Разработка полупроводниковых тензочувствительных элементов для систем неразрушающего контроля напряженно-деформированного состояния материалов

Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид автореферат
Язык русский
Дата добавления 01.09.2018
Размер файла 239,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник. Принципы работы, конструкция и классификация транзисторов данного вида. Четыре типа транзисторов. Вспомогательные элементы микросхем. Применение охранных колец.

    реферат [447,3 K], добавлен 22.02.2009

  • Электромагнитные методы неразрушающего контроля. Особенности вихретокового метода неразрушающего контроля. Основные методы возбуждения вихревых токов в объекте. Дефектоскопы многоцелевого назначения. Использование тепловых метода неразрушающего контроля.

    реферат [782,1 K], добавлен 03.02.2009

  • Анализ физических процессов в структуре металл-диэлектрик-полупроводник. Расчет необходимых характеристик полупроводниковой структуры. Построение диаграммы МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Технология изготовления комплементарных МОП-транзисторов.

    курсовая работа [945,3 K], добавлен 06.04.2014

  • Разработка автоматизированного дефектоскопа для сдаточного ультразвукового контроля бесшовных стальных труб. Методы и аппаратура контроля. Способ ввода ультразвука в изделие. Тип преобразователя и материала пьезоэлемента. Функциональная схема устройства.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 14.01.2015

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016

  • Определения в области испытаний и контроля качества продукции, понятие и контроль. Проверка показателей качества технических устройств. Цель технического контроля. Классификация видов и методов неразрушающего контроля. Электромагнитные излучения.

    реферат [552,7 K], добавлен 03.02.2009

  • Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.

    контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015

  • Неравновесные электронные процессы в структурах металл-туннельно-прозрачный-окисел-полупроводник. Исследование вольт-амперных характеристик и физических процессов, протекающих в транзисторных структурах с распределенным p-n переходом. Методы их расчета.

    курсовая работа [745,2 K], добавлен 11.12.2015

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Электрические методы неразрушающего контроля. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов. Работа электропотенциальных приборов. Электропотенциальный метод с использованием четырех электродов.

    реферат [1,7 M], добавлен 03.02.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.