статья  Разработка технологии изготовления наногетероструктур gaas/ingaas/algaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии на нанотехнологическом комплексе Нанофаб Нтк-9

Технологии на основе напряженных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с квантовой ямой как наиболее перспективные для приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона. Зависимость критической толщины от содержания индия. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

######    ## ###      ##   ## ##     ## ##   
##   #   ##   ##    # ##   ##  ##   ##   ##  
   ##    ##        ## ##       ##        ##  
  ##     ## ###   ##  ##      ##       ###   
  ##     ##   ##  ### ###    ##          ##  
  ##     ##   ##      ##    #   ##  ##   ##  
  ##      ## ##       ##   ######    ## ##   
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Химия
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 28.05.2017
Размер файла 1,2 M

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.