Розрахунок залежності фото електрорушійної сили напівпровідників від довжини хвилі та кута падаючого проміння
Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 12.05.2016 |
| Размер файла | 341,0 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Призначення термінальних мультиплексорів SDH. Відмінності мультиплексорів SMA від SMT. Види трибних інтерфейсів SM. Характеристика оптичного (робоча довжина хвилі) та електричного (швидкість передачі та код сигналу) інтерфейсів SM, інтерфейсу HDSL.
лабораторная работа [13,5 K], добавлен 06.11.2016Критична довжина і критична частота основного типу хвиль коаксіального кабелю. Залежність групової швидкості від частоти. Визначення критичної довжини хвилі і критичної частоти основного типу хвиль прямокутного хвилеводу з певним поперечним перерізом.
контрольная работа [508,9 K], добавлен 05.05.2015Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Загасання і втрати сигналу при розповсюдженні в оптичних волокнах. Поглинальні та випромінювальні принципові джерела загасання у волоконних світловодах. Типовий спектр втрат в оптичному волокні, складові компоненти; його залежність від довжини хвилі.
реферат [167,0 K], добавлен 22.11.2010Внутришньомодова дисперсія як умова обмеження швидкості передачі імпульсів в волокнах. Типова ширина спектру різних джерел випромінювання для оптичних комунікацій. Залежність дисперсії оптичного волокна від довжини хвилі. Матеріальна хроматична дисперсія.
контрольная работа [485,0 K], добавлен 22.11.2010Принцип роботи діелектричної лінзової антени. Огляд сучасних досягнень в конструюванні лінзових антен. Розрахунок робочої частоти. Визначення розмірів лінзи в градусах. Вибір розмірів хвилеводу та рупора. Залежність ширини променя від довжини хвилі.
курсовая работа [352,0 K], добавлен 02.11.2014Визначення переваг використання принципів частотного і часового поділу вхідного і вихідного сигналів, негативного зворотного зв'язку по випромінюванню і самонастроюванню для побудови модулятора на основі керованих джерел оптичного випромінювання.
контрольная работа [159,2 K], добавлен 20.11.2010Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 31.07.2010Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013
