статья  Разработка технологии изготовления наногетероструктур gaas/ingaas/algaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии на нанотехнологическом комплексе Нанофаб Нтк-9

Технологии на основе напряженных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с квантовой ямой как наиболее перспективные для приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона. Зависимость критической толщины от содержания индия. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  #####   ##         #######  ########   #####   
 ##   ##  ##    ##  ##     ## ##        ##   ##  
##     ## ##    ##  ##     ## ##       ##     ## 
##     ## ##    ##   #######  #######  ##     ## 
##     ## ######### ##     ##       ## ##     ## 
 ##   ##        ##  ##     ## ##    ##  ##   ##  
  #####         ##   #######   ######    #####   

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Химия
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 28.05.2017
Размер файла 1,2 M

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.