аттестационная работа  Изоморфизм и варизонные структуры карбида кремния

Исследование полиморфных переходов в карбиде кремния. Зона Бриллюэна и сравнение 3C и 2H политипов SiC. Схема экспериментальной установки структурной кристаллографии. Принцип работы сканирующего зондового микроскопа. Метод магнетронного распыления.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

####  ####    #   ####   ##   
   #  #      ##   #     #  #  
 ##   ###   # #   ###    ##   
   #     #  ####     #  #  #  
#  #  #  #    #   #  #  #  #  
 ##    ##     #    ##    ##   
                              

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Производство и технологии
Вид аттестационная работа
Язык русский
Дата добавления 26.09.2016
Размер файла 3,6 M

Подобные документы

  • Характеристика черного карбида кремния и область его применения. Физико-химические и технологические исследования процесса производства карбида кремния в электропечах сопротивления. Расчет шихтовых материалов. Расчет экономической эффективности проекта.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 24.10.2011

  • Принцип действия магнетронного источника распыления. Техническое устройство и система магнетронного напыления тонких проводящих пленок "МАГ-2000". Инструкция по работе с магнетронной системой "МАГ-2000". Замена и тип мишеней в системе напыления.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 22.03.2012

  • Создание карбидокремниевой керамики на нитридной связке как тугоплавкого соединения. Способ получения керамического материала в системе Si3N4-SiC. Огнеупорный материал и способ получения. Высокотемпературное взаимодействие карбида кремния с азотом.

    дипломная работа [1,8 M], добавлен 24.09.2014

  • Обзор современного оборудования магнетронного распыления. Алгоритм технического обслуживания источника углеродной плазмы. Принцип работы установки УВНИПА-1-001. Основные неисправности в работе вакуумной системы. Расчет ключа на транзисторе VT2 КТ315Б.

    курсовая работа [135,3 K], добавлен 01.06.2012

  • Изучение износостойких нанокомпозитных покрытий с использованием методов магнетронного распыления и вакуумно–дугового разряда. Изучение влияния содержания нитрида кремния на твердость покрытия. Измерение микротвердости поверхностного слоя покрытий.

    курсовая работа [830,3 K], добавлен 03.05.2016

  • Тенденция к использованию более богатого по содержанию кремния ферросилиция и брикетов и комплексных сплавов на основе ферросилиция и кристаллического кремния. Физико-химические свойства кремния. Шихтовые материалы для производства ферросилиция.

    курсовая работа [696,9 K], добавлен 02.02.2011

  • Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам. Кинетика термического окисления кремния: в сухом и влажном кислороде, в парах воды. Особенности методов осаждения оксидных пленок кремния. Оценка толщины и пористости осаждаемых пленок.

    реферат [1,2 M], добавлен 24.09.2009

  • Сырье и углеродистые восстановители, применяемые при производстве кремния. Перерасчет компонентов на золу каменного угля, нефтяного кокса, древесного угля, древесной щепы. Химический состав кремниевого расплава, полученного в результате моделирования.

    курсовая работа [175,4 K], добавлен 07.06.2014

  • Типы кристаллических решёток металлов и дефекты их строения. Свойства и области применения карбида кремния. Электропроводность жидких диэлектриков и влиянии на неё различных факторов. Виды, свойства и применение неметаллических проводниковых материалов.

    контрольная работа [1,5 M], добавлен 09.10.2010

  • Оборудование для термического окисления: модель Дила-Гроува, зависимость толщины окисла от времени окисления, особенности роста тонких и толстых плёнок двуокиси кремния, их свойства и применение в микроэлектронике. Реакторы биполярного окисления.

    реферат [106,3 K], добавлен 10.06.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.