Разработка технологии изготовления наногетероструктур gaas/ingaas/algaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии на нанотехнологическом комплексе Нанофаб Нтк-9

Технологии на основе напряженных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с квантовой ямой как наиболее перспективные для приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона. Зависимость критической толщины от содержания индия. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии.

Рубрика Химия
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 28.05.2017
Размер файла 1,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.