Низькотемпературні п’єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин
Дослідження низькотемпературного транспорту носіїв заряду і деформаційно-стимульованих ефектів в алмазоподібних напівпровідниках. Аналіз впливу магнітного поля на зміну механізму транспорту носіїв заряду в кремнії та германії за низьких температур.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | автореферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 14.10.2015 |
| Размер файла | 51,1 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Аналіз найактуальніших методів виготовлення датчиків магнітного поля на основі тонких плівок, їх переваг і недоліків. Характеристика фізичних принципів і ефектів на яких працюють чутливі елементи та ролі у цьому матеріалу з якого вони виготовляються.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 17.05.2012Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013Використання вентильних властивостей випрямляючих контактів. Перетворення змінного струму у постійний. Принцип дії кремнієвого і германієвого діодів. Подача на діод зворотної напруги. Концентрація генерованих носіїв заряду. Зворотний струм діода.
дипломная работа [83,6 K], добавлен 01.12.2012Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Статичні та динамічні характеристики вимірювань. Розробка структурної схеми голосової ІВС для пасажирських вагонів залізничного транспорту. Датчики температури, вологості повітря та атмосферного тиску. Оцінка статичних метрологічних характеристик.
курсовая работа [962,7 K], добавлен 16.03.2011Огляд пристроїв вимірювання магнітної напруженості поля. Силова взаємодія вимірюваного магнітного поля з полем постійного магніту. Принципи побудови приладів для вимірювання магнітних величин. Розробка Е1та Е2 тесламетра. Явища електромагнітної індукції.
отчет по практике [1,3 M], добавлен 28.08.2014Проектування волоконно-оптичних систем, дослідження та аналіз нелінійних ефектів, які обмежують пропускну здатність компонентів тракту. Розрахунок та оптимізація пропускної здатності DWDM-системи, значення загальної кілометричної дисперсії волокна.
реферат [24,5 K], добавлен 22.11.2010Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Вибір електродвигуна, перетворювача, елементів силової частини катучого конвеєра. Складання схеми заміщення. Розрахунок швидкісних і механічних характеристик системи. Моделювання динамічних режимів роботи привода технологічного механізму у пакеті Mathcad.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 08.06.2014