Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств
Этапы и перспективы развития оптической электроники. Достоинства оптоэлектронных приборов. Элементы оптоэлектронной цепи. Оптический диапазон спектра электромагнитных волн, характеристики излучения. Принцип работы полупроводникового инжекционного лазера.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лекция |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.10.2024 |
| Размер файла | 952,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Работа оптоэлектронных приборов основана на электронно-фотонных процессах получения, передачи и хранения информации. Одним из оптоэлектронных приборов является оптрон, принцип действия которого состоит в преобразовании электрического сигнала в оптический.
реферат [83,5 K], добавлен 07.01.2009Структура и компоненты волоконно-оптической системы связи. Светоизлучающие и лазерные диоды. Модуляторы, физические принципы работы и элементы передающих оптоэлектронных модулей. Оптический гетеродинный прием, технические характеристики фотоприемников.
контрольная работа [3,6 M], добавлен 24.08.2015Типы лазеров: усилители, генераторы. Характеристики приборов: энергия импульса, расходимость лазерного луча, диапазон длин волн. Типы газоразрядных лазеров. Поперечная и продольная накачка электронным пучком. Принцип работы лазера на свободных электронах.
реферат [108,2 K], добавлен 11.12.2014Модель волоконно-оптической системы передачи. Классификация оптоэлектронных компонентов. Детекторы светового излучения. Оптические разъемы, сростки и пассивные оптические устройства. Определение функциональных параметров, типы и вычисление потерь.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 21.12.2012Ознакомление с оптоэлектронными приборами - устройствами, в которых при обработке информации происходит преобразование электрических сигналов в оптические и обратно. Оптрон - основной элемент оптоэлектроники. Принцип действия инжекционного светодиода.
реферат [163,9 K], добавлен 06.01.2009Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация [103,2 K], добавлен 19.02.2014Характеристика электромеханических приборов для измерения постоянного, переменного тока и напряжения. Их конструкция, принцип действия, область применения, достоинства и недостатки. Определение и классификация электронных вольтметров, схемы приборов.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 26.03.2010История развития и становления радиопередающих устройств, основные проблемы в их работе. Обобщенная структурная схема современного радиопередатчика. Классификация радиопередатчиков по разным признакам, диапазон частот как одна из характеристик приборов.
реферат [25,2 K], добавлен 29.04.2011Направления и задачи деятельности оптоэлектронных технологий. Характеристика и цели использования приборов оптоэлектроники. Аппаратура для технических измерений и оптоволоконной связи. Лазерно-оптические информационные системы для специальных применений.
курсовая работа [627,8 K], добавлен 16.10.2013Физические принципы генерации гармонических СВЧ-сигналов широкополосных каналов связи. Базовая конструкция оптоэлектронных генераторов. Расчет мощности нелинейной генерации в планарных структурах с областями модулированной диэлектрической проницаемости.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 18.06.2014Изучение технологий волоконно-оптической линии связи и ее компонентов, связанных с передачей информации. Оценка передающих оптоэлектронных модулей. Моделирование работы устройства после повышения характеристик, для интегрирования в сеть предприятия.
дипломная работа [2,0 M], добавлен 21.06.2015Понятие, области, основные разделы и направления развития электроники. Общая характеристика квантовой, твердотельной и вакуумной электроники, направления их развития и применения в современном обществе. Достоинства и недостатки плазменной электроники.
реферат [344,7 K], добавлен 08.02.2013Принцип работы и основные технические характеристики электромеханических измерительных приборов. Расчет и изготовление прибора для измерения параметров реле. Выбор типа регулирующего транзистора и его режима. Достоинства транзисторных стабилизаторов.
курсовая работа [610,9 K], добавлен 22.06.2010История развития нанотехнологии. Наноэлектронные приборы и устройства. Разработка основ работы активных приборов с нанометровыми размерами, в первую очередь квантовых. Проблемы и перспективы развития нанонауки (электроники и оптоэлектроники) в России.
реферат [964,0 K], добавлен 12.11.2016Особенности эксплуатации приборов для измерения давления в управлении технологическими процессами и обеспечении безопасности производства. Назначение и классификация приборов; принцип работы манометров, вакуумметров, барометров, тягометров, датчиков.
презентация [288,6 K], добавлен 08.10.2013Понятие пригоночных работ и их сущность. Пригонка деталей слесарным способом путем шабрения, притирки, сверления, развертывания отверстий и выполнения других видов работ. Смазка оптико-механических приборов. Герметизация оптических узлов и приборов.
реферат [744,8 K], добавлен 09.11.2008Основные этапы проектирования приборов. Роль и место радиоэлектронной промышленности в национальной технологической системе России. Формирование рынка контрактной разработки. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
курсовая работа [3,6 M], добавлен 22.11.2010Система атмосферной оптической связи, ее внутренняя структура и элементы, принцип работы и направления использования. Высокочастотное возбуждение активной среды. Выбор конструкции излучателя. Атмосферный канал связи, расчет данной оптической линии.
дипломная работа [1,7 M], добавлен 25.01.2014Понятие и общая характеристика приборов - излучателей или приемников электромагнитных волн. Описание детекторных радиоприемников, принципы работы диода и триода. Устройство транзистора, свойства полупроводников, особенности возникновения p-n перехода.
реферат [85,4 K], добавлен 17.03.2011Подбор и краткое описание приборов для реализации информационной цепи и управляющей цепи, определение технических характеристик и возможностей данных приборов. Составление структурной и функциональной схемы автоматизации, спецификации оборудования.
контрольная работа [2,2 M], добавлен 12.03.2010
