Процесс Lift-off в светодиодах на основе нитрида галлия
Метод получения сверхрешеточных структур. Механизм роста и эпитаксия в процессе MOCVD. Светодиодные структуры GaN на подложках из карбида кремния. Описание процесса и обзор технологии laser lift-off. Горизонтальная и вертикальная структуры диодов.
| Рубрика | Производство и технологии |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 26.12.2013 |
| Размер файла | 5,5 M |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Характеристика черного карбида кремния и область его применения. Физико-химические и технологические исследования процесса производства карбида кремния в электропечах сопротивления. Расчет шихтовых материалов. Расчет экономической эффективности проекта.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 24.10.2011The popular explanation of lift The wing as a pump. Lift as a function of angle of attack. The wing as air "scoop". Axis of Rotation Forces. Flight Control Surfaces. History of Laminar Flow. The B-24 bomber's "Davis" airfoil was a laminar flow airfoil.
курсовая работа [3,4 M], добавлен 08.07.2009Строение полупроводникового материала группы АIIIВV – GaAs, сравнение свойств арсенида галлия со свойствами кремния, способы получения, использование в качестве деталей транзисторов. Перспективы развития технологии изготовления приборов на его основе.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 04.12.2012Термическое вакуумное напыление. Плазмоионное распыление в несамостоятельном газовом разряде. Технология тонких пленок на ориентирующих подложках. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок. Электронно-лучевое напыление. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
курсовая работа [853,9 K], добавлен 03.03.2011Создание карбидокремниевой керамики на нитридной связке как тугоплавкого соединения. Способ получения керамического материала в системе Si3N4-SiC. Огнеупорный материал и способ получения. Высокотемпературное взаимодействие карбида кремния с азотом.
дипломная работа [1,8 M], добавлен 24.09.2014Способы получения алюминиево-кремниевых сплавов. Процесс углетермического восстановления оксидов кремния и алюминия. Механизм и кинетика процесса восстановления алюмосиликатных шихт в диапазоне составов силикоалюминия с использованием восстановителя.
автореферат [439,3 K], добавлен 16.06.2009Характеристика предприятия "Alex lift": его структурная схема управления и внедренные инновационные технологии. Учет срока износа инструмента и составление графика ремонта оборудования. Установка кронштейнов, сборка каркаса, установка дверей шахты лифта.
отчет по практике [965,1 K], добавлен 21.07.2012Эпитаксия - процесс наращивания слоев полупроводникового материала с упорядоченной кристаллической структурой на ориентированной пластине. Эпитаксию можно подразделить на три вида: авто-, гетеро- и хемоэпитаксию. Эпитаксиальные структуры со скрытым слоем.
реферат [124,2 K], добавлен 03.01.2009Экспериментальное изучение реакции азотирования алюминия для получения нитрида алюминия. Свойства, структура и применение нитрида алюминия. Установка для исследования реакции азотирования алюминия. Результаты синтеза и анализ полученных продуктов.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 12.02.2015Разработка маршрутно-технологического процесса получения детали "Направляющая". Обзор возможных способов получения заготовки. Особенности технологии получения заготовки литьём под давлением. Описание схемы обработки резанием и способы контроля качества.
курсовая работа [502,3 K], добавлен 02.10.2012