Анализ конструктивно-технологических ограничений при проектировании лавинных фотодиодов, работающих в режиме счета фотонов
Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | статья |
Язык | русский |
Дата добавления | 29.05.2017 |
Размер файла | 327,1 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009Основные характеристики и применение аргонового лазера. Вынужденное испускание фотонов возбужденными атомами. Процесс поглощения фотонов. Активная среда ионных лазеров. Уровни энергии для лазера на ионах аргона. Характерные значения выходной мощности.
реферат [1,6 M], добавлен 12.06.2011Особенности функционирования схем с взаимодополняющими транзисторами (КМДП). Конструктивно-технологические варианты их исполнения. Преимущества, недостатки и перспективы использования КМДП-структур. Конструкции элементов КМДП-БИС на сапфировых подложках.
реферат [1,4 M], добавлен 12.06.2009Выбор элементной базы, унифицированных узлов, установочных изделий, материалов конструкции. Расчёт конструктивно-технологических параметров печатной платы. Обеспечение электромагнитной совместимости. Обоснование выбора САПР при проектировании автосторожа.
курсовая работа [837,9 K], добавлен 30.01.2015Виды счетчиков - последовательных устройств для счета входных импульсов и фиксации их числа в двоичном коде, их статические и динамические параметры. Схемотехническое моделирования TV-триггера, инвертора и буфера. Динамические характеристики вентилей.
курсовая работа [5,4 M], добавлен 04.02.2011Электрические и механические системы счета изделий в полиграфии. Датчики устройства счета. Расчеты параметров рабочего узла. Схема линейного усилителя с аналоговым выходом. Источник стабилизированного питания. Расчет элементов фотоголовки и блока питания.
контрольная работа [46,9 K], добавлен 11.03.2015Структурная схема вольтметра. Расчет основных параметров. Схемотехника узлов цифрового вольтметра. Генератор тактовых импульсов. Схема устройства формирования импульсов. Цифро-аналоговый преобразователь, устройство сравнения. Схема счета и индикации.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 18.06.2012Технічні принципи функціонування та конструктивно-технологічні особливості електронної автоматичної телефонної станції "Дніпро", цифрова система комутації адміністративного району. Впровадження програмного забезпечення абонентів та додаткових послуг.
дипломная работа [1,5 M], добавлен 19.08.2011Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015