Главная Коллекция "Otherreferats" Физика и энергетика Розробка та дослідження характеристик прицезійних мініатюрних кремнієвих фотодіодів для комплектації кільцевих лазерів

Розробка та дослідження характеристик прицезійних мініатюрних кремнієвих фотодіодів для комплектації кільцевих лазерів

Поняття та функціональні особливості, будова та принципи роботи фотодіода, його характеристики та параметри. Фотоефект в p-n-переходах. Розгляд технічного процесу: вимоги і технічні характеристики фотодіодів "1", "2", конструктивні вимоги до нього.

Рубрика	Физика и энергетика
Вид	контрольная работа
Язык	украинский
Дата добавления	15.10.2013
Размер файла	51,6 K

посмотреть текст работы

скачать работу можно здесь

полная информация о работе

весь список подобных работ

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1. Будова та принципи роботи фотодіода

фотодіод конструктивний кремнієвий

Напівпровідниковий фотодіод (ФД) - це напівпровідниковий діод, обернений струм якого залежить від освітленості.

Вихідними матеріалами для виготовлення фоточутливого кристалу ФД можуть бути монокристалічний кремній або германій.

Елементом, що визначає роботу ФД, є p-n-перехід, який піддається опроміненню світлом. Щоб пояснити роботу ФД слід розглянути структурну схему фоточутливого кристалу ФД (рис. 1.1.1). Принцип роботи ФД полягає в наступному. Якщо ФД не освітлений, то при подачі на p-n-перехід через металізовані контакти оберненої напруги, через нього протікає порівняно невеликий струм, обумовлений головним чином неосновними носіями заряду - електронами в p-області та дірками в n-області напівпровідника. При освітлені, припустимо n-області ФД, яку назвемо базою, у ній генеруються пари електрон - дірка. Дірки, що генерувались поблизу поверхні n-області, дифундують в глибину і, будучи неосновними носіями зарядів для цієї області, підходять до області просторового заряду d p-n-переходу, захоплюються полем переходу в p-область. Зростання струму неосновних носіїв заряду із n-області в p-область під дією світла викликає додаткове падіння напруги на опорі навантаження (рис. 1.1.2). Для того, щоб дірки генеровані біля поверхні, могли дійти до p-n-переходу, товщина n-області (товщина бази W) повинна бути меншою дифузійної довжини дірок в ній.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Структурна схема кристалу ФД

Інакше дірки, рухаючись до p-n-переходу, встигнуть рекомбінувати з електронами і до p-n-переходу не дійдуть.

Фотодіод як приймач застосовується в двох робочих режимах: в фотодіодному та в режимі генерації фото-ЕРС (вентильному) (рис 1.1.2).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Схеми включення ФД в фотодіодному(а) та фотовентильному (в) режимах

У першому випадку подається обернена напруга і струм через структуру є функцією інтенсивності світла. В другому p-n-перехід сам використовується в якості джерела ЕРС чи струму. Так струм в колі ФД [2] у вентильному режимі можна записати у вигляді

де I_ф - струм, утворений потоком через p-n-перехід надлишкових неосновних носіїв;

I_s - струм насичення, що протікає через контактний перехід в запірному напрямі, утворений рухом неосновних носіїв;

U_R - падіння напруги на опорі навантаження від протікаючого у зовнішньому колі струму (відповідає прямій напрузі на переході);

U_T = kT/q - температурний потенціал.

Фотострум визначається так:

де F_л- монохроматичний світловий потік, що проникає в напівпровідник;

- число фотонів;

- число утворених при цьому пар носіїв струму;

Q - Внутрішній квантовий вихід;

з (з ?1) - коефіцієнт збирання носіїв.

Внутрішній квантовий вихід менший одиниці, так як деяка доля світлового потоку поглинається не фотоелектрично.

Коефіцієнт збирання носіїв визначає ту їхню частину, що дійшла до переходу, не рекомбінувавши в об'ємі напівпровідника. Він дорівнює відношенню числа пар, що дійшли до перехода, до числа пар, які генерувались в результаті поглинання світла.

В тому випадку, коли зовнішнє коло містить ще й джерело напруги U, величина струму у зовнішньому колі визначається виразом I=(U_R-U)/R_н. Тоді рівняння струму через ФД при освітлені буде мати вигляд:

На рис. приведені вольт-амперні характеристики (ВАХ) ФД, побудовані відповідно до виразу (1.1.3).

Размещено на http://www.allbest.ru/

Вольт-амперна характеристика фотодіода

При відсутності освітлення ВАХ ФД в прямому і оберненому напрямках нічим не відрізняються від ВАХ випрямляючого p-n-перехода. Цю характеристику називають темновою.

Освітлення ФД призводить до зростання оберненого струму через ФД (криві Ф₁, Ф₂, Ф₃). При збільшенні оберненої напруги потужність, що розсіюється переходом росте і перехід нагрівається. Концентрація неосновних носіїв струму при нагріванні експоненційно зростає. Це призводить до ще більшого нагрівання переходу і до лавиноподібного збільшення струму через нього. При деякій U_проб відбувається тепловий пробій.

З рис. 1.1.4 видно, що світлові характеристики ФД, по-перше, лінійні в достатньо широких межах зміни світлового потоку і, по-друге, інтегральна чутливість ФД, тобто відношення ДІ/ДФ залежить від величини прикладеної до ФД оберненої напруги. Цю залежність можна пояснити ефектом Ерлі, який полягає в зміні товщини бази при зміні прикладеної до переходу оберненої напруги, що зв'язано із зміною товщини p-n-перехода.

Дійсно, при збільшенні прикладеної до ФД оберненої напруги зменшується товщина бази W (рис. 1.1.1), бо збільшується величина області просторового заряду p-n-переходу d. До переходу, не рекомбінувавши, буде доходити більше число неосновних носіїв. Крім того, при зменшенні товщини бази буде збільшуватись ефективнвй радіус колектора і до нього будуть доходити носії, що генерувались на великих відстанях.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Світлові характеристики ФД

2. Основні характеристики і параметри ФД

Фотодіоди - це пристрої, що реагують на потоки світлового випромінювання. Ця реакція описується рядом характеристик та параметрів [1].

До характеристик ФД відносяться:

вольт-амперна характеристика, що виражає залежніть струму, що протікає через ФД, від напруги, прикладеної до нього;

спектральна характеристика ФД, що визначає його реакцію на дію випромінювання з різною довжиною хвилі;

енергетична характеристика ФД, що виражає залежність його фотовідповіді від інтенсивності падаючого на нього потоку випромінювання;

температурні характеристики ФД виражають залежність його параметрів від температури;

порогові характеристики ФД описують його можливості реагувати на світлові сигнали слабкої інтенсивності;

частотні характеристики визначають залежність фоточутливості від частоти модуляції світла.

Основні параметри ФД наступні:

1) робоча напруга ФД U_р - постійна напруга, прикладена до нього, при якій забезпечуються номінальні параметри при тривалій роботі в заданих эксплуатаційнних умовах. Її вибирають залежно від напруги пробою;

2) темновий струм ФД I_т - струм, що проходить через фотодіод при зазначеній напрузі за відсутності потоку випромінювання в діапазоні спектральної чутливості;

3) короткохвильова (довгохвильова) границя спектральної чутливості ФД - найменша (найбільша) довжина хвилі монохроматичного випромінювання, при якому його монохроматична чутливість рівна 0,1 її максимального значення;

4) максимум спектральної характеристики ФД - довжина хвилі, що відповідає максимуму чутливості ФД. Положення максимуму залежить від об'ємного часу життя нерівноважних носіїв, швидкості поверхневої рекомбінації, товщини просвітлюючого покриття та інших факторів;

5) струмова чутливість ФД S_I (А/лк, А / Вт) визначає значення фотоструму, що створюється одиничним потоком випромінювання;

6) вольтова чутливість ФД S_U характеризує значення його сигналу у вольтах віднесене до одиниці падаючого потоку випромінювання;

7) Час наростання (спаду) фотовідповіді ФД ф_н(ф_сп) при засвітці імпульсним випромінюванням - це час наростання (спаду) фотоструму у фронті 0,1 - 0,9 (0,9 - 0,1) від максимуму;

8) ємність ФД - це ємність його p-n-переходу разом з ємністю корпусних деталей та монтажних дротів;

9) поріг чутливості ФД Р - середнє квадратичне значення першої гармоніки діючого на ФД модульованого потоку випромінювання сигналу із заданим спектральним розподілом, при якому квадратичне значення першої гармоніки напруги (струму) дорівнює квадратичному значенню напруги (струму) шуму в заданій смузі на частоті модуляції потоку випромінювання.

Струмова (вольтова) чутливості називаються інтегральними, якщо вони характеризують чутливість до інтегрального потоку випромінювання та монохроматичними, якщо характеризують фоточутливість до монохроматичного потоку випромінювання.

Інтегральну струмову й вольтову чутливість S_i S_u обчислюють за формулами

S_i=; S_u=

де I та I_T- загальний і темновий струм;

U та U_T - загальна і темнова напруга.

У ФД на основі р-n-переходу є багато переваг: головне - мала інерційність, що характеризується постійною часу наростання ф_н і спаду ф_сп фотовідповіді при імпульсній засвітці. Ними визначаються граничні робочі частоти модуляції світла, при яких ще не відбувається помітного зменшення фотовідповіді. Як правило, ф_н < ф_сп. Фотодіоди є швидкодіючими приймачами та застосовуються для реєстрації випромінювання, модульованого по інтенсивності. Якщо використовується синусоїдальна модуляція світлового потоку, то швидкодія фотоприймача характеризується граничною частотою f_гр на якій фотовідповідь зменшується до рівня 0,7 відносного стаціонарного значення. Якщо в момент часу t = 0 на ФД подати прямокутний імпульс світла, то струм через ФД з'явиться після того, як збуджені світлом носії заряду дійдуть до р-n-переходу, тобто через час, рівний часу дифузії носіїв через базу. В початковий момент нерівноважні носії дифундують через базу з більшою швидкістю, чим у наступний. Відповідно носії, збуджені наприкінці імпульсу світла (t ? t_u), дифундують повільніше. Внаслідок цього фронти наростання та спаду імпульсу фотоструму розмиваються. Чим більше товщина бази, тим більше розмиття імпульсу, що визначається як Дt = W/ДV, де ДV - зміна швидкості руху носіїв заряду. До розмиття імпульсу фотовідповіді приводять і флуктуації теплових швидкостей носіїв. Якщо тривалість інтервалів між імпульсами світла набагато більша ф_н, то фотострум має вигляд розділених один від одного імпульсів струму. Зі збільшенням частоти проходження імпульсів світла, тривалість інтервалів між ними зменшується, і при більших частотах наступний імпульс фотоструму починається, коли попередній ще не встиг закінчитися. У цьому випадку фотострум має постійну складову І_ф⁰ і змінну І_ф. Очевидно, що із збільшенням частоти струм І_ф зменшується, а І_ф⁰ зростає. Таким чином, при великій частоті проходження імпульсів світла ФД не встигає реагувати на кожен імпульс. Імпульси фотоструму зливаються один з одним.

В загальному випадку інерційність визначається трьома процесами: часом дифузії нерівноважних носіїв через базу (ф_диф), часом їхнього прольоту (дрейфу) через область об'ємного заряду р-n-переходу (ф_др)

ф_др = d/V_сер

де V_сер - середня швидкість руху носіїв заряду, d - ширина області об'ємного заряду та постійною часу кола RC (ф_RC), яка визначається опором бази і зарядною ємністю.

3. Фотоефект в p-n - переходах

Принцип дії більшості напівпровідникових фотоприймачів з p-n-переходом (фотодіод, фототранзистор) полягає в просторовому розділенні нерівноважних електронів та дірок потенційним бар'єром неоднорідної напівпровідникової структури.

Размещено на http://www.allbest.ru/

(а) (б)

Енергетичні діаграми p-n-переходів в темноті (а) і на світлі (б)

На рис. показана енергетична діаграма p-n-переходу без освітлення та при його наявності.

При освітленні p-n-переходу фотонами з енергією hн>E_g відбувається генерація електронно-діркових пар. Поведінка нерівноважних носіїв залежить від того, де вони генеруються, тобто в якому місці структури поглинається випромінювання. Для кожної області важливим фактором являється поведінка неосновних носіїв, оскільки саме їх густина може змінюється при засвітці в широких межах.

Густина основних носіїв по обидва боки від межі розділу напівпровідника різного типу провідності практично залишається незмінною. Якщо випромінювання поглинається в p-області, то електрони, що знаходяться на відстані від p-n-переходу, меншій від їхньої дифузійної довжини L_n, зможуть досягнути його. Потенційний бар'єр сприяє переходу електронів в n-область. Аналогічно, якщо випромінювання поглинається в n-області напівпровідника, то через перехід в p-область перекидаються тільки дірки. Якщо ж пари генеруються в області об'ємного заряду, то поле переходу «розводить» носії заряду таким чином, що вони опиняються в тій області структури, де являються основними. Таким чином, p-n-перехід грає роль стоку неосновних носіїв заряду.

Результатом просторового розділення нерівноважних носіїв заряду є зменшення потенційного бар'єра переходу qц_к=kT·ln(N_dN_a/n_i²) на величину ДU (рис. 1.3.1). Це можна представити як наслідок часткової нейтралізації об'ємного заряду p-n-переходу. Рівні Фермі в об'ємі напівпровідникової структури виявляються зміщеними один відносно одного на ДU.

4. Розгляд технічного завдання

Вимоги і технічні характеристики фотодіодів «1», «2»

Одно-та двоелементні кремнієві фотодіоди ФД «1» і ФД «2», призначені для монтажу в лазерних гіроскопах, конструкція яких забезпечує захист фотодіодів від впливу вологи, соляного туману, цвілевих грибів, інею і роси, компонентів ракетного палива і робочих рідин. Розроблені фотоприймачі повинні працювати перетворювачами оптичного випромінювання в електричний сигнал в діапазоні довжин хвиль 0,4-1,1 мкм у фотодіодному робочому режимі. Норми фотоелектричних параметрів (ФЕП), задані у технічному завданні (ТЗ) наведені в таблиці 1.

Параметри пронормовані при подачі на фоточутливі елементи ФД робочої напруги 10 В.

Крім того, до ФД висувалися додаткові вимоги щодо стабільності параметрів, які наведені нижче:

- зростання темнового струму кожного ФЧЕ ФД протягом мінімального напрацювання не більше 30% від ноpми ТЗ;

- зростання темнового струму кожного ФЧЕ ФД протягом часу, рівного мінімального терміну зберігання, не більше 30% від ноpм ТЗ;

- відносна зміна статичної струмової монохpоматичної чутливості кожного ФЧЕ ФД на довжині хвилі оптичного випромінювання = 0,63 мкм, в діапазоні температур від «мінус» 50 ^оС до 65 ^оС не більше 25%.

Таблиця 1

Найменування параметра, одиниця виміру	Умовне позначення	Норма по ТЗ
Темновий струм кожного фоточутливого елемента (ФЧЕ) ФД пpи темпеpатурах «мінус» 50 ^оС і 20 ^оС, нА, не більше для: - ФД «1» - ФД «1» 2. Темновий струм кожного ФЧЕ ФД пpи темпеpатуре 65 ^оС, нА, не більше для: - ФД «2» - ФД «2» 3. Статична струмова монохpоматична чутливість кожного ФЧЕ ФД на довжині хвилі оптичного випромінювання = 0,63 мкм, А / Вт, не менше. 4. Нерівномірність статичної струмової монохpоматичної чутливості ФД на довжині хвилі оптичного випромінювання = 0,63 мкм за ФЧЕ, %, не більше. 5. Розкид статичної струмової монохpоматичної чутливості ФД на довжині хвилі оптичного випромінювання = 0,63 мкм між ФЧЕ ФД «2», %, не більше.	I_т I_т I_т⁶⁵ I_т⁶⁵ S_І_л дS	10 5 100 50 0,3 10 10
6. Коефіцієнт фотоелектричного зв'язку між ФЧЕ ФД «2», %, не більше. 7. Нелінійність енергетичної характеристики кожного ФЧЕ ФД в діапазоні потужностей оптичного випромінювання (0,2 - 25) мкВт, %, не більше. 8. Постійна часу кожного ФЧЕ ФД на довжині хвилі оптичного випромінювання = 0,63 мкм, при опорі навантаження 200 Ом, нс, не більше 9. Ємність кожного ФЧЕ ФД, пФ, не більше	К_Ф_З д_s ф С	10 10 10 10

До фотодіода висувалися також вимоги до стійкості до впливу факторів навколишнього середовища:

- Синусоїдальна вібрація в діапазоні частот (20-2000) Гц з прискоренням 200 м/с²;

- Транспортувальна вібрація в діапазоні частот 2 - 60 Гц з прискоренням не більше 4 м/с² в упаковці підприємства-виробника;

- Статичне лінійне прискорення з прискоренням 120 м/с²;

- Короткочасне (тривалістю не більше 500 с) лінійне прискорення з прискоренням 300 м/с²;

- Механічний удар (міцність) багаторазової дії з прискоренням 400 м/с² при тривалості удару (2 - 10) мс;

- Механічний удар одиночної дії (міцність) з прискоренням 5000 м/с² при тривалості удару (1 - 2) мс;

- Акустичні шуми в діапазоні частот (50 - 10000) Гц з рівнем звукового тиску 154 дБ у складі апаратури споживача;

- Атмосферний підвищений граничний тиск - не більше 294 кПа (3 кгс/см²);

- Атмосферний знижений граничний тиск - не менше 0,13 Па (1·10^-3 мм рт. ст.).

- Підвищена температура навколишнього середовища:

а) робоча 65 ^оС,

б) гранична 85^оС;

- Знижена температура навколишнього середовища:

а) робоча «мінус» 50 ^оС,

б) гранична «мінус» 60 ^оС;

- Підвищена відносна вологість повітря 98% при температурі 35 ^оС без кондесаціі вологи.

До фотодіода пред'являлися також вимоги по надійності:

- Мінімальний час роботи ФД (із зберіганням параметрів, заданих ТЗ) - 5000 год;

- Мінімальний термін зберігання ФД в упаковці підприємства-виробника при зберіганні в умовах отоплюваного сховища з кондиціонуванням повітря - 15 років; в не отоплюваному сховищі в упаковці підприємства-виробника, вмонтованих в незахищену апаратуру і які знаходяться в незахищеному комплекті ЗІП - 6 років; під навісом або на відкритому майданчику вмонтованих в незахищену апаратуру або знаходяться в незахищеному комплекті ЗІП - 4 роки.

Конструктивні вимоги, до ФД

Основними конструктивними вимогами технічного завдання є наступні принципи:

· ФД повинні виготовлятись в герметичному метало-скляному корпусі. Оптична чистота вхідного вікна в межах світового діаметру 4,8 мм - не нижче РV по ГОСТ11141;

· ФД «1» повинен мати один ФЧЕ у формі квадрата з розміром сторони 0,8 мм;

· ФД «2» повинен мати два ФЧЕ у формі прямокутника розміром (1,1х х0,4) мм². Міжелементний зазор (між сторонами ФЧЕ довжиною 1,1 мм) - 0,07 мм;

· Зміщення центру ФЧЕ (центру міжелементного зазору) кристала ФД щодо центру корпусу - не більше 0,2 мм;

· На поверхні ФЧЕ не допускається наявність золотих плям (точок) діаметром понад 50 мкм; наявність золотих плям (точок) діаметром 25-50 мкм в кількості більше 3 шт.; нявність сколів; подряпин; тріщин, плям будь-якого виду та походження;

· Всередині ФД не допускається наявність сторонніх часток, які призводять (або можуть призвести) до порушення працездатності ФД;

· Максимальне значення плоского кута між віссю установчої поверхні ФД (віссю зовнішньої циліндричної бічної поверхні корпуса ФД) і перпендикулярами до поверхні вхідного вікна і до поверхні ФЧЕ ФД повинні складати не більше 2 кутові градуси. Виконання вимог за максимально значення плоских кутів повинно забезпечуватися конструкцією ФД;

· Опір ізоляції між виводами і корпусом ФД в нормальних кліматичних умовах - не менше 100 МОм;

· Електрична міцність ізоляції між виводами і корпусом ФД в нормальних кліматичних умовах - не менше 100 В.

Зрозуміло, що підтвердження всіх вимог технічного завдання не було темою цієї роботи, що є неможливим внаслідок тривалості проведення всіх перевірок.

Размещено на Allbest.ru

контрольная работа "Розробка та дослідження характеристик прицезійних мініатюрних кремнієвих фотодіодів для комплектації кільцевих лазерів" скачать

Подобные документы

Розробка кремнієвого чотириелементного безкорпусного фотодіода, призначеного для комплектації систем орієнтації по лазерному світловому зонду
Фотоефект у р-n-переходах. Поняття та принцип дії фотодіоду, його функціональні особливості, різновиди та оцінка чутливості. Вибір матеріалу для виготовлення фотодіодів, опис конструкції, розрахунок можливості реалізації рівня фотоелектричних параметрів.

дипломная работа [933,5 K], добавлен 14.07.2013
Створення кремнієвого чотириелементного безкорпусного фотодіода
Характеристики і параметри чотириелементного безкорпусного фотодіода (ФД). Розрахунок можливості реалізації рівня фотоелектричних параметрів. Дослідження параметрів та характеристик розробленого ФД. Вимірювання часу наростання та спаду фотоструму ФД.

дипломная работа [1,5 M], добавлен 15.10.2013
Релейний захист
Визначення причин зношування електроустаткування. Призначення, будова, вимоги до роботи і принцип дії вказівного, електромагнітного, поляризованого та індуктивного різновидів реле. Особливості технічного обслуговування та ремонту комутаційних пристроїв.

дипломная работа [1,7 M], добавлен 18.01.2011
Дослідження на математичній моделі механічних характеристик електродвигуна постійного струму з двозонним регулюванням
Дослідження регулювальних характеристик електродвигуна постійного струму з двозонним регулюванням. Математичний опис та модель електродвигуна, принцип його роботи, характеристики в усталеному режимі роботи. Способи регулювання частоти обертання.

лабораторная работа [267,4 K], добавлен 30.04.2014
Фотоелектричний ефект
Предмет, методи і завдання квантової фізики. Закони фотоефекту. Дослідження Столєтова. Схема установки для дослідження фотоефекту. Фотоефект як самостійне фізичне явище. Квантова теорія, що описує фотоефект. Характеристика фотоелементів, їх застосування.

лекция [513,1 K], добавлен 23.11.2010
Дослідження статичних характеристик двигуна постійного струму незалежного збудження
Експериментальне отримання швидкісних, механічних характеристик двигуна у руховому і гальмівних режимах роботи. Вивчення його електромеханічних властивостей. Механічні та швидкісні характеристики при регулюванні напруги якоря, магнітного потоку збудження.

лабораторная работа [91,8 K], добавлен 28.08.2015
Електропостачання промислових підприємств
Методика та головні етапи випробування захисних заземлень. Вивчення пристроїв захисту від витоку струму. Апаратура ручного та дистанційного керування напругою до 1000 В. Електроустаткування освітлювальних установок, вимоги до нього та основні параметри.

методичка [565,6 K], добавлен 18.04.2013
Тепловий розрахунок промислового парогенератора ГМ 50-1
Технічні характеристики парогенератора. Розрахунок палива. Тепловий баланс парогенератора. Основні конструктивні характеристики топки. Розрахунок теплообміну в топці, фестону, перегрівника пари та хвостових поверхонь. Уточнення теплового балансу.

курсовая работа [283,3 K], добавлен 09.03.2012
Теорія електропривода
Структура автоматизованого електропривода, класифікація. Слідкувальний електропривод (СП), його функціональна схема, будова та принцип роботи. Класифікація за дальністю управління та за принципом керування. Вимоги до СП і специфіка їх проектування.

реферат [907,0 K], добавлен 12.02.2016
Електроустаткування баштового крану
Баштовий кран - поворотний кран зі стрілою, закріпленою у верхній частині вертикально розташованої башти. Будова, принцип роботи, технічна характеристика крану, вимоги до його електроустаткування. Розрахунок параметрів електродвигуна баштового крану.

дипломная работа [7,1 M], добавлен 05.11.2010

Другие документы, подобные "Розробка та дослідження характеристик прицезійних мініатюрних кремнієвих фотодіодів для комплектації кільцевих лазерів"

весь список подобных работ

скачать работу можно здесь

сколько стоит заказать работу?

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.