Пьезоэлектрики и другие нецентросимметричные диэлектрики
Наличие полярных осей как характерная особенность кристаллической структуры пироэлектриков. Анализ основных способов получения термоэлектретов. Освещение кристалла или облучение его более жестким излучением - причина возникновения фотополяризации.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | статья |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.09.2015 |
| Размер файла | 86,8 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012Характерная особенность приемников класса супергетеродинов. Преимущества супергетеродинного метода и недостатки. Основные требования к преобразователям частоты, их назначение, структурная схема, принцип работы, основные показатели и классификация.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 15.12.2009Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015Проектирование структуры системы управления электроприводом лифта. Анализ измерительных средств и методов получения информации от объекта. Выбор количества и типов входных и выходных информационных каналов. Разработка структуры информационного канала.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 28.09.2010Классификация способов перестройки параметров и параметры управителей. Цифроуправляемые резисторы параллельной структуры проводимости лестничного типа. Влияние идеальности электронных ключей на свойства базисных структур, дифференциальные усилители.
курсовая работа [866,5 K], добавлен 03.03.2011Обзор и анализ разработок микромеханических гироскопов и постановка задачи исследования. Разработка структуры и выбор типа модуляции, обобщённая структурная схема автоколебательной системы. Оценка экономической эффективности инвестиционного проекта.
дипломная работа [2,4 M], добавлен 11.03.2012Исследование работы интегрального усилителя в различных режимах. Подключение усилителя как повторителя. Измерение входящего и выходящего напряжения. Определение частоты пропускания усилителя. Анализ способов получения большого усиления на высокой частоте.
лабораторная работа [81,5 K], добавлен 18.06.2015Определение коэффициентов усиления двойной рамочной антенны. Анализ системы из двух излучателей, обладающей однонаправленным излучением. Улучшение горизонтальной диаграммы направленности. Ввод коаксиального кабеля снизу в вертикальную трубу каркаса.
курсовая работа [822,1 K], добавлен 13.10.2017
