Анализ уровня непериодических импульсных помех

Расчет параметров импульса помех. Изучение линейной аппроксимации плотности распределения амплитуд. Определение экранирующего действия методом полных сопротивлений. Экранирование в переменном электромагнитном поле. Анализ параметров пассивного фильтра.

Рубрика Физика и энергетика
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 18.10.2020
Размер файла 754,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Контрольная работа

По дисциплине: «Теоретические основы электромагнитной совместимости»

Тема: Анализ уровня непериодических импульсных помех

1. Задание к расчету параметров импульса помех

Таблица№1

Вариант №10

Um

(В)

ф

(мс)

фk

(мс)

б

(дБ)

10

20

20

80

Импульс имеет трапециевидную форму (Рис.№1.1) параметры которого заданы в таблице №1.

Рисунок 1.1 Трапециевидный импульс

Для быстрой практической реализации преобразования Фурье используют ЭМС - номограмму. Она позволяет построить огибающую плотности распределения амплитуд, синтезировать импульс, эквивалентный помехе, учесть частотно зависимые свойства пути и канала передачи помех, а также средств защиты от помех (фильтров, экранов). Для трапециевидного импульса, который описывает большинство импульсных помех, плотность распределения амплитуд определяется выражением:

(1.1)

Подставив параметры импульса в выражение (1.1), имеем:

,

График данной функции изображен на рисунке 1.2. ЭМС - номограмма базируется на аппроксимации огибающей плотности распределения амплитудной плотности тремя отрезками прямой. Для низкочастотного диапазона f fH (fH=) огибающая параллельна оси абсцисс, так как синус приблизительно равен своему аргументу:

Плотность распределения амплитуд гармоник (в дБ) зависит исключительно от площади импульса:

,

где

Рисунок 1.2 Плотность распределения амплитуд

Для среднечастотного диапазона

,

Так как ф и фк равны, отрезок в диапазоне 1/рф<f<1/(рф_k ) вырождается в точку U(f)=112 дБ.

В высокочастотном диапазоне

,

Построив ЭМС - номограмму с заданными параметрами имеем рисунок 1.3 совместно с Изобразим ЭМС - номограмму данного импульса, прошедшую через фильтр с коэффициентом ослабления a=80дБ. На рисунке 1.4 линия a - исходный сигнал, b - после прохождения через фильтр.

Рисунок 1.3 Линейная аппроксимации плотности распределения амплитуд

Рисунок 1.4 Плотности распределения амплитуд, прошедших через фильтр

Найдем параметры импульса. Длительность импульса определим из выражения:

,

Время нарастания импульса:

,

Для перехода из частотной во временную область необходимо найти площадь импульса:

,

Плотность распределения амплитуд импульса:

,

Крутизна фронта нарастания импульса:

,

Построим импульс в системе координат U,t, так как ф и фk равны график имеет треугольную форму (рис.1.5):

Рисунок 1.5 График импульса

2. Задание к расчету экранирующего действия методом полных сопротивлений

Таблица№1

Вариант №10

у*106

(См/м)

µ

d

(мм)

f

(МГц)

Нвш

(А/м)

Евш

(В/м)

№ Вопроса

0,026

1

1,5

0,01

-

200

10

Относительная проводимость материала экрана и глубина проникновения в него электромагнитной волны

Длина волны и величина ближней зоны

Волновое сопротивление экрана

Волновое сопротивление вакуума

Волновое сопротивление ближней зоне

Волновое сопротивление дальней зоне

Коэффициент затухания вследствие отражения дальняя зона

Коэффициент затухания вследствие отражения электрическое поле ближняя зона. импульс электромагнитный поле фильтр

Коэффициент затухания вследствие отражения магнитное поле ближняя зона

Коэфициент затухания вследствие поглощения в стенке экрана

Корректирующий коэффициент

,

Общий коэфициент затухания экрана дальняя зона

Ближняя зона

,

,

Напряженность магнитного поля в пространстве источника помех в ближней и дальней зонах

Напряженность магнитного и электрического полей внутри экрана дальняя зона

Напряженность магнитного и электрического полей внутри экрана ближняя зона

Вопрос №10 Экранирование в переменном электромагнитном поле.

Явление затухания электромагнитной волны в поверхностном слое металла используют для экранировки в переменном электромагнитном поле.

Электромагнитные экраны представляют собой полые цилиндрические, сферические или прямоугольные оболочки, внутрь которых помещают экранируемое устройство (например, катушку индуктивности, измерительный прибор и т. п.).

Экран выполняет две функции: 1) защищает устройство, заключенное в экран, от влияния внешнего по отношению к экрану электромагнитного поля; 2) защищает внешнее по отношению к экрану пространство от электромагнитного поля, создаваемого устройством заключенным в экране.

Поскольку на расстоянии, равном длине волны, электромагнитная волна в металле почти полностью затухает, то для хорошей экранировки толщина стенки экрана должна быть примерно равна длине волны в металле. Практически приходится учитывать и другие факторы (механическую прочность экрана, его стоимость и т. д.).

3. Задание к расчету и анализу параметров пассивного фильтра

Вариант №10

Тип фильтра

Порядок/

Структура

ZQ

(ОМ)

ZS

(ОМ)

L1

(мГн)

С1

(нФ)

L2

(мГн)

С2

(нФ)

Изменение номиналов

ФНЧ

2/Г

750

750

84,4

150,1

-

-

0,25*L1

В электрических системах фильтры применяются, прежде всего для того, чтобы уменьшить амплитуду токов или напряжений одной или нескольких фиксированных частот. Когда же необходимо избежать проникновения токов определенной частоты в отдельные узлы преобразовательной подстанции или части энергетической системы (как, например, в случае пульсации управляющих сигналов), можно использовать последовательный фильтр, состоящий из параллельно включенных конденсатора и катушки индуктивности, создающих большое сопротивление протеканию тока на выбранной частоте. Что касается статических преобразователей, то обычно в них приняты меры к ограничению проникновения гармоник тока в систему с помощью создания короткозамкнутого пути с малым сопротивлением для гармонических частот. Подобный принцип применяется при создании высокочастотных каналов связи между подстанциями по проводам линий электропередач. Где полезный сигнал высокой частоты снимается через фильтр присоединения, который представляет собой высоковольтный конденсатор. А с целью не прохождения его дальше к оборудованию, гасится высокочастотным заградителем, который представляет собою высоковольтный трансреактор (индуктивность).

Для анализа и выполнения расчетов удобно представление фильтра в виде четырехполюсника F ( см. рисунок 2.1):

Рисунок2.1 Фильтр как пассивный четырёхполюсник.

Помехоподавляющие фильтры представляют собой элементы для обеспечения затухания поступающей по проводам помехи. Введение зависящего от частоты продольного полного сопротивления (рис.2.2), в форме щL, представляющего для низкочастотного тока - очень малое, а для высокочастотного тока - очень большое сопротивление, обеспечивает ослабление помехи, и составляющая, напряжения помехи снижается. Общее правило при составлении схемы фильтра: в фильтре низких частот ФНЧ индуктивности включены последовательно с сигналом, емкости - на землю, в фильтре высоких частот ФВЧ - наоборот. Согласно заданию, схема пассивного фильтра представлена на рисунке 2.2.

Рисунок 2.2 Принципиальна схема

Коэффициент затухания в фильтре любой структуры можно выразить как

где: A11, A12, A21 , A22 - параметры четырехполюсника;

ZQ, Zs - полное сопротивление источника и приемника.

Для данной структуры фильтра параметры четырехполюсника на ходим по формулам:

(2.2)

(2.3)

(2.4)

(2.5)

где: - полное сопротивление катушки индуктивности;

- полное сопротивление емкости С1;

- циклическая часто, параметр зависящий от f - частоты переменного тока. Подставив наши параметры в формулы (2.2) - (2.5) при f = 10 Гц, имеем:

,

5,303i (Ом)

(Ом)

Полученные результаты подставив в выражение (2.1) найдем коэффициент затухания фильтра при частоте сигнала f=10 Гц:

дБ,

Реактивное сопротивление катушки индуктивности L1 и емкости C1 зависит от частоты сигнала f и имеет различные величины на других частотах. Рассчитаем коэффициента затухания фильтра при f=100, 200, 500, 1000, 2000, 5000, 10 000, 20 000, 50 000, 100 000 Гц.

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ - частота среза.

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

По полученным результатам построим амплитудно-частотную характеристику фильтра( (Рис. 2.3).

В случае изменении номинала индуктивности до 0.23L, аналогично рассчитав коэффициент затухания имеем:

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

дБ

Рисунок 2.3 амплитудно-частотная характеристика фильтра

Исходя из определения частоты среза, что уровень сигнала снижается в 2 раза (aе=-3дБ). Тогда для данного фильтра частота среза равна f=2кГц. Крутизна спада АЧХ фильтра порядка -40 дБ/декаду что соответствует фильтру второго порядка. Ослабление сигнала в 100 раз (ае=-20дБ ) при f=6.3кГц, а в 1000 раз (ае=-30дБ ) при f=11.3кГц.

По полученным результатам построим амплитудно-частотную характеристику фильтра( (Рис. 2.4).

Рисунок 2.3 амплитудно-частотная характеристика фильтра

Вывод: в результате расчета были определены параметры фильтра низкой частоты, при заданных величинах его элементов. Его полоса пропускания лежит в пределах от 0 Гц до 2кГц. Данный фильтр второго порядка, и его частота среза равна 2 кГц. Что означает что сигнал с данной частотой снижается в 2 раза, а при частоте 6,3кГ и выше уровень сигнала снижается в 100 и более раз. При снижении величины индуктивности до 0,25 исходной, параметры фильтра ухудшаются, что приводит к смещению частоты среза до 2,7 кГц.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Расчёт параметров цепи постоянного тока методом уравнений Кирхгофа, контурных токов и методом узловых напряжений. Расчёт баланса мощностей. Расчёт параметров цепи переменного тока методом комплексных амплитуд. Преобразование соединения сопротивлений.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 14.04.2015

  • Расчет параметров цепи постоянного тока методом уравнений Кирхгофа, и узловых напряжений. Расчет баланса мощностей. Построение потенциальной диаграммы. Сравнение результатов вычислений. Расчет параметров цепи переменного тока методом комплексных амплитуд.

    курсовая работа [682,1 K], добавлен 14.04.2015

  • Проектирование схемы фильтра. Частотное преобразование фильтром прототипа нижних частот. Определение передаточной функции фильтра. Характеристики ослабления проектируемого фильтра. Расчет параметров элементов звеньев методом уравнивания коэффициентов.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 31.05.2012

  • Фильтрация сигналов на фоне помех в современной радиотехнике. Понятие электрического фильтра как цепи, обладающей избирательностью реакции на внешнее воздействие. Классификация фильтров по типу частотных характеристик. Этапы проектирования фильтра.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 23.01.2010

  • Нормирование фильтра низких частот - прототипа для полосового фильтра. Аппроксимация по Баттерворту и по Чебышеву. Реализация схемы ФНЧ методом Дарлингтона. Денормирование и расчет элементов схемы заданного фильтра. Расчет частотных характеристик ПФ.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 04.09.2012

  • Синтез реактивных двухполюсников; анализ схемы пассивного фильтра и расчет эквивалентных активного ARC и пассивного Т-образного фильтра. Рассмотрение теоретической зависимости входного сопротивления четырехполюсника в режиме холостого хода от частоты.

    курсовая работа [686,6 K], добавлен 28.01.2013

  • Расчет номиналов элементов заданной электрической цепи. Анализ цепи спектральным методом: определение плотности импульса, амплитудно-частотный и фазочастотный спектры, получение спектра выходного сигнала. Анализ цепи операторным методом, результаты.

    курсовая работа [1,7 M], добавлен 19.05.2013

  • Расчет эквивалентного параметра схемы методом ее преобразования. Определение параметров разветвленной цепи с одним источником. Расчет разветвленных цепей узловым методом и методом контурных токов. Оценка параметров трехфазной цепи с разными нагрузками.

    контрольная работа [2,0 M], добавлен 11.01.2014

  • Вычисление геометрических отражений как способ контроля правильности выбора формы помещения и очертаний его внутренних поверхностей. Определение дополнительных акустических параметров зала. Частотный анализ звукового поля. Расчет времени реверберации.

    контрольная работа [2,1 M], добавлен 12.09.2014

  • Расчет параметров схемы замещения (удельных и полных сопротивлений линий, трансформаторов, токов короткого замыкания), определение типов защит (дифференциальная токовая, с минимальной выдержкой времени, газовая) магистральной линии и преобразователей.

    курсовая работа [225,0 K], добавлен 05.06.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.