Разработка гетероструктуры быстродействующего фотопреобразователя
Создание гетероструктуры быстродействующего фотопреобразователя на основе p-i-n фотодиода максимальной возможной полосой пропускания. Применение внутреннего квантового выхода фотоответа при работе в фотодиодном режиме и трансимпедансной схемой включения.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 19.05.2023 |
| Размер файла | 320,4 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Проектирование быстродействующего обрабатывающего устройства ЭВМ. Расчет основных и произвольных компоновочных параметров логической схемы устройств. Расчет энергетических характеристик, выбор системы охлаждения. Требования к элементам конструкций.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 13.06.2012Схема включения фотоприемника. Принципиальная электронная схема предварительного усилителя, обеспечивающая согласование с приемником. Сигнал на выходе фотоприемного устройства. Спектральная чувствительность фотодиода. Усилитель сигнала на транзисторе.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 30.04.2011Полосовой фильтр с полосой пропускания 20 Гц, с возможностью изменения частоты пропускания в диапазоне от 1 до 10 кГц в зависимости от кода управления, подаваемого с последовательного порта ЭВМ типа IBM. Применение в различных сферах науки и техники.
курсовая работа [156,3 K], добавлен 14.07.2009Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа [330,7 K], добавлен 21.08.2015Разработка электрической схемы резистивного усилителя. Построение гиперболы рассеивания при статическом режиме. Формула расчета уравнения нагрузочной прямой. Определение параметров тока, полосы пропускания и полосы усиления при динамическом режиме.
контрольная работа [584,8 K], добавлен 14.05.2014Зависимость кондактанса от напряжения смещения для двухбарьерной гетероструктуры. Размеры слоев двухбарьерной квантовой структуры. Энергетическая диаграмма резонансно-туннельного диода с приложенным напряжением смещения. Методы измерения ВФХ РТД.
контрольная работа [1,6 M], добавлен 01.02.2012Приёмник оптического излучения. Структурная схема фотодиода. Зависимость выходного напряжения от входного тока, фототока от освещённости. Сопротивление фотодиода в отсутствие освещения. Обеспечение чувствительности в длинноволновой части спектра.
презентация [106,9 K], добавлен 09.04.2014Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа [34,7 K], добавлен 11.11.2010Этапы процесса синтеза электрической схемы. Требования к частотной характеристике фильтра. Аппроксимация заданной амплитудно-частотной характеристики. Порядок расчета и соображения по методике настройки активных фильтров. Расчет величин элементов схемы.
курсовая работа [490,3 K], добавлен 27.01.2010