Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.

Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.

Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.

Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.

Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.

Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.

Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.

Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.

Принцип действия полупроводникового приемно-усилительного устройства, его схема. Радиоэлектронные компоненты полупроводникового материала. Затраты на изготовления устройства. Детектор проводки на основе биполярных транзисторов, детектор скрытой проводки.

Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

Создание квазистационарной математической модели термоэлектрической системы для локального теплового воздействия в ларингологии, с учетом влияния фазового перехода на процессы теплообмена. Влияние теплофизических свойств на выходные параметры устройств.

Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.

Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.

Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.

Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.

Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.

Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.

Лазерный диод — полупроводниковый лазер. Виды и конструкция лазерных диодов. Лазеры на двойной гетероструктуре. Диод с квантовыми ямами. Гетероструктурные лазеры с раздельным удержанием. Лазеры с распределённой обратной связью. Применение лазерных диодов.

Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.

Принципиальная электрическая схема полупроводникового преобразователя электрической энергии, временные диаграммы его работы. Расчет элементов пассивной защиты преобразователя от аварийных токов. Системы управления силовыми полупроводниковыми приборами.

Характеристика основных цехов современного металлургического завода. Виды и назначение полупродуктов прокатного производства. Оборудование обжимно-заготовочного стана и технологический процесс прокатки. Технология резки, охлаждения и уборки проката.

Изучение электродинамических свойств импедансных структур. Построение физических и математических моделей взаимодействия электромагнитных полей в антенной технике. Анализ рассеяния электромагнитных волн на полупрозрачном конусе с продольной щелью.

Методика двухстадийного культивирования зелёной микроводоросли Dunaliella salina с использованием квазинепрерывного метода выращивания. Сравнение сравнительного и накопительного методов этого процесса. Условия накопления каротиноидов в клетках дуналиеллы.

Классификация полупустынной растительности территории Ширвана. Факторы, влияющие на нее: дефицит влаги, высокая температура летом и засоление почвы. Видовой состав ассоциации солянка, эфемеро-бело-полынной. Изменение количества таксонов в полупустынях.

Анализ результатов исследования малоизвестных науке памятников церковного зодчества региона Тыграй – полускальным пещерным церквям исторических областей Сэхарт, Тэмбен и Ындэрта. Знакомство с вариантами взаимодействия архитектуры с окружающим ландшафтом.

Обоснование критериев выделения полусуффиксов и формирование их корпуса на базе выделенных критериев. Систематизация выявленного корпуса полусуффиксальных элементов с использованием полевой модели организации языковых единиц. Анализ статуса полусуффиксов.

Описание и выбор точной модели преобразования Пуанкаре. Использование скалярно-векторного сопряжения преобразования полуточки. Составление моделей скорости и её иллюстрации в частных случаях (на примере поступательной и вращательной скорости).

Понятие о натуральных полуфабрикатов. Ассортимент мелкокусковых полуфабрикатов из говядины, свинины и птицы. Рубленые полуфабрикаты и прочие виды мясных полуфабрикатов. Основные требования к их качеству. Упаковка, маркировка и хранение полуфабрикатов.

Ознакомление с особенностями организации работы в мясо-рыбном цехе. Изучение и характеристика методов кулинарной механической обработки мяса: говядины, баранины и свинины. Рассмотрение правил приготовления полуфабрикатов из мяса, обработки субпродуктов.