Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO

Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Микроэлектроника
Вид дипломная работа
Язык русский
Прислал(а) incognito
Дата добавления 10.02.2017
Размер файла 2,2 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Физика нанопроводов, их классификация и способы получения. Примеры получения нонопроводов из конкретных материалов. Нанопровода из оксида марганца в качестве электродов аккумуляторной батареи. Особенности применения нанопроводов из оксида титана.

    реферат [2,9 M], добавлен 19.01.2015

  • Разработка топологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки на основе тонкопленочной технологии. Схемотехнические данные и используемые материалы. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 07.08.2013

  • Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для их герметизации. Материалы деталей для корпусов транзисторов. Назначение и работа автомата герметизации. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. Технология изготовления детали.

    дипломная работа [2,2 M], добавлен 21.06.2014

  • Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 24.08.2015

  • Устройство и принцип действия биполярных транзисторов. Структура и технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем на основе биполярного транзистора с помощью метода диэлектрической изоляции; подготовка полупроводниковой подложки.

    контрольная работа [710,2 K], добавлен 10.06.2013

  • Технологические свойства керамики. Основные компоненты, предназначенные для изготовления ответственных изделий электронной техники. Особенности процесса гидростатического прессования на примере получения заготовок для высоковольтных конденсаторов.

    курсовая работа [2,4 M], добавлен 11.01.2011

  • Технология изготовления платы фильтра. Методы формирования конфигурации проводящего, резистивного и диэлектрического слоя. Выбор установки его напыления. Расчет точности пленочных элементов микросхем и режимов изготовления тонкопленочных резисторов.

    контрольная работа [359,2 K], добавлен 25.01.2013

  • Проектирование пленочных элементов. Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов, значения ширины, длины. Нахождение средней линии меандра. Коэффициент запаса электрической прочности. Особенности монтажа навесных компонентов, бескорпусных транзисторов.

    контрольная работа [105,2 K], добавлен 30.12.2014

  • Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.

    курсовая работа [3,9 M], добавлен 14.05.2016

  • Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.

    презентация [557,0 K], добавлен 24.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.