Примесная фотопроводимость
Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 30.03.2017 |
| Размер файла | 367,5 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Физические основы работы фоторезисторов, их вольтамперные, световые и спектральные характеристики; инерционность. Структура фоторезистора, схема его включения и принцип действия. Характеристика примесной фотопроводимости, явление электропроводности.
контрольная работа [4,0 M], добавлен 12.03.2015Открытие эффекта комбинационного рассеяния света (эффект Рамана). Применение в волоконно-оптических линиях связи оптических усилителей, использующих нелинейные явления в оптоволокне (эффект рассеяния). Схема применения, виды и особенности устройства.
реферат [1,2 M], добавлен 29.12.2013Элементы оптических систем. Оптическая система – совокупность оптических сред, разделенных оптическими поверхностями, которые ограничиваются диафрагмами. Преобразование световых пучков в оптической системе. Оптические среды. Оптические поверхности.
реферат [51,5 K], добавлен 20.01.2009Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат [211,5 K], добавлен 29.06.2015Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014Ниткошвейное скрепление книг и виды шитья нитками. Основные характеристики микроконтроллера, компьютерная поддержка и проектирование аппаратных средств. Характер брошюрного стежка, варианты минимального количества режимов работы, автоматические переходы.
курсовая работа [884,4 K], добавлен 17.11.2011Составление измерительных схем для снятия характеристик опто-электронных приборов, содержащих p-n-переходы; регистрация напряжений и токов. Значения параметров цепи, получение ВАХ p-n-перехода, определение параметров перехода, моделирование работы схемы.
лабораторная работа [459,4 K], добавлен 23.12.2011Современные радиотехнические средства. Расчет параметров одного излучателя и антенной решетки. Конструктивная схема вибраторного излучателя. Коаксиально – полосковые переходы и дискретный фазовращатель. Полосковый делитель и кольцевой делитель мощности.
курсовая работа [139,1 K], добавлен 03.12.2010Выбор системы связи и аппаратуры уплотнения. Выбор магистрального кабеля и размещение цепей по четверкам. Переходы и пересечения естественных и искусственных преград. Определение длины опор и их количества по типам. Скрещивание проводов телефонных цепей.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 26.01.2013