Характеристика двух видов локальной беспроводной сети, которые получили широкое распространение. Принципы действия и физические основы Wi-Fi и Li-Fi технологий. Общая оценка качества данных высокоскоростных беспроводных коммуникационных технологий.

Изучение семейства стандартов передачи цифровых потоков данных по радиоканалам. История создания Wi-Fi. Способы построения беспроводных сетей. Подключение двух клиентов в режиме точка-точка (Ad-hoc). Наименьшая скорость передачи данных для Wi-Fi.

Характеристика истории создания и развития беспроводных технологий Bluetooth. Принцип действия производственной спецификации беспроводных персональных сетей. Особенность использования радиоволн. Эффективное использование выделенных частотных диапазонов.

Основные требования к сетевым соединениям. История развития проекта WiMAX. Разновидности стандарта 802.16 WiMAX, основные достижения мобильного режима. Применение OFDM сигнала и QAM модуляции, спектральная эффективность OFDM сигнала системы WiMAX.

Роль глобальной сети в организации коммерческой деятельности. Краткая история возникновения и развития электронного бизнеса в Интернете. Анализ его преимуществ, основных моделей, магазинов и торговых систем. Аспекты создания, управления и перспективы.

Понятие биллинговых систем. Схема организации, структура, функции и задачи биллинга. Значение подсистемы hot-billing и предварительной обработки данных. Прикладные программы и система-медиатор. Аппаратное обеспечение и технология баз данных в АСР.

Условия эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры, параметры, которые определяются внешними воздействующими факторами. Факторы биологического воздействия на надежность и работоспособность аппаратуры. Анализ биологических повреждений (биоповреждений).

Особенности использования биомедицинских электродов при проведении электрофизиологических исследований для съёма биоэлектрических сигналов. Общие требования, предъявляемые к поверхностным электродам. Помехи, генерируемые электродами, их устранение.

Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.

Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.

Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.

Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.

Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.

Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.

Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.

Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Характеристики и параметры биполярного транзистора в режиме малых сигналов. Зависимости коэффициентов статического и динамического усиления по току от коллекторного тока для маломощного транзистора.

Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.

Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.

Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.

Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.

Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.

Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.

Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.

Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.

Понятие и сущность биполярного транзистора, принцип его работ, топология и вертикальное сечение. Структура интегрального конденсатора выполненного по биполярной технологии. Передаточная характеристика логического вентиля, температурная зависимость.

Розроблення структурних схем, амплітудно-частотних і фазо-частотних характеристик, передавальних функцій. Схематичне моделювання п’єзоперетворювачів з одно- і двоконтурним просторовим електромеханічним негативним зворотним зв’язком з підсилювачами заряду.

Особливості застосування в медицині, біології та радіометрії сигналів мм-діапазону інтенсивності, меншій за 10-9 Вт/см2. Розробка математичної моделі генератора шуму на корпусному ЛПД. Удосконалення ГШЛПД за допомогою розробленої математичної моделі.

Аналіз проблеми вимірювання параметрів безтигельної зонної плавки. Дослідження особливостей формування сигналу телевізійного біспектрального пірометра. Похибки вимірювання температури в біспектральній пірометрії. Задачі експериментальних досліджень.

Дослідження жанру у Інтернет-комунікації на прикладі такого поширеного жанру як блог, зокрема аналіз його комунікативно-прагматичних, структурно-композиційних, семантико-стилістичних характеристик. Жанрознавчі розвідки у напрямку когнітивної лінгвістики.