Моделирование точечных F-центров в щелочно-галоидных кристаллах

Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах. Методика квантово-химических расчетов. Моделирование создания Френкелевских дефектов. Характеристики F-центров окраски ЩГК в основном и возбужденном состоянии.

Рубрика Физика и энергетика
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 09.05.2011
Размер файла 637,2 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Понятие и классификация дефектов в кристаллах: энергетические, электронные и атомные. Основные несовершенства кристаллов, образование точечных дефекто, их концентрация и скорость перемещения по кристаллу. Диффузия частиц за счет движений вакансий.

    реферат [571,0 K], добавлен 19.01.2011

  • Классификация квантоворазмерных гетероструктур на основе твердого раствора. Компьютерное моделирование физических процессов в кристаллах и квантоворазмерных структурах. Разработка программной модели энергетического спектра электрона в твердом теле.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 21.01.2016

  • Описание магнитопластического эффекта (МПЭ) в немагнитных кристаллах. Частичное подавление двойникования в кристаллах висмута при длительном воздействии сосредоточенной нагрузки с одновременным приложением слабого постоянного магнитного поля (МП).

    реферат [415,8 K], добавлен 21.06.2010

  • Создание дефектов в кристаллах и появление в запрещенной зоне определенных полос поглощения. Недостаток радиационного способа. Фотохимическая и термическая обработка кристаллов. Перевод электрона на уровень энергии, обусловленный наличием F-центра.

    презентация [34,0 K], добавлен 19.02.2014

  • Кристаллы - реальные твердые тела. Термодинамика точечных дефектов в кристаллах, их миграция, источники и стоки. Исследование дислокации, линейного дефекта кристаллической структуры твёрдых тел. Двумерные и трехмерные дефекты. Аморфные твердые тела.

    доклад [126,6 K], добавлен 07.01.2015

  • Свойства исследуемых объектов и методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию, неупругое рассеяние рентгеновских лучей веществом. Импульсная аппроксимация, атомно-рассеивающий фактор, вид и методика обработки дифракционных максимумов.

    диссертация [885,1 K], добавлен 10.06.2011

  • Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой.

    реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012

  • Особенности работы детекторов на основе щелочно-галоидных кристаллов для регистрации рентгеновского и мягкого гамма-излучения, пути ее оптимизации. Анализ методик, позволяющих значительно улучшить сцинтилляционные характеристики регистраторов излучений.

    дипломная работа [2,1 M], добавлен 16.12.2012

  • Свойства объектов и методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию. Экспериментальные методы исследования комптоновского рассеяния. Атомно-рассеивающий фактор, распределение радиальной электронной плотности в литии по комптоновским профилям.

    дипломная работа [1,3 M], добавлен 06.06.2011

  • Метод высокоточной гелиевой дефектоскопии. Растворимость гелия в кристаллах с дефектами вакансионного типа. Схема термодесорбционной установки, методика измерений. Система вакуумирования, калибровки масс-спектрометра, контроля температуры ячеек насыщения.

    контрольная работа [1,4 M], добавлен 03.12.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.