дипломная работа Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO
Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 10.02.2017 |
| Размер файла | 2,2 M |
Подобные документы
Физика нанопроводов, их классификация и способы получения. Примеры получения нонопроводов из конкретных материалов. Нанопровода из оксида марганца в качестве электродов аккумуляторной батареи. Особенности применения нанопроводов из оксида титана.
реферат [2,9 M], добавлен 19.01.2015Разработка топологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки на основе тонкопленочной технологии. Схемотехнические данные и используемые материалы. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 07.08.2013Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для их герметизации. Материалы деталей для корпусов транзисторов. Назначение и работа автомата герметизации. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. Технология изготовления детали.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 21.06.2014Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.
контрольная работа [1,8 M], добавлен 24.08.2015Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.
контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013Технологические свойства керамики. Основные компоненты, предназначенные для изготовления ответственных изделий электронной техники. Особенности процесса гидростатического прессования на примере получения заготовок для высоковольтных конденсаторов.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 11.01.2011Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.
контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013Проектирование пленочных элементов. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов, значения ширины, длины. Нахождение средней линии меандра. Коэффициент запаса электрической прочности. Особенности монтажа навесных компонентов, бескорпусных транзисторов.
контрольная работа [105,2 K], добавлен 30.12.2014Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 14.05.2016Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.
презентация [557,0 K], добавлен 24.05.2014
