P-i-n-діод
Фізичні явища в перемикаючих p-i-n-діодах та їх вольт-амперна характеристика. Перехідні процеси при подачі прямого зміщення та при його перемиканні до зворотного. Структура швидкодіючого діода та вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 23.01.2011 |
| Размер файла | 2,2 M |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Зонна структура напівпровідників. Електричний струм в напівпровідникових діодах. Зняття вольт-амперної характеристики діодів в пропускному та в запірному напрямах. Електропровідність і концентрація носіїв струму. Відмінність металів від напівпровідників.
лабораторная работа [100,5 K], добавлен 22.06.2011Структура і принципи роботи тиристора, його вольт-амперна характеристика. Функціонування симістора, способи його відмикання. Конструкція і принципи дії трансформаторів. Розробка структурної схеми регулятора змінної напруги та розрахунок його елементів.
дипломная работа [1,3 M], добавлен 14.11.2010Дослідження характеристик та роботи напівпровідникового діоду, біполярного транзистора, напівпровідникового тиристора, фоторезистора, операційного підсилювача, мультивібраторів, логічних інтегральних схем, малопотужних випрямлячів і згладжуючих фільтрів.
методичка [5,3 M], добавлен 02.12.2010Використання вентильних властивостей випрямляючих контактів. Перетворення змінного струму у постійний. Принцип дії кремнієвого і германієвого діодів. Подача на діод зворотної напруги. Концентрація генерованих носіїв заряду. Зворотний струм діода.
дипломная работа [83,6 K], добавлен 01.12.2012Основні параметри конденсаторів змінної ємності з плоскими пластинами. Параметри котушки електромагнітного апарата при сталому й змінному струмах. Розрахунок трифазного силового трансформатора. Характеристики випрямного діода і біполярного транзистора.
методичка [2,3 M], добавлен 26.05.2013Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
курсовая работа [640,7 K], добавлен 13.12.2011Ознайомлення із поняттями диференційних, перехідних та інтегруючих кіл. Вивчення принципу дії одностороннього та двостороннього обмежувачів амплітуди. Визначення призначення, основних параметрів та прикладів застосування стабілізаторів напруги.
реферат [5,8 M], добавлен 30.01.2010Фізичні процеси у смугових, загороджувальних, режекторних фільтрах верхніх частот. Суть методу частотної змінної та його використання. Параметри та характеристики фільтрів при підключення до них навантаження. Принципи побудови та області їх застосування.
лекция [292,6 K], добавлен 30.01.2010Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 13.12.2013
