УФ фотоприемник на основе наностержней и пленок оксида цинка
Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 30.05.2017 |
| Размер файла | 198,4 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.
реферат [1,6 M], добавлен 20.10.2014Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.
презентация [1,8 M], добавлен 14.12.2013Сферы и условия эффективного применения легированных полимеров, устройства на их основе. Функции и значение полимерной электроники: фотодиодов, транзисторов, светодиодов. Исследование и оценка главных преимуществ, недостатков электропроводящих полимеров.
контрольная работа [822,8 K], добавлен 08.06.2016Разработка топологии изготовления бескорпусной интегральной микросборки на основе тонкопленочной технологии. Схемотехнические данные и используемые материалы. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 07.08.2013Физика нанопроводов, их классификация и способы получения. Примеры получения нонопроводов из конкретных материалов. Нанопровода из оксида марганца в качестве электродов аккумуляторной батареи. Особенности применения нанопроводов из оксида титана.
реферат [2,9 M], добавлен 19.01.2015Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.
реферат [344,7 K], добавлен 08.02.2013Принцип действия прибора, его основные параметры и характеристики. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Максимальный прямой ток через переход. Расчёт активных элементов интегральных микросхем. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 11.12.2016Описание полученных данных, используемых для прогнозирования эксплуатационной надёжности элементов, включая соединитель. Коэффициенты электрической нагрузки элементов. Расчет эксплуатационных интенсивностей отказов. Итоговые показатели безотказности РЭУ.
контрольная работа [132,3 K], добавлен 17.12.2014Анализ структур, составов и требований к функциональным слоям микротвердооксидных топливных элементов. Требования, предъявляемые к анодным электродам. Методы формирования функциональных слоев микротвердооксидных топливных элементов. Патентный поиск.
дипломная работа [2,1 M], добавлен 14.05.2014Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Устройство установки, принципы действия: рабочий объем, эффузионные ячейки. Дифракция быстрых электронов. Использование раствора кадмий-ртуть-теллур для производства инфракрасных и фотоприемников.
курсовая работа [890,4 K], добавлен 11.04.2012