Разработка и создание установки одноосного сжатия и исследования состояния кластеров примесных атомов марганца при одноосном сжатии

Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Промышленная электроника
Вид диссертация
Язык русский
Прислал(а) А.Ю. Хасанов
Дата добавления 24.05.2018
Размер файла 998,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Метод для исследования СВЧ диэлектриков при повышенных температурах. Характеристика волноводного, резонаторного и оптического методов. Пути разработки функциональной, принципиальной схемы измерительной установки и вопросов конструирования и технологии.

    дипломная работа [655,4 K], добавлен 03.03.2011

  • Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009

  • Технологии получения углеродных нанотрубок. Использование их в эмиссионной электронике. Создание токопроводящих соединений, сверхбыстрых транзисторов на основе атомов углерода. Производство наноэлектронных приборов. Электрические свойства нанотрубки.

    презентация [557,0 K], добавлен 24.05.2014

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016

  • Выбор датчика температуры. Разработка структурной и функциональной схем измерительного канала. Основные технические характеристики усилителей. Настройка программного обеспечения. Оценка случайной погрешности. Классы точности измерительных приборов.

    курсовая работа [2,2 M], добавлен 19.11.2012

  • Использование серийных микропроцессорных датчиков давления серии "МЕТРАН" вразработке математической модели датчика давления и реализации ее в системах измерения давления. Аналогово-цифровой преобразователь системы: параметры структурных составляющих.

    курсовая работа [32,0 K], добавлен 27.02.2009

  • Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 02.04.2014

  • Метод переменного перепада давления измерения расхода газа. Описание датчика разности давлений Метран-100-ДД. Описание схемы электронного преобразователя, схема соединительных линий измерительного датчика. Возможные неисправности и способы их устранения.

    курсовая работа [398,6 K], добавлен 02.02.2014

  • Физика нанопроводов, их классификация и способы получения. Примеры получения нонопроводов из конкретных материалов. Нанопровода из оксида марганца в качестве электродов аккумуляторной батареи. Особенности применения нанопроводов из оксида титана.

    реферат [2,9 M], добавлен 19.01.2015

  • Методы реализации цифровых фильтров сжатия и их сравнение. Разработка модуля сжатия сложных сигналов. Разработка структурной схемы модуля и выбор элементной базы. Анализ работы и оценка быстродействия. Программирование и конфигурирование микросхем.

    дипломная работа [5,7 M], добавлен 07.07.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.