Монтаж Flip-chip. Защита при Flip-chip технологии. Chip-On-Board технология. Современное оборудование
Обзор процесса монтажа "flip-chip", присоединения полупроводникового кристалла интегральной схемы на подложку активной стороной вниз. Изучение критериев миниатюризации, герметизации при монтаже, нанесения адгезива, установки кристалла, плазменной чистки.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 23.12.2011 |
| Размер файла | 2,7 M |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Характеристика свойств адгезивов. Назначение: фиксация компонентов. Выбор адгезива. Основные требования, предъявляемые к адгезивам. Технология нанесения адгезива. Метод трафаретной печати, групповой перенос капель и метод капельного дозированная.
реферат [38,2 K], добавлен 21.11.2008Монтаж с использованием эвтектических сплавов, клеев. Контактные площадки кристаллов и корпусов. Присоединение тонких алюминиевых или золотых проволочек. Методы присоединения электродных выводов. Монтаж перевернутого кристалла и его разновидности.
реферат [1,0 M], добавлен 14.01.2009Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012Основные принципы построения АМ-ЧМ приемников. Анализ схемы электрической принципиальной ИМС TA2003. Разработка физической структуры кристалла, технологического маршрута изготовления и топологии интегральной микросхемы. Компоновка элементов и блоков.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 01.11.2010Описание технологии изображения 35-мм (традиционный вариант). Особенности технологии озвучивания и монтажа звука. Выбор оборудования, обзор возможностей и технических характеристик оборудования. Схема расположения и соединения выбранного оборудования.
курсовая работа [128,6 K], добавлен 24.03.2012Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.
курсовая работа [708,7 K], добавлен 13.07.2008Современное состояние техники поверхностного монтажа. Возможные варианты, технологические операции и среды сборки и монтажа ячеек ЭУ, порядок и правила их подготовки и проведения. Критерии выбора флюса, клея, припоя, очистителя, защитных покрытий.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 26.01.2011Введение эвтектического сплава в качестве припоя между соединяемыми поверхностями кристалла и корпуса. Эвтектические сплавы: золото-германий или золото-кремний. Монтаж с использованием клеев и компаундов при изготовлении полупроводниковых приборов.
реферат [1,0 M], добавлен 09.01.2009Разработка технологии сборки и монтажа формирователей усилителя низкой частоты. Анализ маршрутной технологии, обоснования технологического оборудования, выбора оптимального варианта технологического процесса. Проектирование участка сборки и монтажа.
курсовая работа [172,8 K], добавлен 19.06.2010
