Методи та засоби радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових матеріалів та приладів

Размещено на http://www.allbest.ru/

ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

УДК81.411.1Я 73

Автореферат

дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук

МЕТОДИ ТА ЗАСОБИ РАДІАЦІЙНОЇ МОДИФІКАЦІЇ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА ПРИЛАДІВ

05.27.01 - твердотільна електроніка

БАНЗАК Оксана Вікторівна

Одеса - 2009

Дисертацією є рукопис.

Робота виконана в Одеському національному політехнічному університеті.

Науковий керівник - доктор технічних наук, професор

Мокрицький Вадим Анатолійович, Одеський національний політехнічний університет, професор кафедри «Інформаційні технології проектування в електроніці та телекомунікаціях».

Офіційні опоненти: заслужений діяч науки і техніки України, доктор технічних наук, професор

Лєнков Сергій Васильович, Військовий інститут Київського національного університету імені Тараса Шевченка, керівник наукового центру

кандидат технічних наук, доцент

Завадський Віктор Афанасійович, Одеська національна морська академія, завідувач кафедри морської радіоелектроніки.

Захист відбудеться «_17___»__червня___2009 р. о _14_ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 41.052.03 Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1, корп. 3.

З дисертацією можна ознайомитись в бібліотеці Одеського національного політехнічного університету за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Т.Г. Шевченка, 1, к. 202.

Автореферат розісланий «_13_»_травня_2009 р.

Вчений секретар

спеціалізованої вченої ради О.В. Андріянов

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

іонізуючий напівпровідниковий радіаційний

Актуальність теми. Сучасні прилади твердотільної електроніки використовують широкий перелік напівпровідникових матеріалів. У першу чергу це відноситься до оптоелектроніки, матеріалознавчу основу якої становлять бінарні сполуки груп А₂В₆, А₃В₅ і їхні тверді розчини. У дискретній і інтегральній твердотільній електроніці усе ще переважає кремній. Виробники таких матеріалів сьогодні не повною мірою можуть керувати їхніми властивостями, тому що володіють для цього обмеженими засобами. Легування домішками, термічна й польова обробка - ось перелік основних засобів керування структурними й електрофізичними властивостями напівпровідникових матеріалів і приладів на їхній основі. Ці й подібні їм засоби здатні керувати не всіма параметрами виробів і в обмеженому діапазоні їх значень. У першу чергу, це відноситься, наприклад, до кінетичних і структурних параметрів матеріалів, коефіцієнтам переносу струму приладів з p-n-переходами, квантової ефективності випромінювачів, дозвільної здатності фотоприймачів.

Разом з тим, сьогодні відома можливість розширення переліку засобів такого керування: це - лазерне й рентгенівське випромінювання, опромінення мікрочастинками з високою енергією. Однак можливості застосування лазерного й рентгенівського випромінювання обмежені самою природою їхньої взаємодії із твердим тілом, що залишає за ними, головним чином, область метрології параметрів.

В останні роки певна увага приділялася застосуванню у твердотільній електроніці мікрочастинок з високою енергією: швидких електронів і нейтронів, протонів, гамма-квантів. Розмаїтість природи таких мікрочастинок сама по собі говорить про широкий діапазон можливостей керування (модифікації) з їхньою допомогою параметрами виробів твердотільної електроніки. Однак упередження, обумовлене руйнуючим впливом таких мікрочастинок в умовах ядерного вибуху, небезпека їхніх потоків для операторів і пов'язані із цим проблеми використання генераторів - все це є факторами, що стримують розвиток цього науково-технічного напрямку.

Незважаючи на це, виконані в останні роки роботи В.С. Вавілова, Л.С. Смірнова, Н.А. Ухіна, Є.А. Ладигіна, В.І. Шаховцова, В.А. Мокрицького, С.В. Лєнкова й інших вчених визначили виникнення нового науково-технічного напрямку - радіаційної технології напівпровідників і твердотільної електроніки. До основних досягнень цього напрямку, на нашу думку, варто віднести розробку й створення різноманітних генераторів мікрочастинок і гамма-квантів, моделей механізмів їхньої взаємодії із твердим тілом і керування параметрами дискретних приладів твердотільної електроніки та ін. Певна увага приділялася радіаційній фізиці й технології бінарних напівпровідникових сполук.

Радіаційна фізика й технологія твердих розчинів напівпровідникових сполук груп А₂В₆, А₃В₅, приладів на їхній основі, а також виробів твердотільної мікроелектроніки й сенсорики сьогодні, на нашу думку, розроблені недостатньо. Це стосується питань модифікації за допомогою мікрочастинок з високою енергією структурних і оптичних властивостей напівпровідникових з'єднань, статичних і динамічних параметрів окремих мікросхем, ефективності фотоперетворювачів і оптичних квантолвих генераторів (ОКГ). Цьому й іншому питанням присвячена тема даної дисертаційної роботи.

Наведене вище показує, що виконане в роботі наукове завдання, яке полягає в дослідженні фізичних процесів впливу мікрочастинок з високою енергією (іонізуючих випромінювань) на напівпровідникові матеріали й прилади твердотільної електроніки та оптоелектроніки, розробці науково обгрунтованих методів, методик і технологій керування (модифікації) їхніми властивостями, є актуальним.

Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота пов'язана з міжгалузевою науково-технічною «Програмою розвитку найбільш конкурентноспроможніх напрямків мікроелектроніки в Україні” (№1-14/473 від 24.06.1998 р.), фундаментальною держбюджетною науково-дослідною роботою „Дослідження проблем створення та модифікації властивостей нових багатокомпонентних матеріалів оптоелектроніки та сенсорики” (№614-59 від 02.01.2006 р., РК0105U007572, ОК0209U001814), „Вирішення задач лазерної метрології напівпровідникових сполук з використанням інтелектуальної системи підтримки прийняття рішень” (№ 639-59 від 02.01.2009 р., РК0109U002614) Міністерства освіти і науки України.

Мета і задачі дослідження. Метою дисертаційної роботи є розробка й удосконалювання методів і методик, технологічних засобів керування (модифікації) властивостями напівпровідникових матеріалів і приладів твердотільної електроніки й оптоелектроніки з використанням іонізуючих випромінювань на основі дослідження фізичних процесів зміни електрофізичних властивостей і параметрів для збільшення радіаційної стійкості і надійності виробів.

Для досягнення поставленої мети необхідно вирішити наступні взаємопов'язані часткові задачі:

1. Дослідження фізичних процесів і розробка моделей впливу іонізуючих випромінювань на властивості напівпровідникових матеріалів і приладів опто- і мікроелектроніки.

2. Розробка методів, методик і технологій радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових матеріалів і приладів.

3. Розробка методів і методик виміру параметрів напівпровідникових матеріалів і приладів, оброблених іонізуючими випромінюваннями.

4. Розробка науково обґрунтованих рекомендацій збільшення радіаційної стійкості властивостей і надійності приладів опто- і мікроелектроніки.

Об'єкт дослідження - методи й засоби радіаційної обробки, виміру параметрів напівпровідникових матеріалів і приладів твердотільної електроніки.

Предмет дослідження - фізичні процеси модифікації під дією іонізуючих випромінювань електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів і параметрів приладів твердотільної електроніки.

Методи дослідження.

Методи сучасних матеріалознавства й метрології, фізичного й математичного моделювання - для дослідження процесів впливу випромінювань і розробки їхніх моделей; теорії імовірності й математичної статистики - для дослідження технологічних процесів радіаційної модифікації властивостей виробів та обробки результатів експериментів.

Наукова новизна отриманих результатів.

1. Підтверджено експериментально і науково обгрунтовано пороговий характер дії

іонізуючого випромінювання (ІВ) на електрофізичні властивості напівпровідникових матерніалів.

Наукова новизна полягає у визначенні граничних значень дози й енергії для певного типу мікрочастинок, при досягненні яких дія іонізуючого випромінювання переходить від модифікації (поліпшення) до деградації (погіршення) властивостей виробів.

2. Удосконалено моделі, що описують процеси зміни електричних і структурних властивостей виробів під дією іонізуючих випромінювань.

Наукова новизна полягає в тому, що одна з моделей спрощує розрахунок змін концентрації носіїв заряду при відомих характеристиках радіаційних дефектів. Друга модель забезпечує більшу адекватність описання процесу каскадного розмноження в кристалі радіаційних дефектів. На її основі розроблена методика розрахунку утворення й умов відпалу радіаційних дефектів в одно- і багатокомпонентних монокристалах.

3. Науково обгрунтовано причини різної радіаційної стійкості властивостей об'ємних монокристалів і системи епітаксійних шарів з підкладкою.

Наукова новизна результатів даних досліджень полягає у можливості урахування залежності радіаційної стійкості об'ємних монокристалів і епітаксійних шарів від співвідношення їхніх властивостей.

4. Визначені деякі нові фізичні процеси й механізми, що забезпечують радіаційну модифікацію властивостей напівпровідникових дискретних приладів і інтегральних мікросхем.

Наукова новизна полягає в обгрунтуванні причин різної радіаційної стійкості активних і пасивних елементів, що входять до складу мікросхем. В основі таких розходжень лежать механізми радіаційної модифікації електричних і структурних властивостей кремнію.

5. Знайшли подальший розвиток теоретичні і експериментальні методи дослідження фізичних явищ і механізмів радіаційної модифікації приладів оптоелектроніки на основі твердих розчинів сполук груп А₂В₆, А₃В₅. На цій підставі удосконалено модель процесів радіаційної модифікації властивостей фоторезисторів на основі Cd_1-хHg_хTe.

Практичне значення одержаних результатів.

1. Розроблено метод і технологію модифікації параметрів дискретних транзисторів за допомогою опромінення приладів швидкими електронами з енергією до 2,3 МеВ дозами до 1^.10¹⁵ м^-2. При цьому збільшується пробивна напруга колекторного переходу, змінюється значення коефіцієнта передачі емітерного струму в межах ±(5-15)%.

2. Підтверджено перевагу стійкості властивостей мікрозбірок у порівнянні з напівпровідниковими мікросхемами при впливі швидких нейтронів. Показано, що переваги мікрозбірок визначаються, у свою чергу, достатньою в цих умовах опромінення стійкістю операційних підсилювачів і пасивних тонкоплівкових елементів.

На прикладі напівпровідникової інтегральної мікросхеми - датчика температури показана можливість модифікації властивостей - збільшення температурного коефіцієнта напруги, а з ним - чутливості приладу при опроміненні швидкими електронами.

3. Запропоновано методику прогнозування стійкості мікросхем в умовах надзвичайної радіаційної обстановки, засновану на різниці стійкості мікросхем до опромінення швидкими електронами й нейтронами, яка виявлена в роботі.

4. Запропоновано методику модифікації властивостей інжекційних лазерів на основі твердих розчинів сполук груп А₂В₆, А₃В₅ і світлодіодів на основі GaP шляхом опромінення швидкими електронами з енергією 2,4 МеВ дозами від 10¹⁷ до 10¹⁹ м^-2.

5. Запропоновано метод модифікації параметрів інжекційних лазерів на основі GaAs, заснований на вперше виявленому в роботі ефекті стійкості потужності й порога випромінювання до опромінення електронами з енергією 300-800 кеВ.

6. Розроблено методику й технологію радіаційної модифікації параметрів фоторезисторів на основі Cd_0,2Hg_0,8Te:

- опромінення швидкими електронами дозами від 10¹⁷ до 10²⁰ м^-2 дозволяє зменшувати темновий опір і темновий струм приладів;

- опромінення гамма-квантами з енергією 1,7 МеВ при експозиційній дозі від 10⁴ до 10¹⁰ рад дозволяє керувати порогом чутливості, інерційністю й спектральною характеристикою фотоприймачів.

Запропоновані в дисертаційній роботі методи, методики й технології радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових матеріалів і приладів прийняті для впровадження на ВАТ „Укрспецтехніка” (м. Київ), ВАТ «Завод чистих металів» (м. Світловодськ, Кіровоградська обл.), ВАТ «Завод «Маяк»» (м. Київ), Державне підприємство „Науковий центр точного машинобудування” Національне космічне агентство України (м. Київ) (в додатках у дисертації наведені необхідні документи).

Особистий внесок здобувача. Основні наукові й прикладні результати дисертаційної роботи здобувачем отримані самостійно. Зі спільних публікацій здобувачеві належить наступне: в [1] - розробка методики легування кристалів сульфіду кадмію; в [2] - розробка моделі, аналіз причин і пояснення механізмів модифікації шарів фосфіду галію при іонній імплантації; в [3] - розробка моделі, аналіз причин і пояснення механізмів модифікації шарів арсеніду галію, опромінених швидкими електронами й нейтронами; в [5] - методика й технологія радіаційної обробки, пояснення механізмів впливу випромінювань на параметри датчиків; в [6,12] - пояснення механізмів модифікації основних параметрів кремнієвих транзисторів; в [7] - розробка моделі механізмів зміни параметрів фоторезисторів на основі КРТ під дією іонізуючого випромінювання; в [8,10] - розробка методики дослідження й оцінки порівняльної радіаційної стійкості гібридних мікрозбірок і напівпровідникових інтегральних датчиків; в [9] - методика вибору матеріалів електролюмінісцентних індикаторів; в [11] - методика підготовки зразків кремнієвих датчиків у різних сполученнях властивостей шарів і підкладки; в [13] - метод застосування випромінювань для модифікації властивостей оптичних вікон; [14] - методика проведення експерименту, участь у аналізі результатів; [15] - визначення граничних значень параметрів приладів в межах їх стійкості до ІВ; [16] - визначення ознак і причин зміни параметрів приладів.

Апробація результатів дисертації. Основні наукові результати дисертаційної роботи докладені на науково-технічних конференціях: Науково-практична конференція «Актуальні задачі фінансового, психологічного, правового, топогеодезичного, радіотехнічного та лінгвистичного забезпечення підрозділів та частин Збройних Сил України» (м. Київ, квітень 2008 р.); Науково-практична конференція «Сучасні інформаційні й електронні технології» (м. Одеса, травень 2008 р.); Ш Міжнародна науково-практична конференція „Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” (м. Кременчук, червень 2008 р.); Міжнародна науково-технічна конференція „Датчики, прилади та системи” (м. Ялта, вересень 2008 р.), Науково-практична конференція «Сучасні інформаційні й електронні технології» (м. Одеса, травень 2009 р.); П Всеукраїнська науково-технічна конференція „Перспективи розвитку озброєння і військової техніки сухопутних військ (м. Львів, 2009 р.).

Публікації. Основні наукові результати опубліковані в 8 статтях (1 стаття без співавторів) у фахових виданнях, в 8 тезах доповідей на науково-технічних конференціях.

Структура дисертації. Дисертаційна робота складається зі вступу, чотирьох розділів, висновків, списку використаних джерел і додатків. Загальний обсяг складає 183 сторінок машинописного тексту, з яких 36 сторінок займають ілюстрації, таблиці, додатки та список використаних джерел, який складається з 87 найменувань.

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ

У вступі обгрунтовано актуальність дисертаційної роботи за обраною темою, визначене наукове завдання, розв'язанню якого присвячена дисертація, сформульовано мету і завдання дослідження, наукову новизну і практичне значення одержаних результатів. Наведені дані про впровадження результатів роботи, особистий внесок здобувача і відомості про апробацію та публікації за темою дисертації.

У першому розділі проведено аналіз сучасного стану науки і практики, фізико-технічних принципів радіаційного керування (модифікації) властивостями матеріалів та параметрами приладів твердотільної електроніки. Наведено класифікацію, визначення, параметри і характеристики таких іонізуючих випромінювань (ІВ), як швидкі електрони, швидкі нейтрони, гамма-кванти. Надана основна теоретична інформація та відомі математичні моделі процесу їх взаємодії із твердим тілом.

Опромінення монокристала швидкими нейтронами з енергією МеВ приводить, як відзначено раніше, до дефектів Френкеля і ядерному (трансмутаційному) легуванню, а опромінення швидкими електронами з енергією МеВ і іонами з кеВ - тільки до дефектів Френкеля. Ступінь розупорядкування залежить від інтенсивності й дози опромінення. При певній кількості дефекти можуть викликати об'ємні зміни кристала, появу специфічних форм у вигляді пор і т.д. При русі швидкої частки в речовині виникає велике число вибитих з положення рівноваги й зміщених атомів (іонів) - каскадне розмноження дефектів (каскад зіткнень).

Наведені фізичні умови використання ІВ при радіаційній модифікації біполярних, польових транзисторів, фотоперетворювачів та інтегральних мікросхем. Для бездрейфових транзисторів з однорідною досить товстою базою при наявності тільки об'ємних змін вираз, що описує зміну при опроміненні статичного коефіцієнта передачі струму в схемі із загальним емітером , має вигляд:

, (1)

де - відповідає матеріалу й рівню інжекції в базі транзистора; - величина до опромінення.

Залежно від області застосування транзисторів, поряд з коефіцієнтом передачі струму при опроміненні необхідно враховувати зміну й інші параметри: збільшення напруги насичення колектор-емітер ; зменшення модуля коефіцієнта передачі струму на високій частоті й збільшення коефіцієнта шуму . Зміна параметрів транзисторів при опроміненні добре узгоджується із сучасними поданнями про механізми їхніх радіаційних ушкоджень і може бути розрахунковим методом прогнозовано з урахуванням зміни електрофізичних параметрів () у відповідних областях транзисторної структури.

Наведені умови забезпечення радіаційної стійкості при виготовленні потужних та НВЧ біполярних транзисторів.

Однієї з основних причин, що викликають зміну параметрів приладів з МОН-структурою при впливі іонізуючих випромінювань, є створення позитивного просторового заряду в шарі діелектрика, що модулює провідність каналу польового транзистора. Проблема підвищення радіаційної стійкості МДН-транзисторів може бути вирішена на основі вибору відповідних діелектричних покриттів і додаткового легування компенсуючими домішками (Cr, Pt і ін.).

Головною причиною деградації параметрів фотоперетворювачів є зменшення часу життя неосновних носіїв струму й, як наслідок, дифузійної довжини неосновних носіїв струму L. У свою чергу, зниження й L обумовлено введенням у заборонену зону напівпровідникового матеріалу фотоперетворювача «глибоких» рівнів радіаційних дефектів, що є ефективними центрами рекомбінації неосновних носіїв струму.

Вибір параметрів, по яких оцінюється радіаційна стійкість ІМС, залежить від функціонального призначення ІМС у радіоелектронній системі. ІМС є складною неоднорідною системою, що включає в себе матеріали з металевими, діелектричними й напівпровідниковими властивостями.

Оскільки найбільш істотні зміни при опроміненні ІМС відчувають параметри напівпровідникових елементів, основна увага при розробці ІМС із підвищеною радіаційною стійкістю приділяється насамперед підвищенню радіаційної стійкості цих елементів.

Сформульоване загальне наукове завдання дисертації, що поділяється на ряд взаємопов'язаних задач.

У другому розділі розроблено технологію радіаційної модифікації матеріалів та виробів твердотільної електроніки. Основну увагу приділено визначенню оптимальних видів іонізуючого випромінювання, їх джерел та режимів радіаційної обробки об'єктів. Запропоновані методи та розроблені засоби метрології параметрів виробів до і після модифікації їх властивостей.

За результатами р. 1 як засоби модифікації обрані швидкі нейтрони з енергією 14,5 МеВ, швидкі електрони з енергією 2,3-4,0 МеВ та гамма-кванти з енергією 1,7 МеВ. Виконано порівняльний аналіз існуючих джерел іонізуючих випромінювань. За його результатами обрані як джерело швидких нейтронів - генератор типу НГ-150, швидких електронів і гамма-квантів - прискорювач типу ЕЛУ-4.

Для розрахунку необхідних режимів генерації ІВ розроблені моделі, за допомогою яких визначали дози та час обробки об'єктів.

Одержання нейтронів можливо з використанням низьковольтних прискорювачів, що використовують взаємодію прискорених до енергії 150 кеВ дейтонів з ядрами дейтерію або тритію (мішень).

Процес обробки об'єктів швидкими електронами та гамма-квантами визначається такими основними параметрами:

, (2)

де Ф - інтегральний потік електронів, см^-2.с^-1; - струм пучка швидких електронів, мкА; - час обробки, с.

Взаємозв'язок величин визначається оптимальним режимом роботи прискорювача й, у свою чергу, задає умови опромінення. При цьому обов'язково враховується можливе нагрівання об'єктів пучком електронів і, якщо буде потреба, забезпечується необхідний тепловідвід або зменшується струм пучка. Наприклад, температура об'єктів 50 ⁰С може бути при струмі 0,1 мкА, що визначить згідно (2) потік електронів близько 3,0^.10¹³ см^-2.с^-1.

З метою дослідження результатів радіаційної модифікації пропонуються методи вимірювання параметрів об'єктів. Методики застосування пристосовані до умов виготовлення та опромінення виробів. Особливий інтерес для матеріалів електронної техніки представляє можливість визначення електрично пасивних домішок. Тому в роботі розглянуто застосування методики визначення в матеріалах кількості кисню.

Для дослідження однорідності складу об'єктів як по об'єму, так і по поверхні в роботі використовувався масспектрометр типу МС-7201М, призначений для якісного хімічного й кількісного ізотопного аналізу складу поверхні металів, напівпровідників, діелектриків, тонких плівок і т.п.

Структурні параметри матеріалів та багатошарових систем в роботі досліджувались за допомогою декількох варіантів достатньо простого і інформативного методу металографії: косого та сферичного шліфів. Таким методом досліджували розподіл дислокацій по товщині шарів та стан межі їх розподілу.

Електрофізичні характеристики напівпровідникових матеріалів досліджувались методами Холу та їх температурної залежності. Це дозволило з достатньою вірогідністю здобути інформацію щодо енергетичних рівнів, а з ними - класифікацію типів домішок і радіаційних дефектів. Розподіл домішок і дефектів в об'ємі зразків досліджували цими методами шляхом хімічного стравлювання шарів матеріалу.

В роботі пропонується методика використання методу лазерної фазометрії для діагностики електрофізичних параметрів об'єктів до і після модифікації. Наведена модель, за допомогою якої обчислюється вплив ІВ на параметри об'єктів, що модифікуються.

Лазерні методи діагностики оптичних властивостей напівпровідникових кристалів засновані на вимірі результату взаємодії з ними електромагнітної хвилі. Її поводження в речовині описується двома оптичними постійними: показником переломлення (фазова константа) і показником поглинання (амплітудна константа), що характеризують дану речовину:

, (3)

де , , - напруженість електричного поля, циклічна частота коливань і прохідний шлях електромагнітної хвилі, відповідно.

У результаті взаємодії лазерного променя з речовиною відбувається зміна його фази на величину :

, (4)

де - довжина хвилі випромінювання.

Таким чином, вимірюючи зміну фази згідно (4) при імпульсному збудженні напівпровідникового кристала, можна визначити , а отже, і абсолютне значення нерівноважної концентрації носіїв заряду й час життя (при відомому рівні порушення , ).

Результати модифікації параметрів приладів твердотільної електроніки досліджувались за допомогою створених в роботі пристроїв. Наведені принципові схеми для виміру вольтамперних та світлових характеристик світлодіодів, потужності випромінювання та порогу генерації лазерів тощо.

Запропоновані в роботі метрологічне й технологічне забезпечення операцій радіаційної обробки виробів дозволяють застосовувати іонізуючі випромінювання як у дослідницькій практиці, так і для керування властивостями серійних виробів.

У третьому розділі досліджені фізичні процеси і розроблені методи радіаційної модифікації напівпровідникових матеріалів.

Створені моделі процесів впливу ІВ на електрофізичні властивості матеріалів. В моделі процесів радіаційної зміни електричних властивостей визначено, що концентрація вільних носіїв зарядів, наприклад, електронів, змінюється при опроміненні дозою Ф у такий спосіб:

, (5)

де n₀, n - концентрація електронів до й після опромінення, відповідно; K_i - швидкість введення дефектів i-го типу; E_F - положення рівня Фермі; E_i - енергетичний рівень дефекту i-го типу; g_i - спіновий фактор виродження.

Під дією опромінення змінюється рухливість носіїв заряду:

, (6)

де - складові рухливості, обумовлені розсіюванням носіїв на радіаційних дефектах, іонізованих хімічних домішках, оптичних коливаннях ґрати, відповідно.

Особливо чутливим параметром до дії опромінення в напівпровідникових матеріалах є час життя носіїв заряду. Для аналізу цього питання вводиться коефіцієнт радіаційної зміни часу життя носіїв заряду K_ф:

, (7)

де ф, ф^опр. - час життя носіїв заряду до й після опромінення, відповідно.

Коефіцієнт К_ф визначається багатьма факторами, у тому числі швидкістю введення рекомбінаційних центрів, їхньою ефективністю й перетином захвата носіїв заряду.

Моделі процесів радіаційної зміни структурних властивостей засновані в роботі на теорії кластерного дефектоутворення (р. 1). За допомогою таких моделей аналізуються механізми радіаційної зміни електрофізичних властивостей кремнію, бінарних сполук груп А₂В₆, А₃В₅ та їх твердих розчинів при опроміненні швидкими електронами і нейтронами, гамма-квантами.

Об'ємні монокристали та епітаксійні шари кремнію. Як у масивних зразках, так і в епітаксійних шарах кремнію зміни електропровідності при нейтронному, електронному опроміненні високих енергій обумовлено переважно утворенням розупорядкованих областей, а при гамма-опроміненні - асоціацією домішок із точковими дефектами. У всіх випадках при відпалі до 723 К відбувається майже повне відновлення питомого опору.

Вивчалися два типи систем шар-підкладка. Перша являла собою n-p-перехід: епітаксійний шар кремнію товщиною 16^.10^-6 м, легований фосфором до питомого опору 4,5^.10^-2 Ом^.м, на підкладці із кремнію, легованої бором до питомого опору 1^.10^-1 Ом^.м. У другій використовувався р-шар кремнію товщиною 20^.10^-6 м, легований бором до питомого опору 3^.10^-2 Ом^.м, на легованій бором р⁺-підкладці з питомим опором 5^.10^-5 Ом^.м.

Опромінення шарів кремнію гамма-квантами дозами до 2^.10²² м^-2 збільшує концентрацію носіїв заряду в порівнянні з вихідними значеннями. Даний ефект можна пояснити переходом атомів домішки в електрично активний стан. У кремнієвих системах типу р-р⁺, крім цього, спостерігаються «розмиття» профілю розподілу носіїв заряду по глибині шару й зсув електричної границі між шаром і підкладкою у високоомну область.

Опромінення шарів кремнію електронами з енергіями 2,3 і 3 МеВ до дози 1^.10²⁰ м^-2 незначно збільшує концентрацію носіїв заряду за рахунок переходу атомів домішки в активний стан (рис. 1). Після дози 1^.10²⁰ м^-2 спостерігається зменшення концентрації носіїв заряду. Швидкість їхнього виведення в шарах залежить від її вихідного значення, концентрації й виду легуючої домішки, типу підкладки. Її величина вище, ніж в об'ємних монокристалах кремнію.

Опромінення електронами, починаючи з дози 1^.10²⁰ м^-2, зменшує рухливість носіїв заряду (рис. 2). Відносні зміни цього параметра по абсолютній величині менше, ніж зміна їхньої концентрації.

У системах n-p-типу при опроміненні електронами на профілі розподілу питомого опору по глибині шару виникає високоомна ділянка, вид і положення якої залежать від дози опромінення.

Бінарні сполуки А₃В₅. Досліджено процеси радіаційної модифікації напівпровідникових сполук типів А₂В₆ і А₃В₅. Основна увага приділена найбільш популярним матеріалам - арсеніду й фосфіду галію. Шари виготовляли методом рідкофазової епітаксії (РФЕ) в полі гамма-випромінювання й без нього. Такі шари потім опромінювалися швидкими електронами й нейтронами. Методика опромінення й вивчення властивостей шарів описані раніше. Опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії шарів забезпечує більш рівноважні умови кристалізації й збільшує внесок тангенціальної складової швидкості росту.

Рис. 1. Дозова залежність концентрації носіїв заряду в шарах кремнію при опроміненні електронами з енергією 2,3 МэВ. Вихідна концентрація носіїв заряду в шарах до опромінення: 1 - 1,2^.10²³; 2 - 2,5^.10²²; 3 - 1,5^.10²¹; 4 - 7,5^.10²⁰ м^-3; лінії - розрахунок; точки - експеримент.

У шарах, отриманих без гамма-випромінювання, спостерігається більш складна залежність зміни електричних і люмінесцентних параметрів від дози опромінення. Це можна пояснити складним складом домішок, по-різному взаємодіючих з радіаційними дефектами. Прогнозування властивостей таких шарів і застосування їх у виробах, що піддаються дії радіації, що припадає, істотно утрудняється. Дані шари є менш стійкими до опромінення електронами, ніж шари, отримані в полі гамма-випромінювання (рис. 3).

Рис.2. Дозова залежність рухливості носіїв заряду в шарах кремнію при опроміненні електронами з енергією 2,3 МеВ: 1 - шар КЕФ 7,0; 2 - КЕФ 0,3; 3 - КЕФ 0,08.

Аналіз основних параметрів шарів до й після опромінення різними дозами нейтронів показує, що при малих дозах опромінення (до 10¹⁵ см^-2) і високій початковій концентрації вільних носіїв заряду в шарах їх електрофізичні характеристики поліпшуються: зменшується концентрація й зростає рухливість носіїв заряду (рис. 4). При цьому ступінь їхньої зміни не залежить від типу легуючої домішки. При більших дозах опромінення спостерігається компенсація матеріалу шару радіаційними дефектами. Це проявляється в зменшенні концентрації носіїв заряду і їхній рухливості й зростанні питомого опору шаруючи. Зміна параметрів шару тут не залежить від типу легуючої домішки.

а

б

Рис. 3. Дозова залежність концентрації (а) і відношення експериментальних і теоретичних значень рухливості носіїв заряду (б) у шарах арсеніду галію, отриманих у полі гамма-випромінювання й опромінених електронами з енергією 2,3 МеВ.

Дослідження впливу ІВ на фосфід галлія дало схожі результати.

Монокристали твердого розчину Cd_xHg_1-xTe (КРТ). Дослідження кристалів КРТ показало, що вони по своєму хімічному й фазовому складу є істотно неоднорідними, їхній структурі властиві значні недосконалості.

Електронне опромінення кристалів КРТ приводить до зростання внеску електронної складової провідності, що дозволяє проводити спрямовану зміну характеристик матеріалу в процесі опромінення (рис. 5).

а

б

Рис. 4. Залежність відносної зміни концентрації (а) і рухливості (б) носіїв заряду від їхньої початкової концентрації в арсеніді галію при опроміненні нейтронами.

Істотні зміни параметрів відбуваються в процесі перших 40 хвилин відпалу вже при температурі 50 ⁰С. Збільшення тривалості відпалу до 60 хвилин мало змінює параметри.

Радіаційна обробка швидкими електронами викликає, очевидно, утворення радіаційних дефектів донорного типу, внаслідок чого концентрація електронів збільшується. Побічно про це свідчить зменшення постійної Холу при збільшенні дози електронів.

Рис. 5. Температурна залежність питомої електричної провідності опромінених дозою 1^.10¹⁶ см^-2 і відпалених зразків КРТ: 1 - без відпалювання; 2 - відпал 50 ⁰С, 20 хв; 3 - відпал 50 ⁰С, 40-60 хв.

Дослідження впливу швидких нейтронів показало, що в інтервалі використаних значень доз величини електричної провідності, постійної Холу й холлівської провідності монотонно зменшуються. Характер зміни електрофізичних параметрів подібний їхній зміні при опроміненні швидкими електронами дозами більшими, ніж 10¹⁵ см^-2. Ці зміни можна пояснити так само, як зміну параметрів при електронному опроміненні.

Аналіз наведених результатів дозволяє зробити наступні висновки. Основним результатом впливу іонізуючого випромінювання на Cd_xHg_1-хTe є збільшення концентрації електронів. При низькоенергетичному опроміненні це відбувається за рахунок збільшення концентрації пар Френкеля. При високоенергетичному опроміненні - за рахунок появи некомпенсованих однократно заряджених міжвузловинних атомів ртуті. У першому випадку дефекти, як правило, стійкі при відносно низьких температурах і не викликають змін механізму розсіювання у вихідному матеріалі. У другому випадку температурна стійкість дефектів значно вище.

Монокристали твердих розчинів Ga₁-_xА?_xAs, Ga₁-_xP_xAs. У нашій роботі досліджувалися світлодіоди з ( ) отримані епітаксією з рідкої фази й опромінені гамма-квантами й нейтронами. Показано, що збільшення вмісту алюмінію знижує вплив опромінення при рівнях 5^.10⁶ і 3,5^.10¹³ см^-2. У шарах твердих розчинів цього матеріалу, легованих телуром ( ), концентрація носіїв заряду більше 5^.10¹⁷ см^-3, під дією електронів з енергією 1,5 МеВ зростає, а при концентрації менше 5^.10¹⁷ см^-3 - зменшується. Відпал при 200-300 ⁰С відновлює ефективність світлодіодів. Процеси деградації люмінесцентних властивостей цього матеріалу й переходів однакові й пов'язані зі зменшенням часу безвипромінювальної рекомбінації.

Введення фосфору в арсенід галію до утворення твердого розчину підвищує стійкість світлодіодів на кілька порядків. Під дією швидких нейтронів з енергією більше 10 кеВ і рівнем від 10¹³ до 9^.10¹⁶ см^-2 у таких шарах відбувається зменшення концентрації носіїв заряду, матеріал здобуває власну провідність, час життя неосновних носіїв заряду також зменшується. Опромінення світлодіодів гамма-квантами приводить до зменшення квантового виходу й часу життя неосновних носіїв заряду. Відпал при 773 К відновлює параметри цих приладів до 75 %. Опромінення таких діодів електронами з енергією 1 МеВ приводить до утворення центрів двох типів (акцепторів і пасток), які відпалюються при 773 К. Опромінення гамма-квантами приводить до зменшення інтенсивності люмінесценції, однак додаткових смуг, пов'язаних із введенням радіаційних дефектів, у діапазоні 0,6-1,0 мкм не виявлено.

Найменша пошкоджуваність при опроміненні нейтронами таких твердих розчинів характерна для області складу .

У четвертому розділі досліджені фізичні процеси і розроблені методи радіаційної модифікації параметрів приладів твердотільної електроніки. Дослідження проведені для біполярних транзисторів, напівпровідникових і гібридних мікросхем, напівпровідникових фотоприймачів та лазерів. Теоретичною основою таких досліджень стала інформація, викладена в п. 3, р. 1.

Для радіаційної модифікації біполярних транзисторів використовувались прилади, у яких як вихідний матеріал були використані епітаксійні шари марки , отримані газофазовою епітаксією. Вплив ІВ на напівпровідникові мікросхеми досліджували на прикладі інтегральних датчиків температури. Кристал кремнію такої мікросхеми містить резистор, транзистор і п'ять послідовно з'єднаних діодів, виготовлених на основі дифузійних шарів біполярного транзистора. Радіаційна обробка датчиків температури швидкими електронами дозами 10¹⁵ і 10¹⁶ см^-2 приводить до зменшення прямого спадання напруги на діодах і збільшенню температурного коефіцієнта напруги. Подібні результати радіаційної обробки можна пояснити зміною електрофізичних параметрів кремнію (п.3, р. 3).

Таким чином, радіаційна обробка швидкими електронами інтегральних датчиків температури приводить до підвищення модуля температурного коефіцієнта напруги, а отже, і до підвищення їхньої чутливості.

Можливості радіаційної модифікації гібридних мікросхем досліджувались на прикладі мікрозбірок, призначених для виміру та стабілізації температури. Радіаційна обробка приладів проводилася швидкими електронами дозою до 10¹⁷ см^-2 і нейтронами - до 10¹⁶ см^-2. Аналіз здобутих результатів показує, що основні електричні параметри мікрозбірок у результаті проведеної обробки змінилися в межах допуску. Радіаційна стійкість мікрозбірок, оброблених швидкими нейтронами, виявилася більш високою (10¹⁶ см^-2) у порівнянні з їхньою стійкістю при обробці швидкими електронами (10¹⁵ см^-2). Основною причиною відзначених закономірностей є висока радіаційна стійкість операційних підсилювачів (ОП), що входять до складу збірок.

При дослідженні впливу ІВ на фотоприймачі використовували відомі критерії радіаційної стійкості. У роботі були обрані фоторезистори (ФР) на основі твердого розчину Cd_xHg_1-xTe (х=0,2), властивості якого і результати впливу ІВ на нього викладені в п. 3.4.1, р. 3. У роботі вдосконалена модель процесу радіаційної зміни параметрів таких ФР, за якою результати радіаційного впливу на фоточутливі елементи на основі цього твердого розчину можна оцінити по змінах сигналу фотовідповіді. Для фоторезистора в режимі холостого ходу, коли опір навантаження набагато більше опору фоторезистора, і малих сигналів у напівпровіднику з електронним типом провідності фотовідповідь визначається формулою:

, (8)

де - зсув на фотоприймачі; - зміна напруги на фотоприймачі при його висвітленні; - темнова електропровідність напівпровідника; - фотопровідність; - швидкість генерації носіїв заряду; - темнова концентрація електронів; - час життя й рухливість електронів і дірок, відповідно.

Для КРТ , тому (8) прийме вид:

(9)

Як видно з (9), сигнал, що знімається з фоторезистора, пропорційний зміщенню. Це справедливо для значення ( - відстань між контактами), при якому реалізуються умови прольоту неосновних носіїв заряду через фоторезистор. При напруга сигналу насичується й не залежить від величини зсуву:

(10)

Час життя носіїв заряду визначається механізмом рекомбінації й в вузькозонних напівпровідниках, до яких відноситься КРТ, залежить від концентрації носіїв. У даному матеріалі домінує механізм оже-рекомбінації й час життя дорівнює:

, (11)

де - час життя й концентрація носіїв заряду у власному матеріалі (для с, см^-3 при 80 К); - фактичне значення концентрації.

Для опромінення ФР швидкими електронами за такою моделлю здобудемо відносну зміну напруги на ньому:

(12)

При опроміненні ( ) електронами з енергією 5 МеВ з інтегральним потоком отримано, що при 80 К = 6,3 см^-1. Підставляючи ці значення в (12), одержимо, що .

У зразках , підданих опроміненню нейтронами при 80 К, час життя носіїв заряду дорівнює:

, (13)

де «0» - індекс, що ставиться до значення параметра до опромінення; - коефіцієнт радіаційної зміни часу життя неосновних носіїв заряду.

Відносна зміна сигналу, викликана іонізуючим випромінюванням, з врахуванням (12) прийме вид:

, (14)

Для режиму прольоту неосновних носіїв при см²/нейтр.^.с нейтр./см² і см^-1 при опроміненні нейтронами одержимо .

Відзначені зміни параметрів можуть бути пояснені утворенням у матеріалі традиційних дефектів донорного типу, внаслідок чого концентрація вільних електронів збільшується.

Результати опромінення ФР гамма-квантами доводять, що цей вид ІВ може бути використано як засіб доведення параметрів приладів (темновий R_Т та світловий опори, уклін люкс-омічної характеристики, інерційність) до меж технічних вимог.

За результатами дослідження впливу опромінення електронами з енергією 2,4 МеВ на характеристики лазерних діодів на основі твердого розчину галій-миш'як-фосфор і світлодіодів на основі фосфіду галію можна зробити наступні висновки: обробка дозами від 10¹³ до 10¹⁵ см^-2 зменшує опір діодів і змінює нахил вольтамперной характеристики; гранична напруга генерації лазерного випромінювання не змінюється при опроміненні електронами дозами від 10¹³ до 10¹⁵ см^-2.

Було виявлено, що радіаційні дефекти, які виникають в кристалі у результаті впливу потужного імпульсного опромінення, нестійкі: відновлення потужності випромінювання лазера відбувається вже при кімнатній температурі. Наприклад, у зразка, легованого , з концентрацією 1,8•10¹⁸ см^-3, після опромінення потоком 2,4• 10¹⁷ см^-2 і 2,8• 10¹⁷ см^-2 і наступного відпалу при кімнатній температурі протягом 15 і 30 хвилин потужність випромінювання зросла на 12% і 24%, відповідно.

Таким чином, при збудженні електронами з енергією 300-800 кеВ зміна потужності й порога генерації лазерів виявилася, по-перше, незначною і, по-друге, нестійкою при кімнатній температурі. Ці фізичні результати виявилися несподіваними, оскільки було відомо, що опромінення діодних лазерів з арсеніду галію електронами високих енергій приводить до погіршення їхніх властивостей, відновлення яких спостерігалося тільки після тривалого нагрівання до 400-450 ⁰С.

ВИСНОВКИ

Радіаційні методи та засоби керування (модифікації) параметрів приладів твердотільної електроніки можуть стати ефективним важелем прогресу у цій галузі. Для цього в роботі створені чи вдосконалені моделі фізичних процесів впливу ІВ на конкретні нові напівпровідникові матеріали, проведені експериментальні дослідження зв'язку цих впливів з параметрами приладів, розроблені рекомендації практичного застосування результатів щодо керування їх радіаційною стійкістю.

В дисертаційній роботі проведені теоретичні і експериментальні дослідження, що дозволили розв'язати наукове завдання, яке полягає в дослідженні фізичних процесів впливу мікрочастинок з високою енергією (іонізуючих випромінювань) на напівпровідникові матеріали й прилади твердотільної електроніки та оптоелектроніки, розробці науково обгрунтованих методів, методик і технологій керування (модифікації) їхніми властивостями.

Головні наукові і практичні результати роботи полягають у наступному.

1. Підтверджено експериментально і науково обгрунтовано пороговий характер дії

іонізуючого випромінювання (ІВ) на електрофізичні властивості напівпровідникових матерніалів.

Наукова новизна полягає у визначенні граничних значень дози й енергії для певного типу мікрочастинок, при досягненні яких дія іонізуючого випромінювання переходить від модифікації (поліпшення) до деградації (погіршення) властивостей виробів.

2. Удосконалено моделі, що описують процеси зміни електричних і структурних властивостей виробів під дією іонізуючих випромінювань.

Наукова новизна полягає в тому, що одна з моделей спрощує розрахунок змін концентрації носіїв заряду при відомих характеристиках радіаційних дефектів. Друга модель забезпечує більшу адекватність описання процесу каскадного розмноження в кристалі радіаційних дефектів. На її основі розроблена методика розрахунку утворення й умов відпалу радіаційних дефектів в одно- і багатокомпонентних монокристалах.

3. Науково обгрунтовано причини різної радіаційної стійкості властивостей об'ємних монокристалів і системи епітаксійних шарів з підкладкою.

Наукова новизна результатів даних досліджень полягає у можливості урахування залежності радіаційної стійкості об'ємних монокристалів і епітаксійних шарів від співвідношення їхніх властивостей.

4. Визначені деякі нові фізичні процеси й механізми, що забезпечують радіаційну модифікацію властивостей напівпровідникових дискретних приладів і інтегральних мікросхем.

Наукова новизна полягає в обгрунтуванні причин різної радіаційної стійкості активних і пасивних елементів, що входять до складу мікросхем. В основі таких розходжень лежать механізми радіаційної модифікації електричних і структурних властивостей кремнію.

5. Знайшли подальший розвиток теоретичні і експериментальні методи дослідження фізичних явищ і механізмів радіаційної модифікації приладів оптоелектроніки на основі твердих розчинів сполук груп А₂В₆, А₃В₅. На цій підставі удосконалено модель процесів радіаційної модифікації властивостей фоторезисторів на основі Cd_1-хHg_хTe.

6. На основі отриманих наукових результатів запропоновано методику вибору типу і режимів опромінення дискретних та інтегральних приладів, фоторезисторів, лазерів з метою керування (модифікації) та досягнення необхідної радіаційної стійкості їх параметрів.

Таким чином, сукупність отриманих у дисертації нових наукових результатів, їх наукова та практична значимість дозволяють вважати, що сформульоване вище наукове завдання вирішено, а мета дослідження досягнута.

СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ АВТОРОМ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ

1. Мокрицький В.А. Радіаційне легування сульфіду кадмію / В.А. Мокрицький, О.В. Банзак, М.М. Охрамович, Л.О. Ряба // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2008. - № 11. - С. 42-45.

2. Мокрицький В.А. Дослідження властивостей шарів фосфіду галія після імплантації домішок / В.А. Мокрицький, О.В. Банзак // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - К., 2008. - № 12. - С. 70-73.

3. Мокрицкий В.А. Радиационное легирование арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.П. Волосевич, М.Н. Охрамович // Вісник інженерної академії України. - К., 2008. - № 1. - С. 219 - 220.

4. Банзак О.В. Воздействие ионизирующих излучений на параметры полупроводниковых оптических элементов // Вісник Черкаського державного технологічного університету. - Черкаси, 2008. - № 2. - С. 110 - 112.

5. Мокрицкий В.А. Влияние быстрых электронов на свойства эпитаксиальных слоев кремния и параметры фоторезисторов на их основе / В.А. Мокрицкий, Я.И. Лепих, Е.М. Курицын, О.В. Банзак // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - Одеса, 2008. - № 3. - С. 34-39.

6. Мокрицкий В.А. Радиационная модификация свойств кремниевых транзисторов / В.А. Мокрицкий, Е.М. Курицын, О.В. Банзак // Нові технології. - Кременчук, 2008. - № 3. - С. 20 - 23.

7. Мокрицький В.А. Методи покращення ефективності напівпровідникових фотоприймачів ІЧ-випромінювання / В.А. Мокрицький, О.В. Банзак, О.В. Селюков // Труды Одеського политехнического университета. - Одеса, 2008. № 2. - С. 189 - 193.

8. Мокрицкий В.А. Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем / В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.П. Волосевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - Одеса, 2008. - № 4. - С. 14-15.

9. Селюков А.В. Управление параметрами электролюминисцентных индикаторов для перспективных радиоэлектронных вооружений / А.В.Селюков, О.В. Банзак, В.П. Волосевич, Ю.А. Гунченко // Науково-практична конференція „Актуальні задачі фінансового, психологичного, правового, топогеодезичного, радіотехнічного та лінгвистичного забезпечення підрозділів та частин Збройних Сил України” - К., 2008. - С. 101.

10. Мокрицкий В.А. Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем / В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.П. Волосевич // Труды девятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» - Одесса, 2008. - т. ІІ. - С. 118.

11. Мокрицкий В.А. Радиационная стойкость кремниевых датчиков ИК-излучения/ В.А. Мокрицкий, Е.М. Курицын, О.В. Банзак // 3-я Міжнародна наукова-технічна конференція „Сенсорна електроніка і мікросистемні технології”. - Одеса, 2008. - С. 362.

12. Мокрицкий В.А. Радиационная модификация свойств кремниевых транзисторов / В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак // ІІІ Міжнародна науково-практична конференція „Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології” . - Кременчук, 2008. - С. 70 - 71.

13. Мокрицкий В.А. Воздействие ионизирующих злучений на параметры полупроводниковых оптических элементов / В.А. Мокрицкий, А.В. Селюков, О.В. Банзак, // Міжнародна наукова-технічна конференція „Датчики, прилади та системи”. - Черкаси-Гурзуф, 2008. - С. 160.

14. Комарова Л.А. Стойкость к излучениям кремниевых транзисторов. / Л.А. Комарова, А.А. Сельский, О.В. Банзак, В.П. Волосевич // IV Міжнародна наукова-практична конференція „ Військова освіта та наука: сьогодення та майбутнє”. - К., 2008. - т. І. - С. 77 - 78.

15. Мокрицкий В.А. Физические принципы радиационной модификации приборов твердотельной электроники / В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.П. Волосевич // Труды десятой международной научно-практической конференции «Современные информационные и электронные технологии» - Одесса, 2009. - т. 2. - С. 114.

16. Селюков А.В. Управление парамеирами электролюминисцентных индикаторов для перспективных радиоэлектронных вооружений / А.В. Селюков, О.В. Банзак, В.П. Волосевич, Ю.А. Гунченко // ІІ Всеукраїнська науково-технічна конференція „Перспективи розвитку озброєння і військової техніки Сухопутних військ”. -Львів, 2009. - С. 89.