оптимального режиму синтезу виконані дослідження різних режимів синтезу склокерамічних матеріалів на основі VO2, методами рентгенофазового аналізу, СЕМ і рентгенівського мікроаналізу досліджені фазовий склад і мікроструктура кераміки на базі VO2 і ВФС та її складів, модифікованих добавками металів і оксидів.

Для виготовлення склокераміки використовували VO2, одержаний методом відновлення V2O5 вуглецем і ВФС складу (мол. %) 80V2O520P2O5. Режими синтезу були досліджені на базових складах склокераміки (ваг. %) cVO2(100-c)ВФС (70 ? c ? 95) (тут і далі склад за вмістом компонентів до синтезу склокераміки). Величину стрибка електропровідності склокераміки при ФПМН в VO2 використовували як основний критерій при аналізі режимів синтезу. На підставі результатів таких досліджень визначені наступні етапи виготовлення склокераміки на основі VO2: 1) виготовлення шихти шляхом змішування компонентів склокераміки згідно складу; 2) гомогенізація шихти; 3) пресування з шихти заготовок під тиском 15 МПа; 4) нагрів заготовок у нейтральній газовій атмосфері протягом 1020 хвилин до температури, обраної в інтервалі 11701220 К з наступним охолодженням. Одержана таким чином склокераміка cVO2(100-c)ВФС (70 ? c ? 90) має стрибок електропровідності в межах температури ФПМН не менше, ніж 102. В модифікованих складах склокераміки фіксували вміст ВФС 15 ваг. %, а добавки металів (M) і оксидів (MO, MO2) вводили за рахунок зменшення вмісту VO2. Були синтезовані склади склокераміки з загальними формулами: (85)VO2-15ВФС-M (0 ? ? 15), (85)VO2-15ВФС-MO, (85)VO2-15ВФС-MO2, (85)VO2-15ВФС-MMO2 і (85)VO2-15ВФС-MMO. В якості добавок використовували Cu, Zn, ZnO, SnO2 і TiO2.

Встановлено, що в склокераміці cVO2-(100 - c)ВФС (70 ? c ? 95) існує лише кристалічна фаза VO2, а компонентами її мікроструктури є кристаліти VO2, ВФС і пори. Кристаліти VO2 переважно розділені прошарками ВФС і мають розміри в межах 1050 мкм. Рідка фаза при синтезі склокераміки сприяє росту кристалітів VO2, що підтверджує наявність окремих кристалітів, які зрослись між собою. Для склокераміки cVO2-(100 - c)ВФС характерна досить висока пористість 31 %.

За даними РФА у склокераміці (85)VO2-15ВФС-Cu ( 15) при 5 присутня лише кристалічна фаза VO2. При 7 з'являються лінії нової фази, відносна інтенсивність яких зростає із збільшенням , а відносна інтенсивність ліній VO2 зменшується. За даними ДТА при 7 у склокераміці (85)VO2-15ВФС-Cu відбувається зменшення вмісту VO2 із зростанням вмісту міді. Це свідчить про те, що нова фаза утворюється за рахунок VO2. При > 12 в рентгенівському спектрі переважають лінії нової фази, яка ідентифікована за даними ASTM як фаза Магнелі V5O9. Ця фаза має ФПМН при температурі 125 К і в дослідженому інтервалі температури 273403 К знаходиться у металевому стані.

Встановлено, що при 5 мікроструктура склокераміки (85)VO2-15ВФС-Cu складається з кристалітів VO2 (середній розмір lc 35 мкм), переважно розділених прошарками ВФС, і пор. При 6 поряд з цими компонентами в мікроструктурі спостерігаються кристаліти V5O9 (розміром 15 мкм), які розташовані на поверхні кристалітів VO2 і локалізовані в ВФС. Кількість таких кристалітів збільшується із зростанням вмісту міді і при 12 вони домінують в мікроструктурі. З результатів дослідження склокераміки на основі VO2 методом рентгенівського мікроаналізу (рис. 2.) випливає, що атоми ванадію (рис. 2б) локалізовані в кристалітах VO2 та V5O9, прошарках ВФС між кристалітами і включеннях та шарах скла на їх поверхні. Атоми міді (рис. 2в) локалізовані в проміжках між кристалітами і включеннях та шарах скла на їх поверхні. Сигнали від атомів фосфору (рис. 2г) слабкі, однак, конфігурація їх розташування повторює конфігурацію розташування атомів міді, що свідчить про розчинення міді у рідкій фазі при синтезі склокераміки. Таким чином, в складах склокераміки з добавкою міді вона входить до складу ВФС, яке утворюється з рідкої фази на етапі охолодження від температури синтезу склокераміки.

За результатами досліджень запропоновано механізм формування мікроструктури і фазового складу склокераміки на основі VO2. При температурах синтезу 11701220 К рідка фаза розчиняє мідь і частково VO2 (границя розчинності VO2 1011 мас. % для розплаву V2O5 (табл. 2)). Вона проникає у проміжки між твердими частками VO2, що сприяє росту кристалітів VO2, за рахунок чого при зростанні сусідніх кристалітів формуються прямі зв'язки між ними. На етапі охолодження рідка фаза трансформується в скло, яке скріплює між собою кристаліти VO2 і формує прошарки між ними товщиною 12 мікрони (рис. 2а).

Враховуючи фазову діаграму системи V2O5-VOPO4 і розчинення Cu та VO2, рідку фазу при синтезі склокераміки (85)VO2-15ВФС-Cu можна розглядати як систему V2O5CuV2O4-VOPO4.

Її особливістю є наявність комплексів V2O5 та V2O4, з якими мідь може взаємодіяти, що викликає їх поновлення до нижчих ступенів окислення V2O4 і V5O9 відповідно. Зокрема утворення V5O9 може відбуватися згідно реакції:

5V2O4 + 2Cu 2V5O9 + 2CuO. (4)

При 5 розчинення VO2 в рідкій фазі обмежено границею розчинності при температурі синтезу склокераміки, тому при охолодженні за рахунок зменшення границі розчинності (табл. 2) комплекси V2O4 із розплаву повертаються у тверду фазу VO2 і помітної зміни складу склокераміки не відбувається. При > 5, завдяки реакції (4), мідь порушує рівновагу між рідкою і твердою фазами, що викликає кристалізацію V5O9. Розчинений в рідкій фазі VO2 переходить у тверду фазу V5O9, що ініціює подальше розчинення твердого VO2. Як наслідок вміст VO2 зменшується, а вміст V5O9 збільшується із зростанням вмісту міді. За даними рентгенофазового аналізу кристалічна фаза CuO у складі склокераміки не виявлена, що може свідчити про те, що вона входить до складу скла.

В склокераміці (85)VO2-15ВФС-SnO2 і (80)VO2-15ВФС-5CuSnO2 ( ? 70) встановлена наявність тільки кристалічних фаз VO2 і SnO2, що свідчить про ідентичність процесів, які відбуваються при синтезі склокераміки в системах VO2ВФСSnO2 та VO2-ВФС-CuSnO2 з подібними процесами для систем VO2ВФС та VO2ВФСCu при вмісті міді не більше 5 ваг. %. Ідентичність полягає у відсутності взаємодії між рідкою фазою і твердими фазами VO2 і SnO2, тому фазовий склад склокераміки цих систем такий самий, як до синтезу. Компонентами мікроструктури склокераміки (85)VO2-15ВФС-SnO2 і (80)VO2-15ВФС-5CuSnO2 є кристаліти VO2 (середній розмір lc 35 мкм), частки SnO2 (lc < 1 мкм), ВФС і пори. Частки SnO2 дисперговані в ВФС, що дає підставу розглядати ці компоненти як склокераміку системи SnO2ВФС. Кристаліти VO2 переважно розділені прошарками і областями склокераміки SnO2ВФС, але прямі зв'язки між ними також мають місце. Пористість склокераміки (80)VO2-15ВФС-5CuSnO2 зменшується із зростанням вмісту SnO2 і складає 2224 % при вмісті діоксиду олова в інтервалі 3550 ваг. %.

Встановлено, що при синтезі склокераміки на основі VO2, модифікованої добавками ZnO, TiO2 і Zn, відбувається взаємодія цих добавок з рідкою фазою і VO2, що веде до зменшення вмісту VO2 у складі склокераміки і утворення кристалічних фаз, які не мають фазового переходу метал-напівпровідник.

В четвертому розділі наведені результати дослідження методами диференціального термічного аналізу і дилатометричним методом кераміки на базі VO2 і ВФС та її модифікованих складів.

В межах методу ДТА розроблено спосіб визначення вмісту компонента з ФПМН в гетерогенному матеріалі, який відрізняється від відомих способів простотою, оскільки використовує не площу ендотермічного піка, а його висоту і параметри основи, які легко визначити з кривої ДТА. Спосіб базується на порівнянні параметрів ендотермічних піків, обумовлених ФПМН у гетерогенному матеріалі і в зразку порівняння (в якості зразка порівняння використовували VO2, що був отриманий поновленням V2O5 вуглецем). Математичне моделювання кривих нагрівання і ДТА, виконане в межах спрощеної моделі термічного аналізу, дозволяє отримати наступний вираз для вмісту компонента з ФПМН в гетерогенному матеріалі:

(5)

Величини Tm, tm, t2 (TmС, tmС, t2С для зразка порівняння) легко знайти з ендотермічного піка, як показано на рис. 3. Параметр S (SС для зразка порівняння) можна знайти з не заштрихованої частки піка, яка відповідає релаксації до рівновагового режиму нагрівання після завершення фазового переходу в усьому об'ємі зразка (рис. 3). Перевірка способу на сумішах порошків VO2 и Al2O3 показала, що він має відносну помилку, яка у інтервалі вмісту компонента з ФПМН від 20 до 100 ваг. % не перевищує 5% і в інтервалі від 1 до 10 ваг. % складає 10%.

Встановлено, що в склокераміці (85)VO2-15ВФС-Cu ( ? 15) при > 7 відбувається різке зменшення вмісту VO2 із зростанням вмісту міді, яке супроводжується різким збільшенням відносної інтенсивності I/I0 головної рентгенівської лінії фази V5O9 (рис. 4). При > 12 у складі склокераміки VO2 майже відсутній, а відносна інтенсивність головної лінії V5O9 досягає 80 100 %. У цьому разі в дослідженому діапазоні температури 293 К 403 К теплові ефекти на кривій ДТА не виявлені, тому що фаза Магнелі V5O9 має ФПМН при 125 К. Результати ДТА знаходяться у повній відповідності з даними рентгенофазового аналізу і дають додаткове підтвердження, що фаза V5O9 формується за рахунок VO2. Таким чином, при модифікуванні складу склокераміки на основі VO2 міддю її вміст не повинен перевищувати 7 ваг. %, інакше склокераміка втрачає фізичні властивості, притаманні ФПМН в VO2 і насамперед стрибок електропровідності в межах температури Tt 341 К.

Показано, що у склокераміці складів cVO2(100-c)ВФС (70 ? c ? 95), (85)VO2-15ВФСSnO2 і (80)VO2-15ВФС-5CuSnO2 ( ? 70) вміст діоксиду ванадію, в межах помилки способу його визначення за даними ДТА, співпадає з вмістом VO2 в шихті для виготовлення склокераміки таких складів. Таким чином, процес синтезу склокераміки в системах VO2ВФС, VO2ВФСSnO2, VO2ВФСCu і VO2ВФСCuSnO2 не змінює вмісту VO2, якщо вміст добавки міді не перевищує 5 ваг. %.

Ендотермічний пік на кривих ДТА, обумовлений фазовим переходом метал-напівпровідник в VO2, слабко виражений для склокераміки, модифікованої добавками TiO2, ZnO і Zn. Його висота зменшується із зростанням вмісту цих добавок. Визначення вмісту VO2 за даними ДТА дає значення 9,30,7 ваг. % для склокераміки 60VO215ВФС5Cu20TiO2 і 2,70,3 ваг. % для 40VO215ВФС 5Cu40TiO2, що набагато менше вихідного вмісту. Це узгоджується з даними рентгенофазового аналізу і доводить, що при модифікуванні кераміки на базі VO2 і ВФС добавками TiO2, ZnO і Zn, діоксид ванадію утворює з ними сполуки, які не мають фазового переходу метал-напівпровідник.

За результатами дилатометричних досліджень при нагріванні в межах температури ФПМН VO2 відбувається різке розширення зразка склокераміки 85VO215ВФС, а при охолодженні - різке стиснення. На кривих залежності відносної зміни довжини зразка від температури при ФПМП спостерігається гістерезис, притаманний такому переходу. Відносна зміна довжини t = (1,35 0,09)10-3 при фазовому переході практично однакова при нагріванні і охолодженні зразка склокераміки 85VO215ВФС. За межами ФПМН нижче і вище його температури Tt величини коефіцієнтів лінійного розширення складають відповідно 5,110-6 К-1 і 6,610-6 К-1, а в межах Tt при нагріванні зразка 6,15 10-5 К-1 і при його охолодженні 1,4710-4 К-1. Причиною різкої зміни лінійних розмірів зразка склокераміки при ФПМН в VO2 є перебудова кристалічної гратки, що відбувається в кристалітах VO2. Перехід від напівпровідникової до металевої фази відбувається зі зміною симетрії гратки від моноклінної до тетрагональної. Оскільки при такому переході має місце розширення зразка, це свідчить, що VO2 в моноклінній фазі займає дещо менший об'єм, ніж у тетрагональній. Причина цього, ймовірно, пов'язана зі спарюванням 3d1 електронів сусідніх атомів ванадію в моноклінній фазі, яке супроводжується зменшенням відстані між атомами ванадію в парах.

П'ятий розділ присвячено вивченню механізму провідності на постійному струмі склокераміки на основі VO2 і встановленню закономірностей зміни її питомої електропровідності і величини стрибка , обумовленого ФПМН, при варіації складу склокераміки.

Слід зазначити, що базові компоненти склокераміки VO2 і ванадієво-фосфатне скло мають електронний тип провідності. Провідність VO2 в металевій і напівпровідниковій фазах забезпечується переносом носіїв заряду в вузьких дозволених електронних зонах. Механізм провідності ВФС поляронний і здійснюється стрибками електронів між іонами V4+ і V5+. Питомий електричний опір ВФС не менше, ніж в 102 разів, перевищує питомий електричний опір VO2 у напівпровідниковий фазі, тому при аналізі електропровідності склокераміки як гетерогенного матеріалу, діоксид ванадію можна розглядати як провідниковий, а ВФС - як непровідниковий компонент. З урахуванням цього слід очікувати, що електропровідність склокерамічних матеріалів на основі VO2 в значній мірі визначається мікроструктурними факторами, а вплив на неї процесів на електронному рівні може бути пов'язаний з контактними явищами або із змінами складу чи дефектності компонентів при синтезі склокераміки.

Встановлено, що в склокераміці базових складів (ваг. %) cVO2(100 c)ВФС (70c95) стрибок при ФПМН у VO2 складає 23 декади. Його наявність свідчить про те, що в склокераміці сформовано нескінченний кластер з протіканням крізь VO2, який дає домінуючий внесок в електропровідність. Нижче температури ФПМН Tt енергія активації E при c = 95 близька до E VO2 у напівпровідниковій фазі 0,20 эВ і зростає зі зменшенням c до значення 0,32 эВ, яке співпадає з енергією активації ВФС. Останнє не узгоджується з протіканням тільки крізь VO2 і обумовлено внеском прошарків ВФС, що згідно мікроструктурним даним формує скло між кристалітами VO2. Ширина петлі температурного гістерезиса електропровідності в межах Tt складає 78 К. Спостерігається незворотна зміна і величини її стрибка при термоциклюванні через температуру ФПМН (рис. 5). Стрибок питомої електропровідності в зразках склокераміки 85VO2-15ВФС зникає після 1520 термоциклів, але практично відновлюється як і вихідне значення після їх нагрівання до температур 11201170 К. Причиною нестабільної поведінки при термоциклюванні є перебудова кристалічної гратки VO2 при ФПМН. Вона викликає в кристалітах VO2 на межі металевої і напівпровідникової фаз значні механічні напруження. Наслідком цих напружень і малої пластичності кристалів VO2 і ВФС є мікротріщини, які спостерігаються в цих компонентах після термоциклювання (рис. 6). Мікротріщини розривають електричні зв'язки між кристалітами VO2 в перколяційному кластері, як наслідок відбувається зменшення і величини її стрибка при ФПМН. ВФС переходить в рідку фазу при нагріванні склокераміки до 11201170 К, що сприяє заліковуванню мікротріщин і поновленню прямих електричних зв'язків між кристалітами VO2 за рахунок процесу їх росту, який відбувається так само, як і при синтезі склокераміки.

Незворотну зміну фізичних параметрів слід враховувати при дослідженні електропровідності склокераміки на основі компонента з ФПМН. Тому наведені нижче результати дослідження для склокераміки на основі VO2, модифікованої добавками, одержані на зразках, які після синтезу не нагрівались вище Tt, а температурні залежності були зареєстровані лише при нагріванні.

Дослідження склокераміки (85)VO215ВФСCu показали, що її стрибок при ФПМН складає не менше 102 при 7, падає до 4 в інтервалі 7 8 і практично відсутній при > 10 (рис. 7). При > 12 склокераміка має високу електропровідність, яка слабко залежить від температури, що є наслідком домінуючого вкладу до електропровідності склокераміки фази V5O9, яка має металевий тип провідності в досліджуваній області температури. При зростанні вмісту міді в інтервалі 0 8 енергія активацій змінюється від 0,32 еВ до 0,059 еВ нижче температури ФПМН Tt і від 0,16 еВ до 0,021 еВ вище Tt. Різке падіння E відбувається в інтервалі 7 8, що разом з різким збільшенням і падінням її стрибка при ФПМН (рис. 7) свідчить про виникнення протікання крізь фазу V5O9. Це узгоджується з даними рентгенофазового аналізу і ДТА (рис. 4) про інтенсивне утворення V5O9 при > 7. Тому при модифікуванні кераміки на базі VO2 і ВФС міддю її вміст не повинен перевищувати 7 ваг. %, інакше електропровідність такої склокераміки втрачає стрибок в межах температури фазового переходу метал-напівпровідник в VO2 Tt = 341 К.

При <7 якісний аналіз склокераміки (85-)VO2-15ВФС-Cu можна виконати в межах простої моделі гетерогенної структури, яка не враховує пористість і припускає, що кристаліти VO2 у формі кубу з довжиною ребра lv, розташовані упорядковано. Кристаліти VO2 розділяє прошарок ВФС товщиною lg << lv, а середня площа прямого (низькоомного) електричного контакту між ними дорівнює Sс. Розрахунок у межах такої моделі приводить до співвідношення:

, (6)

де v і g питомі електропровідності VO2 і ВФС, відповідно.

При відсутності низькоомних електричних контактів між кристалітами VO2 (Sс = 0) або коли glv2 >> vSSс, glv2 >> vmSc (vS і vm питомі електропровідності VO2 у напівпровідниковій і металевій фазах, відповідно) і виконані умови vlg >> glv із співвідношення (6) випливає:

, (7)

тобто g ванадієво-фосфатного скла визначає склокераміки як вище, так і нижче температури Tt, а, отже, стрибок при ФПМН відсутній.

За умови gl v2 >> vSSc, glv2 << vmSc, коли T < Tt для електропровідності = сS дійсне співвідношення (7), а коли T > Tt для = сm з (6) випливає

. (8)

Тому при ФПМН у VO2 електропровідність склокераміки має стрибок, величина якого згідно (7) і (8), дорівнює:

. (9)

Наявність стрибка і збіг енергії активації склокераміки при T < Tt з ВФС при < 2 підтверджує виконання умов glv2 >> vSSc, glv2 << vmSc.

Співвідношення (9) на підставі експериментальних даних дозволяє оцінити відносну площу Sc/lv2 електричного контакту між кристалітами VO2 (рис. 8). Ця площа за рахунок ізолюючої дії прошарків ВФС, які розділяють кристаліти VO2 в склокераміці, складає малу частку від площі контактної поверхні кристалітів lv2 і зростає зі збільшенням вмісту міді. Це свідчить про збільшення кількості провідникових електричних зв'язків між кристалітами VO2, що обумовлено як зростанням ВФС за рахунок збільшення концентрації іонів V4+ внаслідок легування скла міддю, так і кристалізацією провідникової фази V5O9. Отже модифікування склокераміки на основі VO2 міддю, якщо її вміст не перевищує 7 ваг. %, сприяє збільшенню внеску VO2 в електропровідність склокераміки.

Стрибок при ФПМН у VO2 для склокераміки (ваг. %) (85-)VO2 15ВФСSnO2 (0 60) складає 300 500, а відносна середня площа Sс/(lv)2 низькоомних електричних контактів між кристалітами VO2 10-3 10-2. Для збільшення внеску VO2 в електропровідність такої склокераміки шляхом збільшення величини Sс/(lv)2, її склад було модифіковано міддю.