Напівпровідникові приладові структури
Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 07.08.2013 |
| Размер файла | 371,1 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 08.06.2014Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.
учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Одноелектронне тунелювання через невеликий тунельний контакт. Перешкоди у разi використання одноелектронного ящика як компонента електронного ланцюга. Особливості вольт-амперної характеристики одноелектронних приладів. Схемотехнiчний розгляд роботи ОЕТ.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 26.06.2013Основні компоненти волоконно-оптичного кабелю. Види кабельних буферів: пустотілий; щільний. Властивості матеріалів зовнішньої оболонки. Кабелі для прокладання всередині приміщень. Симплексний і дуплексний режими. Технічні характеристики кабелю ОКМС.
контрольная работа [305,9 K], добавлен 21.11.2010Цифрові методи синтезу синусоїдальної напруги. Програмна реалізація цифрової частини. Функції управління генератором. Загальні питання охорони праці. Характеристика виробничого середовища. Небезпечні й шкідливі виробничі фактори. Метеорологічні умови.
аттестационная работа [551,8 K], добавлен 08.07.2016Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011