Об аналитической методике анализа процессов массо- и теплопереноса
Проведение анализа модели формирования полевого гетеротранзистора. Рассмотрение задачи нелинейных массо- и теплопереноса в многослойных структурах с переменными во времени без сшивки решений на границах раздела между слоями многослойных структур.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Предмет | Силовая электроника |
Вид | статья |
Язык | русский |
Прислал(а) | alya.fialkova |
Дата добавления | 06.11.2018 |
Размер файла | 900,5 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Отработка технологии получения тонких пленок BST. Методики измерения диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрической пленки, напыленной на диэлектрическую подложку. Измерения емкости в планарных структурах.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 15.06.2015Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.
курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015Определение однослойного, двухслойного, трехслойного и многослойного просветляющего покрытия с минимальным коэффициентом отражения для данной длины волны. Оптические толщины, материалы напыляемых покрытий. Спектральные зависимости коэффициента отражения.
курсовая работа [329,1 K], добавлен 18.03.2013Особенности анализа систем. Описание системы уравнений с использованием стандартных типов системы "Тополог": функция и вектор. Итерационный метод нахождения собственных значений по методу Якоби. Пример анализа из электротехники (линейная система).
реферат [793,2 K], добавлен 28.10.2013Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора. Выбор сечения полоски металлизации. Время пролета носителей в канале транзистора. Расчет площади, занимаемой межсоединениями кристалла, тока в цепи открытого транзистора.
курсовая работа [392,1 K], добавлен 14.12.2013Рассмотрение устройства и принципа работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа. Построение семейства входных и выходных характеристик полевого транзистора. Измерение сопротивления канала, напряжения отсечки и насыщения.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 29.04.2012Рассмотрение особенностей разработки комплекса по автоматизации анализа попыток внешних проникновений и контроля локальных соединений для сервера телефонии. Общая характеристика протокола SSH, основные версии. Анализ обычной парольной аутентификации.
курсовая работа [367,8 K], добавлен 22.02.2013Нахождение по заданной структурной схеме и известным выражениям для передаточных функций динамических звеньев передаточной функции. Исследование устойчивости системы, проведение ее частотного анализа и преобразования, расчет переходных процессов.
курсовая работа [302,7 K], добавлен 13.05.2009Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
отчет по практике [2,2 M], добавлен 07.01.2013Особенности использования методов анализа и синтеза основных узлов аналоговых электронных устройств, методов оптимизации схемотехнических решений. Расчет параметров синтезатора радиочастот. Определение зависимости тока фазового детектора от времени.
лабораторная работа [311,0 K], добавлен 19.02.2022