Оценка разрешающей способности сканирующего зондового микроскопа СММ2000А
Использование метода атомно-силовой микроскопии для определения с высокой точностью шероховатости поверхности непроводящих материалов, выпускаемых деревообрабатывающей промышленностью. Аттестация микроскопов с использованием калибровочных приборов.
Рубрика | Производство и технологии |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 29.11.2018 |
Размер файла | 525,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
ИХТТ УрО РАН, Екатеринбург
Оценка разрешающей способности сканирующего зондового микроскопа СММ2000А
Е.С. Синегубова, И.Г. Григоров
Для определения с высокой точностью шероховатости поверхности непроводящих материалов, например, выпускаемых деревообрабатывающей промышленностью, широкое применение получил метод атомно-силовой микроскопии [1].
Разрешающая способность микроскопа определяется максимальной пространственной способностью регистрировать раздельно объекты, т. е. минимально возможным для наблюдения расстоянием между объектами, или максимальным увеличением, превышение которого не дает дополнительной информации об объекте. Для сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) дополнительным параметром разрешающей способности является максимальная чувствительность к изменению высоты рельефа поверхности.
Аттестацию микроскопов обычно осуществляют с использованием специальных калибровочных приборов. Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума разрабатывает и изготавливает средства измерений для калибровки и поверки средств измерений малой длинны, которые можно использовать в качестве стандартных объектов для оценки точности воспроизведения изображения с помощью растровой электронной и сканирующей зондовой микроскопии. Например, мера периодическая специальная МПД-1,0 КС позволяет калибровать и делать поверку средств измерений малой длины в горизонтальном диапазоне 0.2 ч 6.0 мкм и высоту профиля ?158 нм, а стандарт GWPS-2.0Si позволяет определять эти параметры соответственно с точностью 30 ч 1500 нм и 100 ч 1500 нм.
Рис. 1. Изображение поверхности стекла, полученное после сканирования СММ2000А (1.6 мкм х 1.6 мкм х 10.2 нм).
Следует отметить, что приведенные выше калибровочные объекты не позволяют производить калибровку СЗМ в нано- и ангстремном диапазоне при работе в естественных условиях. Поэтому, для оценки качества полученного изображения в данных диапазонах нами, обычно, используются хорошо изученные поверхности объектов с большой вероятностью повторяемости изображения при их сканировании (например, рис. 1).
силовой микроскопия шероховатость поверхность
Рис. 2. Поверхность ситалла: 2.6 мкм х 2.6 мкм а), 10 мкм х 10 мкм и 34 мкм х 34 мкм б).
В данной работе методами СЗМ проведены сравнительные исследования состояния поверхности подложек из ситалла и Al2O3 (сапфир). При этом использовался сканирующий мультимикроскоп СММ-2000АТ (фирма «Протон-МИЭТ»), работающий в режиме атомно-силового микроскопа (АСМ) с контактной модой [2].
Рис. 3. Поверхность сапфира 3 мкм х 3 мкм а) и 10 мкм х 10 мкм б).
На изображении поверхности ситалла при поле сканирования АСМ 2.6 мкм х 2.6 мкм с числом точек 420 х 420 (рис. 2а) разрешение точки равно приблизительно 6 нм. При этом, хорошо различимы детали размерами до 20 нм, среднеквадратичная шероховатость (Rq) выбранного профиля поверхности равна ? 2 нм, максимальный перепад высоты профиля Rmax ? 10 нм. При поле сканирования 10 мкм х 10 мкм с числом точек 368 х 368 (рис. 2б), т. е. разрешение точки уменьшено приблизительно в 4.5 раза (~ 27 нм), детали размером около 40 нм хорошо различимы, Rq ? 2.8 нм и Rmax ? 21.9 нм. При поле сканирования 34 мкм х 34 мкм с числом точек 350х350 (рис. 2б) разрешение точки ? 97 нм виден общий характер поверхности с чередующимися гребнями и впадинами в виде волн, а также хорошо видна царапина, Rq ? 3.6 нм и Rmax ? 17.6 нм.
Изображение поверхности сапфира размером 3 мкм х 3 мкм с точностью 494 х 494 точек (разрешение точки ? 6 нм) выглядит в виде дискретной упорядоченной структуры (рис. 3а) с параметрами: Rq ? 1 нм, Rmax ? 3.5 нм, период упорядоченной структуры ? 400 нм. При поле сканирования 10 мкм х 10 мкм (428 х 428 точек, разрешение точки ? 23 нм) на поверхности сапфира хорошо видны поры шириной около 230 нм (рис. 3б). Параметры поверхности Rq ? 1 нм и Rmax ? 10 нм, при чем, увеличение Rmax обусловлено за счет добавления размера глубины пор равного ? 7 нм.
По результатам исследования поверхностей подложек из ситалла и сапфира с величиной среднеквадратичной шероховатости в пределах 1 ч 2 нм можно сделать вывод, что СММ-2000А при работе в естественных атмосферных условиях позволяет получить изображения рельефа поверхности при поле сканирования 2.0 мкм х 2.0 мкм и числе точек отсчета 400 х 400, на которых хорошо видны детали размером до 10 нм, при этом точность измерения среднеквадратичной шероховатости равнялась 0.1 нм. Попытки получить с помощью данного микроскопе изображение исследуемой поверхности с большим разрешением путем уменьшения размера поля сканирования до 200 нм х 200 нм и увеличения числа точек отсчета до 500 х 500, не привели к существенному увеличению разрешающей способности, т. е. выявлению новых деталей на изображении, а наоборот ухудшили изображение за счет увеличения влияния шумовых помех.
Литература
1. Синегубова Е.С., Григоров И.Г. Физические методы исследования структуры дисперсных и композиционных материалов на основе полимеров. // Труды I Международного евроазиатского симпозиума, УГЛТУ, 2006. Екатеринбург: ООО РИЦ «Экодрев», 2006. С. 114-115.
2. Синегубова Е.С., Григоров И.Г. Исследование поверхности древесных материалов покрытых лаком, с помощью атомно-силовой микроскопии. // Труды II Международного евроазиатского симпозиума, УГЛТУ, 2007. Екатеринбург: ООО «Портофортуна», 2007. С. 48-51.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Описание метода атомно-силовой микроскопии, его достоинства и недостатки. Схематическое устройство атомно-силового микроскопа. Особенности осуществления процесса сканирования. Применение атомно-силовой микроскопии для определения морфологии тонких пленок.
реферат [883,8 K], добавлен 09.12.2015Обзор технологии работы микроскопа, который открыл человеку мир живой клетки. Анализ принципиального устройства микроскопа АСМ. Особенности сканирующей зондовой микроскопии: преимущества и недостатки по отношению к другим методам диагностики поверхности.
курсовая работа [506,4 K], добавлен 01.05.2010История развития мер и измерительной техники. Основные единицы системы измерений. Классификация видов измерений, механические средства для их проведения. Применение щуповых приборов для определения параметров шероховатости поверхности контактным методом.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 16.04.2014Изучение методов измерения шероховатости поверхности. Анализ преимуществ и недостатков метода светового сечения и теневой проекции профиля. Оценка влияния шероховатости, волнистости и отклонений формы поверхностей деталей на их функциональные свойства.
курсовая работа [426,6 K], добавлен 03.10.2015Профиль, параметры и методы измерения шероховатости поверхности. Использование профилометра PS1 компании Mahr (Германия) для измерения неровностей. Оптический метод светового сечения. Принцип деяния интерферометров, растровых и окулярных микроскопов.
презентация [529,5 K], добавлен 26.02.2014Методика определения пиллингуемости как способности тканей в процессе эксплуатации или при переработке образовывать на поверхности небольшие шарики из закатанных кончиков и отдельных участков волокон. Испытания по образованию ворсистости и пиллей.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 15.04.2011Выбор подходящего материала для зеркала с учетом быстрой деградации поверхности. Изучение изменения отражательной способности зеркал при распылении на их поверхности ионов дейтериевой плазмы. Коэффициенты отражения на разных длинах волн после экспозиции.
реферат [553,2 K], добавлен 07.06.2011Понятие шероховатости поверхности. Разница между шероховатостью и волнистостью. Отклонения формы и расположения поверхностей. Требования к шероховатости поверхностей и методика их установления. Функциональные назначения поверхностей, их описание.
реферат [2,2 M], добавлен 04.01.2009Молекулярно-лучевое эпитаксиальное (МЛЭ) наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ. Атомно-силовой микроскоп: сфера применения, пошаговое объяснение и теоретическое обоснование порядка его настройки и подготовки образцов.
курсовая работа [2,9 M], добавлен 08.12.2013Неровности поверхности, высотные параметры. Магнитный и визуально-измерительный метод контроля параметров профиля шероховатости. Теория светорассеяния, интегрирующая сфера и метод Тейлора. Применение мезооптических систем к анализу рассеянного излучения.
дипломная работа [481,0 K], добавлен 14.04.2013