Визначення фізичних властивостей p–n переходу в напівпровідниковому діоді

Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.

Рубрика Физика и энергетика
Вид лабораторная работа
Язык украинский
Дата добавления 16.07.2017
Размер файла 34,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Міністерство освіти і науки України

Вінницький Національний Технічний Університет

Кафедра фізики

Лабораторна робота 8-4

На тему: Визначення фізичних властивостей p - n переходу в напівпровідниковому діоді

Виконав: Ст. гр. 3ПЗ-04 Тарковський В.А.

Перевірив: Зузяк П.М.

Вінниця 2005

Мета роботи: вивчити фізичні властивості напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення.

Прилади та матеріали: досліджуваний діод; установка для одержання вольт-амперної характеристики.

Порядок виконання роботи:

1. Ввімкнути установку в міську мережу.

2. Перемикач поставити в положення ''Прямий".

3. Змінюючи напругу від нуля, фіксувати значення струму через кожні 0,1В.

4. Перемикач поставити в положення "Зворотний".

5. Змінюючи напругу від нуля, фіксувати значення струму через кожні 10В.

6. Всі дані вимірювань занести в таблицю.

Обробка результатів експерименту та їх аналіз:

1. На міліметровому папері (не дотримуючись однакового масштабу для позитивних і негативних значень струму і напруги) побудувати вольт -- амперну характеристику I=f(U) напівпровідникового діода.

2. Обчислити статичний опір для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги за формулою . Побудувати графік R= f(U).

3. Обчислити динамічний опір в певній точці вольт-амперної характеристики за формулою .

4. За формулою (при Uпр=Uзв) для різних значень прикладеної напруги знайти коефіцієнт випрямлення.

5. Зробити аналіз результатів роботи та висновки з нього.

Обробка результатів експерименту:

U,B

I,мA

R,Ом

0,2

0,4

500

0,3

0,7

429

0,4

1

400

0,5

1,4

357

0,6

1,8

333

0,7

2,2

318

0,8

2,4

333

0,9

2,8

321

1,0

3,2

313

1,1

3,6

306

1,2

4

300

1,3

4,4

296

1,4

4,8

292

1,5

5

300

1,6

5,4

296

1,7

5,8

293

1,8

6,3

286

1,9

6,6

287

2,0

7

286

2,2

7,9

278

2,4

8,6

279

2,6

9,4

277

2,8

10,2

274

3,0

11

272

U,B

I,мA

R,Ом

40

14

285*104

80

16

500*104

120

17

706*104

160

18

889*104

200

20

1000*104

240

22

1091*104

280

26

1077*104

300

31

968*104

напівпровідниковий діод амперний напруга

Масштаб: U=U*10; I=I*10; R=R/10

Масштаб:U=U; I=I; R=R/100

Контрольні запитання

1. Власна та домішкова провідності напівпровідників.

2. Зонна теорія напівпровідників.

3. Фізичні властивості р -- n -- переходу в прямому і зворотному напрямі.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Спостереження броунівського руху. Визначення відносної вологості повітря, руйнівної напруги металу. Вивчення властивостей рідин. Розширення меж вимірювання вольтметра і амперметра. Зняття вольт амперної характеристики напівпровідникового діода.

    практическая работа [95,3 K], добавлен 14.05.2009

  • Розрахунок дифузійного p-n переходу. Визначення коефіцієнта дифузії та градієнта концентрацій. Графік розподілу концентрації домішкових атомів у напівпровіднику від глибини залягання шару. Розрахунок вольт-амперної характеристики отриманого переходу.

    курсовая работа [675,8 K], добавлен 18.12.2014

  • Характеристика основних властивостей рідких кристалів. Опис фізичних властивостей, методів вивчення структури рідких кристалів. Дослідження структури ліотропних рідких кристалів та видів термотропних.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 17.06.2010

  • Загальні відомості, вольт-амперна характеристика, p-i-n структури, фізичний механізм та заряд перемикання напівпровідникового діода. Особливості та експерименти по визначенню заряду перемикання сплавних, точкових, дифузійних та епітаксіальних діодів.

    дипломная работа [863,1 K], добавлен 16.12.2009

  • Природа твердих тіл, їх основні властивості і закономірності та роль у практичній діяльності людини. Класифікація твердих тіл на кристали і аморфні тіла. Залежність фізичних властивостей від напряму у середині кристалу. Властивості аморфних тіл.

    реферат [31,0 K], добавлен 21.10.2009

  • Вивчення фізичних властивостей галогеносрібних та несрібних фотоматеріалів. Розгляд будови діазоплівки. Характеристика методів ("подвійний", "вибуховий" та негативно-позитивний, з підшаром), причин та способів усунення порушень якості фотолітографії.

    курсовая работа [941,7 K], добавлен 12.04.2010

  • Вивчення закономірностей тліючого розряду, термоелектронної емісії. Дослідження основних властивостей внутрішнього фотоефекту, впливу електричного поля на електропровідність напівпровідників. Експериментальне вивчення ємнісних властивостей p–n переходів.

    учебное пособие [452,1 K], добавлен 30.03.2009

  • Метод математичного моделювання фізичних властивостей діелектричних періодичних структур та їх електродинамічні характеристики за наявності електромагнітної хвилі великої амплітуди. Фізичні обмеження на управління електромагнітним випромінюванням.

    автореферат [797,6 K], добавлен 11.04.2009

  • Вивчення будови та значення деревини в народному господарстві. Опис фізичних та хімічних властивостей деревини. Аналіз термогравіметричного методу вимірювання вологості. Дослідження на міцність при стиску. Інфрачервона та термомеханічна спектроскопія.

    курсовая работа [927,3 K], добавлен 22.12.2015

  • Навчальна, розвиваюча та виховна мета уроку. Загальний опір електричного кола з послідовним з’єднанням елементів. Визначення струму та падіння напруги на ділянках кола. Знаходження загального опору кола. Визначення падіння напруги на ділянках кола.

    конспект урока [8,5 K], добавлен 01.02.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.