статья  Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса

Проведение анализа модели формирования полевого гетеротранзистора. Рассмотрение задачи нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

    ___       ___     _____   _______  _______ 
   /   )     /   )   / ___ \ (  __   )(  ____ \
  / /) |    / /) |  ( (   ) )| (  )  || (    \/
 / (_) (_  / (_) (_ ( (___) || |  |  || (____  
(____   _)(____   _) \____  || |  |  |(_____ \ 
     ) (       ) (        ) || |  |  |      ) )
     | |       | |  /\____) )| (__)  |/\____) )
     (_)       (_)  \______/ (_______)\______/ 
                                               

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид статья
Язык русский
Дата добавления 06.11.2018
Размер файла 900,5 K

Подобные документы

  • Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015

  • Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.

    курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015

  • Определение однослойного, двухслойного, трехслойного и многослойного просветляющего покрытия с минимальным коэффициентом отражения для данной длины волны. Оптические толщины, материалы напыляемых покрытий. Спектральные зависимости коэффициента отражения.

    курсовая работа [329,1 K], добавлен 18.03.2013

  • Особенности анализа систем. Описание системы уравнений с использованием стандартных типов системы "Тополог": функция и вектор. Итерационный метод нахождения собственных значений по методу Якоби. Пример анализа из электротехники (линейная система).

    реферат [793,2 K], добавлен 28.10.2013

  • Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.

    курсовая работа [392,1 K], добавлен 14.12.2013

  • Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.

    лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012

  • Рассмотрение особенностей разработки комплекса по автоматизации анализа попыток внешних проникновений и контроля локальных соединений для сервера телефонии. Общая характеристика протокола SSH, основные версии. Анализ обычной парольной аутентификации.

    курсовая работа [367,8 K], добавлен 22.02.2013

  • Нахождение по заданной структурной схеме и известным выражениям для передаточных функций динамических звеньев передаточной функции. Исследование устойчивости системы, проведение ее частотного анализа и преобразования, расчет переходных процессов.

    курсовая работа [302,7 K], добавлен 13.05.2009

  • Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.

    отчет по практике [2,2 M], добавлен 07.01.2013

  • Особенности использования методов анализа и синтеза основных узлов аналоговых электронных устройств, методов оптимизации схемотехнических решений. Расчет параметров синтезатора радиочастот. Определение зависимости тока фазового детектора от времени.

    лабораторная работа [311,0 K], добавлен 19.02.2022

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.